MB在电脑里是什么意思？
FPM记忆
FPM是快速页面模式的缩写，是早期个人电脑常用的内存。它每三个时钟周期传输一次数据。已经被淘汰了。
扩展数据输出
EDO是扩展数据输出的缩写。它取消了主板和内存两个存储周期的时间间隔，每两个时钟周期传输一次数据，大大缩短了访问时间，访问速度提高了30%至60ns。EDO内存主要用于72线SIMM内存条和带EDO内存条的PCI显卡。这种内存在486和早期的奔腾计算机系统中很流行。分为72线和168线。它的工作电压为5V，带宽为32位。必须成对使用两行或四行。可以用在Intel 430FX/430VX甚至430TX芯片组的主板上。目前也已经被淘汰，只能在一些老机器上看到。
同步动态随机存取存储器
SDRAM是同步动态随机存取存储器(synchronous dynamic random access memory)的缩写，是前几年广泛使用的一种存储器形式。SDRAM使用3.3v的工作电压和64位的带宽。SDRAM通过同一个时钟把CPU和RAM锁在一起，让RAM和CPU享受一个时钟周期，以相同的速度同步工作，可以比EDO内存快50%。SDRAM基于双存储体结构，包含两个交错的存储阵列。当CPU从一个存储体或阵列中访问数据时，另一个准备好读写数据。通过紧密切换这两个存储器阵列，读取效率可以提高一倍。SDRAM不仅作为主存储器，还广泛应用于显卡上的显存。SDRAM曾经是长期使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM正逐渐退出主流市场。
RDRAM存储器
RDRAM是Rambus动态随机存取存储器的缩写，是Rambus公司开发的一种具有系统带宽和片间接口设计的存储器。它可以在很高的频率范围内通过简单的总线传输数据，同时在高速同步时钟脉冲的两个边沿使用低压信号传输数据。一开始是Intel 820芯片组支持RDRAM，后来有了840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了Intel的大力支持，但由于其高昂的价格和Rambus的专利授权限制，一直未能成为市场的主流，其地位很快被相对便宜且同样性能优异的DDR SDRAM所取代，市场份额很小。
DDR SDRAM存储器
DDR2的定义:
DDR2(双倍数据速率2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)开发的新一代存储器技术标准。DDR2与上一代内存技术标准最大的区别在于，虽然在时钟上升/下降延迟的同时采用了数据传输的基本方式，但DDR 2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍(即4-4bit数据读取和预取)。换句话说，DDR2存储器可以以4倍于外部总线的速度读/写数据，并以4倍于内部控制总线的速度运行。
DDR2和DDR的区别:
1，延迟问题:
从上表可以看出，在相同的核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这是因为DDR2内存的4-4位预读能力是标准DDR内存的两倍。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，采用了时钟上升和下降延时同时传输数据的基本方法，但DDR2却拥有两倍的预读系统命令数据的能力。也就是说，同样的工作频率100MHz下，DDR的实际频率是200MHz，而DDR2可以达到400MHz。
于是又出现了一个问题:在工作频率相同的DDR和DDR2存储器中，后者的存储延迟要比前者慢。例如，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有两倍的带宽。其实DDR2-400和DDR400的带宽是一样的，都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR 400。
2、包装和热值:
DDR2内存技术最大的突破不在于用户认为是DDR两倍的传输容量，而是在发热量更低、功耗更低的情况下，DDR2可以实现更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ极限。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装，可以在200MHz下很好的工作。频率较高时，其长管脚会产生高阻抗和寄生电容，影响其稳定性和频率提升的难度。这也是DDR核心频率难以突破275MHZ的原因。DDR2记忆被包装在FBGA。与目前广泛使用的TSOP封装不同，FBGA封装提供了更好的电气性能和散热，为DDR2存储器的稳定工作和未来的频率发展提供了良好的保障。
DDR2存储器的电压为1.8V，远低于DDR标准的2.5V，从而提供明显更小的功耗和发热。这一变化意义重大。
DDR2采用的新技术:
除了上述差异，DDR2还引入了三项新技术，即OCD、ODT和Post CAS。
OCD(片外驱动):所谓离线驱动调整，DDR II可以通过OCD提高信号完整性。DDR II通过调整上拉)/下拉电阻值使两个电压相等。OCD用于通过减小DQ-DQS倾角来提高信号完整性；通过控制电压改善信号质量。
ODT:ODT是内置核心的终端电阻。我们知道使用DDR SDRAM的主板需要很多端接电阻来防止数据线端反射信号。大大增加了主板的制造成本。事实上，不同的内存模块对端接电路有不同的要求。终端电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率。如果端接电阻小，则数据线的信号反射低，但信噪比也低。当端接电阻较高时，数据线的信噪比较高，但信号反射也会增加。所以主板上的端接电阻并不能很好的匹配内存条，也会在一定程度上影响信号质量。DDR2可以根据自身特点构建合适的端接电阻，保证最佳的信号波形。使用DDR2不仅可以降低主板成本，还可以获得最好的信号质量，这是DDR无法比拟的。
Post CAS:旨在提高DDR II内存的利用效率。在后CAS操作中，CAS信号(读/写/命令)可以在RAS信号之后插入到时钟周期中，并且CAS命令可以在额外的等待时间之后保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和delay)换成al(加性延迟)，可以设置在0，1，2，3，4。由于CAS信号比RAS信号晚一个时钟周期，ACT和CAS信号永远不会冲突。
总的来说，DDR2采用了许多新技术，改进了DDR的许多缺点。虽然目前存在成本高、性能慢等诸多缺点，但相信随着技术的不断改进和完善，这些问题终将得到解决。
DDR SDRAM是双倍数据速率同步动态随机存取存储器的缩写，是威盛等公司为与RDRAM竞争而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新产品，使用2.5v的工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样SDRAM的速度可以提高一倍，而不增加时钟频率，传输速率和内存带宽是SDRAM的两倍。比如与PC 133 SDRAM相比，工作频率也是133MHz，但内存带宽达到2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流芯片组都支持DDR SDRAM，这是最常用的内存类型。
DDR2记忆
ECC不是一种内存类型。ECC(纠错编码或检错纠错)是一种具有自动纠错功能的存储器。Intel的82430HX芯片组开始支持。使用这种芯片组的主板可以安装和使用ECC内存。但由于ECC内存成本较高，主要应用于对系统运行可靠性要求较高的商用计算机，如服务器/工作站等。其实内存错误并不经常发生，普通主板也不支持ECC内存，所以普通家用和办公电脑都不需要使用ECC内存。