AMD和IBM联合开发的DSL技术。

双应力衬里(DSL)技术

2004年底，AMD和IBM联合宣布在晶体管技术领域取得突破。这两家公司的工程师开发了一项名为Dual Stress Liner的技术，可以将半导体晶体管的响应速度提高24%。

其实这项技术背后的原理相当简单。事实上，DSL与英特尔在90nm生产工艺中推出的应变硅技术非常相似。众所周知，晶体管越精细，运行速度越高，但同时也会导致漏电流增加，开关效率降低，从而导致功耗和发热量增加。双应力衬里通过向晶体管的硅层施加应力来提高速度并降低功耗。

换句话说，DSL可以改变硅之间的原子晶格，使晶体管获得更快的响应时间和更低的热量。在一种情况下，硅原子被“拉开”，在另一种情况下，它们被“挤压在一起”，这是通过将它们移动到原子晶格被拉伸或压缩的氮化物密封层来实现的。与Intel使用的应变硅不同，AMD和IBM的DSL可以用于NMOS和PMOS两种类型的晶体管(具有N和P沟道)，而不使用极难获得的硅锗层，这将增加成本，并可能影响芯片良率。

DSL的双重性使得它比英特尔的应变硅更有效:DSL可以提高晶体管的响应速度24%，而应变硅可以提供15-20%的最大改善。更重要的是，AMD和IBM的这项新技术对产量和生产成本没有负面影响。因为生产中不需要使用新的生产方式，使用标准的生产设备和材料就可以快速进行批量生产。此外，通过使用硅绝缘膜结构(SOI)和应变硅，可以生产具有更高性能和更低功耗的晶体管。

新款Venice处理器的核心是AMD首款采用双应力衬里技术的台式机处理器。这项新技术，加上目前的SOI技术，可以使基于Venice的处理器达到更高的核心工作时钟频率。AMD工程师预测，双应力衬里和SOI的结合将使Athlon 64处理器的频率潜力提高约65，438+06%。换句话说，基于Venice的CPU应该具有2.8GHz的标称频率。