在半导体的PVD工艺中使用IMP Ti和DS Ti靶意味着什么？

在半导体制造工艺中的PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)工艺中，IMP和DS分别代表不同的沉积技术:

1.IMP:离子化金属等离子体，是一种利用等离子体溅射沉积金属靶的技术。通过进一步激发溅射的金属离子形成高密度等离子体，使沉积过程更加有效和均匀，适合制造高质量的薄膜。

2.DS:直接溅射，这是一种传统溅射沉积技术。通过将靶材置于真空环境中，用高能离子轰击靶材表面，使其原子或分子以蒸发或溅射的形式沉积在基底上，形成薄膜。