褚惠龙的研究领域

奖项和荣誉:2007年IBM四大领先发明人之一；主发明人)；2008年IBM半导体研发中心；两项专利获得IBM杰出专利奖；获得IBM发明成就奖51次。代表作品:1) H .朱等，“利用双应力衬层溅射顶面提高高性能65 nm芯片成品率”，VLSI 2007，pp180-181 2) H .朱等，“反向晕圈注入控制MOSFETs短沟道效应”IEEE电子器件，，第28卷，第2期，第168-170页，2007年.3)H. Zhu，“利用金刚石晶格和Si1-xGex中的空位机制对杂质扩散进行建模”，电化学学会论文集2004-07卷，第923-934页4) H. Zhu等人，“使用薄栅极增强CMOS器件沟道中应力的结构和方法”，美国专利申请号:US 20060160317a 15)6) H.S. Yang和H. Zhu，“用于增加晶体管沟道中应变效应的方法和装置”，美国专利:US7118999和US7462915 7) K. Lee和H. Zhu，“用于减缓衬底中掺杂剂增强的扩散和由其制造的器件的方法”，美国专利:US7163867 8) B. Doris等人，“使用不同种类增强nFET和pFET性能的结构和方法”玛格。列特。73，第1号，(1996): 27-33。10) H .朱等，“β-NiAl中10 keV级联的分子动力学模拟，哲学杂志A 71 735-758，1 995承担科研项目:目前担任国家重大科技专项“VLSI制造装备及成套工艺”项目“22nm关键工艺技术中试研究及平台建设”首席科学家。