RAM是什么？

一、RAM(随机存取存储器)RAM的特点是当计算机开机时，操作系统和应用程序的所有运行数据和程序都会放在其中，并且可以随时修改和访问其中存储的数据。它的工作需要持续的电力提供。一旦系统断电，存储在其中的所有数据和程序将自动清空，并且永远无法恢复。根据组件的不同，RAM内存可以分为以下十八种类型:01。DRAM(动态随机存取存储器):这是最常见的RAM，一个电子管和一个电容组成一个比特存储单元。DRAM将每个存储器位存储为位存储单元中的电荷，通过对电容器充电和放电来存储该电荷。但是电容本身有漏电问题，所以必须每隔几微秒刷新一次，否则。存取时间与放电时间一致，约为2 ~ 4 ms，由于成本较低，通常在计算机中作为主存储器使用。02.SRAM(静态RAM)是静态的，这意味着存储器中的数据可以长时间停留在那里，而不需要随时访问。每六个管组成一个位存储单元，因为没有电容，所以不需要不断充电就可以正常工作，所以可以比一般的动态随机处理存储器更快更稳定，常用作缓存。3.VRAM(视频RAM)它的主要作用是将显卡的视频数据输出到数模转换器，有效降低了绘图显示芯片的工作量。它设计有双数据端口，其中一个是并行数据输出端口，另一个是串行数据输出端口。多用于高级显卡中的高端内存。04.FPM DRAM(快速页面模式DRAM)的改进版本主要是72针或30针模块。当访问一位的数据时，传统的DRAM必须发送一次行地址和列地址来读写数据。但行地址被FRM DRAM触发后，如果CPU要求的地址在同一行，则可以连续输出列地址，而不输出行地址。因为一般程序和数据的地址在内存中是连续排列的，在这种情况下，可以通过连续输出行地址和列地址来获得需要的数据。FPM将内存分成许多页，从512B到几KB不等。在连续区域读取数据时，可以通过快速换页模式直接读取每一页中的数据，大大提高了读取速度。96年之前，在486时代和奔腾时代早期，FPM DRAM被广泛使用。05.EDO DRAM(扩展数据输出DRAM)这是FPM之后出现的一种存储器，一般是72针，168针模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一位数据时输出一段时间的行地址和列地址，然后就可以读写有效数据，直到这个读写操作完成后才能输出下一位的地址。因此可以大大缩短输出地址的等待时间，其访问速度一般比FPM模式快15%左右。一般适用于中档以下奔腾主板的标准内存。后期486系统开始支持江户DRAM，1996年后期开始实现江户DRAM。。06.bedo DRAM(Burst Extended Data Out DRAM)这是一款改进的edo DRAM，由美光提出。它给芯片增加一个地址计数器来跟踪下一个地址。它是一种突发读取模式，即在发送一个数据地址时，只需要一个周期就可以读取剩下的三个数据中的每一个，因此一次可以访问多组数据，比EDO DRAM快。但是支持BEDO DRAM内存的主板很少，只有少数主板提供支持(比如通过APOLLO VP2)，所以很快就被DRAM取代了。07.MDRAM(Multi-Bank DRAM，Multi-slot Dynamic Random Access Memory)由MoSys公司提出的一种存储器规范，分为若干个不同类别的小库，即由若干个从属的小单位矩阵组成。每个存储体以比外部更高的数据速度相互连接，一般用于高速显示卡或加速卡，少数主板用于L2缓存。08.WRAM(Window RAM)由韩国三星公司开发的内存模式是VRAM内存的改进版本。不同的是它的控制电路有一二十组输入/输出控制器，采用EDO的数据存取方式，所以速度比较快。此外，它还提供了块移位功能(BitBlt)，可应用于专业绘图工作。09.RDRAM(Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器)Rambus公司自主设计的一种存储模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。而内存控制器在使用这种内存后需要做相当大的改动，所以一般都用在专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的显存上。10.SDRAM(同步动态随机存取存储器)这是一种可以与CPU外部时钟同步的存储器模式。一般采用168Pin内存模块，工作电压为3.3V，所谓时钟同步是指内存可以与CPU同步访问数据，可以取消等待期，减少数据传输的延迟，从而提高计算机的性能和效率。11.S GRAM(同步图形RAM)是SDRAM的改进版本。它以块(即每32位)为基本访问单位，单独检索或修改被访问的数据，从而减少了存储器的总体读写次数。另外针对绘图需求增加了绘图控制器，并提供了块移位功能(BitBlt)，明显比SDRAM更高效。12.SB SRAM(同步突发SRAM)一般SRAM是异步的。为了适应CPU越来越快的速度，需要使其工作时钟变成13。Pb SRAM(流水线爆发式SRAM，流水线爆发式静态随机存储器中CPU外频速度的快速提升对其匹配存储器提出了更高的要求。用流水线爆炸式SRAM代替同步爆炸式SRAM是必然的选择，因为可以有效延长访问时钟，从而有效提高访问速度。14.DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)作为SDRAM的换代产品，有两大特点:一是速度是SDRAM的两倍；其次，使用DLL(延迟锁定环)来提供数据滤波信号。这是目前内存市场的主流模式。15.SLDRAM (Synchronize Link，动态随机存取存储器)这是一种扩展的SDRAM结构存储器，在增加了更先进的同步电路的同时，改进了逻辑控制电路，但由于技术上的展示，付诸实践并不困难。16.CDRAM(缓存DRAM)这是三菱电机公司首先开发的专利技术。它在DRAM芯片的外部引脚和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级缓存。目前几乎所有的CPU都配备了一级缓存来提高效率。随着CPU时钟频率的翻倍，缓存未被选中的影响会越来越严重，而CACHE DRAM提供的二级缓存正好补充了CPU一级缓存的不足，所以可以大大提高CPU效率。17.DDR ii(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)是DDR的原SLDRAM联盟在1999解散后的未来新标准。DDRII的详细规格尚未确定。18.DRDRAM (Direct RamBus DRAM)是下一代主流内存标准之一，由RamBus公司设计开发。所有管脚都连接到一条具有相同* * * *的总线上，这样不仅可以减小控制器的尺寸，还可以提高数据传输的效率。二、ROM(只读存储器)ROM是最简单的半导体电路。它是通过掩模技术一次性制造的。在部件正常工作情况下，其中的代码和数据将被永久保存，不可修改。一般应用于PC系统的程序代码，主板上的BIOS(基本输入输出系统)等。它的读取速度比RAM慢很多。根据元件的不同，ROM存储器可以分为以下五种类型:1。掩膜ROM (MASK ROM)为了量产ROM存储器，厂商需要先用原始数据做一个ROM或者EPROM作为样品，然后大量复制。这个样本是Mask ROM，刻录在MASK ROM中的数据是永远无法修改的。它的成本相对较低。2.PROM(可编程ROM)这是一种ROM存储器，可以用刻录机写数据，但只能写一次，所以也叫OTP-ROM。PROM出厂时，存储的内容都是1，用户可以根据需要将一些单元写入数据0(有的PROM出厂时都是数据0，所以用户可以将一些单元写入1)，达到“编程”的目的。3.EPROM(可擦除可编程只读存储器)这是一种具有可擦除功能的ROM存储器，擦除后可以重新编程。在书写之前，必须通过用紫外线照射其IC卡上的透明窗口来清除里面的内容。这种芯片很容易识别，它的包装上有“应时玻璃窗”。已编程的EPROM芯片的“应时玻璃窗”通常覆盖有黑色不干胶纸，以防止阳光直射。4.EEPROM(电可擦可编程只读存储器)的功能和用法与EPROM相同，不同的是数据的清零方式，用20V左右的电压清零。此外，它还可以使用电信号来写入数据。这种ROM存储器主要用于即插即用(PnP)接口。5.闪存这是一种不用拔下IC就可以直接修改主板上内容的内存。当电源关闭时，存储在其中的数据不会丢失。写入数据时，必须先清除原始数据，然后再写入新数据。缺点是写数据的速度太慢。