台积电能制造光量子芯片吗？

自从芯片“断粮”后，国内各大公司和研究机构都对芯片产生了浓厚的兴趣。在政府的支持下，国内研究机构已经表示将把重点放在光刻机的R&D上。

据官方媒体报道，国内首条光子芯片生产线将于2023年建成投产。光子芯片的速度比传统芯片快很多。再加上电阻率的优势，制造出来的光子芯片可以比传统芯片快1000倍，功率只有传统电子芯片的九十分之一。但目前的技术已经可以生产出5纳米、4纳米以上的电子芯片，光子芯片使用的材料有第二代InP、GaAS等。，具有更好的性能和更低的生产成本，是新一代半导体技术的理想选择。

华为在量子技术上取得了突破。

去年11月，华为公布了一项名为“超导量子芯片”的专利。简而言之，这项专利最大的作用就是减少量子位之间的干扰，提高运算的精度和速度。众所周知，量子芯片与常规电子芯片有很大不同。它的制造工艺是在衬底上集成量子电路，通过物理“纠缠”和“叠加”，大大提高芯片的运算速度。据说，在一些关键的计算过程中，集成了量子芯片的计算设备可以比传统的计算设备快上千倍。至于超导量子芯片，可以直接绕过阿斯麦的光刻机，利用现有技术进行大规模生产。

微米绕过EUV掩模对准器。

不能忽视的是，国外一些大公司也在试图攻克半导体的核心技术！美国存储芯片巨头美光(Micron)近日宣布，一款基于1beta生产工艺的Dram存储芯片已经在部分手机厂商和芯片平台进行测试，并已投入生产。

所谓1beta工艺，就是通过美光的专利技术、先进材料和先进工艺，将EUV光刻机转换为DUV光刻机，性能提升15%，存储密度提升35%，最大传输速度提升8.5G