孙俊的个人成就
1，，，孔永发，，刘，，，徐。近化学计量比铌酸锂晶体的制备技术。
授权专利。专利号:ZL 20041 0019732.1授权日期:2006 11。
2.、孔永发、、许、颜、、刘、、、陈少林、李剑涛。熔体注射法生长近化学计量比铌酸锂晶体系统及其工艺。
授权专利。专利号:ZL 20041 0019454.x
3.2003年天津市科委鉴定成果，光学级铌酸锂晶体，成果登记号:20032074，第三名。
授权专利。专利号:ZL 20041 0019732.1授权日期:2006 11。
2.、孔永发、、许、颜、、刘、、、陈少林、李剑涛。熔体注射法生长近化学计量比铌酸锂晶体系统及其工艺。
授权专利。专利号:ZL 20041 0019454.x
3.2003年天津市科委鉴定成果，光学级铌酸锂晶体，成果登记号:20032074，第三名。