SDRM PSRAM SRAM PRAM和对方有什么区别？
与系统总线速度同步，即与系统时钟同步，从而避免不必要的等待时间并减少数据存储时间。同步还使存储器控制器知道数据请求使用哪个时钟脉冲周期，因此脉冲一上升就可以传输数据。SDRAM使用3.3伏工作电压，168Pin DIMM接口，带宽64位。SDRAM不仅用于内存，也用于显存。
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PSRAM具有单晶体管DRAM单元，与传统的六晶体管或四晶体管双负载电阻SRAM单元有很大不同，但具有类似SRAM的稳定接口。内部DRAM架构赋予PSRAM一些优于低功耗6T SRAM的优势，比如体积更轻，价格更有竞争力。目前，在整个SRAM市场中，90%的厂商都在生产PSRAM元件。近两年市场上SRAM/PSRAM的重要供应商有三星、赛普拉斯、瑞萨、美光、东芝。
编辑本段PSRAM和SRAM的对比:基本原理是PSRAM是伪SRAM，内部存储粒子和SDRAM类似，但外部接口和SRAM类似，没有SDRAM复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口和SRAM一样。
容量PSRAM有4Mb，8Mbit，16Mbit，32Mbit等。容量没有SDRAM高，但肯定比SRAM高很多。速度支持突发模式，也不是很慢。海力士，Fidelix，核心魔术，华邦。Micron.cy等厂商都有供应，价格只比同容量的SDRAM贵一点点。
PSRAM主要用于手机、电子词典、PDA、PMP。MP3/4、GPS接收器和其他消费电子产品。与SRAM(采用6T工艺)相比，PSRAM采用1T+1C工艺，因此体积更小。同时，PSRAM的I/O接口与SRAM相同。容量方面，目前智能手机基本都用256MB以上的PSRAM，很多用512MB。与SDRAM相比，PSRAM的功耗要低得多。因此，对于许多需要一定缓存容量的便携产品来说，它是一个理想的选择。
编辑本段目前的发展现状:东芝、NEC电子、富士通联合提出了PSRAM(伪静态随机存取存储器)的标准接口规范，第四版，又称CSORAM Rev.4(移动RAM通用规范)，是移动RAM的通用规范。三家公司将生产和销售各自的产品，产品最早可于2007年3月上市。以上三家公司在9月份首次提出了通用规范，1998，共享了堆叠式多芯片封装(MCP)对包括闪存、SRAM在内的移动设备的通用接口规范。随后，他们在2002年、2003年和2004年对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规范。COSMORAM Rev. 4为伪SRAM增加了双速率突发(DDR突发)模式。
3.SRAM可以保存存储在其中的数据，而无需刷新电路。DRAM(动态随机存取存储器)每隔一段时间就需要刷新充电一次，否则内部数据就会消失，所以SRAM性能高，但也有它的缺点，就是集成度低，同样容量的DRAM存储器可以设计得更小，但SRAM需要体积大，功耗大。所以主板上的SRAM内存占用了一部分面积。
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PRAM是韩国三星推出的内存。与普通的DRAM和闪存相比，PRAM具有速度快、功耗低的特点。如果发展顺利，预计从2007年开始，PRAM将逐渐取代flash存储器，成为下一代存储器产品的主导力量。
PRAM存储器可以在芯片电源中断时保存数据，其工作原理与普通闪存相同。不过PRAM写数据的速度比闪存块快30倍，生命周期至少会长十倍。
ITRI可能不是第一个销售PRAM内存产品的厂商。全球最大的芯片厂商三星去年发布了512MB的新内存原型机，预计明年初上市。但ITRI的其他公司可能会以更大的内存容量和不同的功能击败三星。
其他芯片制造商也在积极开发相变存储器，包括英特尔、IBM、奇梦达、意法半导体、海力士半导体和Ovonyx。
台积电和ITRI也在开发磁性随机存取存储器技术(MRAM)，双方已获得40多项相关专利。台积电可能在明年年底或2009年初向客户出售MRAM。
新芯片采用“垂直电极”和“3D晶体管结构”来缩小芯片尺寸，同时在写入新数据时，不必先覆盖旧数据。着眼于三星最近公布的32GB NAND内存仍然属于40 nm工艺，从长远来看，PRAM也将比NAND节省更多的成本。
IBM与几家内存模块制造商合作，包括奇梦达股份公司和台湾省的Macronix国际公司，并在非易失性存储器方面取得了长足的进展。
PRAM(相变RAM)，一个可能取代闪存(未来将用于取代传统硬盘)的男人，不仅在三星的大本营悄然蛰伏，以IBM为首的研究团队也干脆把三星之前公布的30x读写速度压了下去。一举推到500x ~ 1000x，功耗只有一半，使用寿命(重复写入次数)大幅延长(相比普通闪存)。IBM依然强大，从硬盘到PRAM，IBM一路唱主角。