蒋大川详细资料全集

基本介绍中文名:蒋大川国籍:中国毕业院校:大连理工大学学位/学历:博士工作经历、教育经历、研究领域、代表论文、工作成果、工作经历:2014.06-至今大连理工大学材料科学与工程学院讲师:2012.06-2014.06博士后教育经历:2006.09-2012.06电子束熔炼制备太阳能级多晶硅技术研究:多晶硅定向提纯技术的研究:硕士研究方向:太阳能级多晶硅冶金制造；太阳能级多晶硅材料的再生制造:代表论文1。蒋大川，任世强，双石，魏东，邱杰山，，李嘉言:真空精炼和定向凝固技术去除硅中的磷，电子材料学报，48(2)(2014)314-319。2.，张磊，，蒋大川，，李亚琼:用钙铝硅氟渣从多晶硅中除硼的研究，真空，103 (2014) 33-37。M. Noor ul Huda Khan Asghar，，史爽，蒋大川，秦世强，焦辽，温树涛，魏东，:用电子束熔化法从硅中去除氧，应用物理学A，115(3)(2014)753-757。4.，任世强，双石，温树涛，江大川，魏东，明记，孙世海:真空感应熔炼定向凝固法去除多晶硅中铝和钙，真空，99 (2014) 272-276 .5.、秦世强、温书涛、、双石、蒋大川、庞大宇:电子束注入硅中除硼的新方法，半导体加工中的材料科学，18 (2014) 42-45。6.蒋大川，双石，，庞大宇，魏东:铝在电子束熔炼硅锭中的分布研究，真空，96 (2013) 27-31。7.覃逸，双石，，蒋大川，魏东，任世强:冷却速度对电子束熔炼硅锭凝固的影响，真空，89(2013)12-16。8.，舒涛文，双石，蒋大川，魏东，:电子束熔炼提纯硅工艺参数优化的数值模拟，真空，95 (2013) 18-24。9.史爽，魏东，，蒋大川，:电子束熔炼过程中硅熔体表面磷的蒸发和去除机理，应用表面科学，266(3) (2013) 344-349。10.舒涛文，，双石，魏东，蒋大川，焦辽，:电子束熔炼过程中硅和铜坩埚表面的接触热阻，国际热科学，74 (2013) 37-43。11.覃逸，，双时，魏东，蒋大川:电子束熔炼除硅过程的研究，真空，93 (2013) 65-70。12.蒋大川，，双石，魏东，郑谷，邹瑞勋:电子束蜡烛熔炼法去除硅熔体中的磷，材料通讯，78 (2012) 4-7。13.蒋大川，，双石，魏东，郑谷，:电子束蜡烛熔炼法去除太阳能电池用定向凝固硅中的蒸发金属铝和钙，真空，86(10)(2012)1417-1422。14.蒋大川，，双石，，魏东，郑谷，邹瑞勋:电子束烛熔法去除硅熔体中磷的新方法研究，材料研究创新，15(6)(2011)406-409。15.徐鹏，魏东，，蒋大川:用电子束熔炼法去除冶金级硅中的铝，真空，86(4)(2011)471-475。16.王蔷，魏东，，蒋大川，张聪，:冶金级硅在电子束熔炼过程中杂质的蒸发，稀有金属，30(3) (2011) 274-277。工作成果项目:1。国家自然科学基金青年基金项目负责人“多晶硅定向凝固反向诱导弹簧效应研究”2。中国博士后科学基金项目负责人“多晶硅定向提纯反向诱导弹簧技术研究”3。国家科技支撑计划“冶金法制备太阳能级多晶硅关键技术研究及产业化示范”参与人员4名。国家自然科学基金联合项目“冶金法制备太阳能级多晶硅中真空精炼的研究”国家参与者5。国家自然科学基金项目“多晶硅Si的电子束注入SiO2 _ 2界面杂质硼迁移影响的研究”参赛人员获奖情况:1.2013 65438+2月辽宁省科技发明奖电子束制备太阳能多晶硅材料技术及应用二等奖2.2012 1.65438大连市科技发明奖电子束制备太阳能多晶硅一等奖。技术和专利申请:1。* *婷、蒋大川、、任世强、、石爽。一种底部补偿硼元素的多晶硅铸锭工艺，申请号:CN 201410123650.52。覃逸。江大川。一种硼均匀分布的多晶硅铸锭工艺，申请号:CN 201410123795.53。蒋大川，任世强，史爽，覃逸，邱洁珊。高纯空心硅材料和多晶硅锭的真空固液分离方法及设备。申请号:CN201310209897.4 4。蒋大川，任世强，石爽，* * *婷，。一种多晶硅的快速凝固方法，申请号:CN201310533033.8 5。覃逸。申请号:cn 201310210007.16。覃逸、蒋大川、石爽、文树涛、邹瑞勋。一种电子束熔炼坩埚的辐射拦截装置，申请号:CN201365438。* * * Ting。一种多晶硅反向凝固的装置及方法，申请号:CN201310530845.7 8。李嘉言、覃逸、李亚琼、蒋大川、王登科、章雷。多晶硅介质熔炼除硼造渣剂及其使用方法，申请号:CN 2065438。李嘉言、王登科、章雷、蒋大川、李亚琼。一种用于多晶硅介质熔炼除硼的造渣剂及其使用方法，申请号:CN 201310337756.0 10。覃逸，史爽，任世强，蒋大川。多晶硅锭的真空固液分离。申请号:cn 201310210006.7 11。覃逸、李嘉言、章雷、李亚琼、王登科、蒋大川。一种熔化多晶硅介质的造渣剂及其使用方法，申请号:cn 201310337930.12。、蒋大川、石爽、廖蛟、石。一种电子束熔炼制备钨电极材料的方法，申请号:CN20121058。郭小亮。一种电子束诱导定向凝固去除杂质的方法，申请号:CN 201210289971.3 14。、石爽、尤小刚、蒋大川、石。一种稀土钨电极材料的制备方法，申请号:cn 201210576414 . x 15。、刘应宽、盛、、石爽、刘震元、董伟、蒋大川。一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法及设备，申请号:cn 201110220767.116。覃逸、蒋大川、董伟、郭小亮、郑谷、庞大宇、史爽。真空感应熔炼去除硅粉中磷和金属杂质的方法及设备，专利号:ZL 201110033792.9 17。覃逸、蒋大川、董伟、郑谷、徐鹏。一种从工业硅中去除硼的方法，专利号:ZL 201010242656。蒋大川，邹瑞勋，董伟。一种用电子束注入去除多晶硅中硼杂质的方法，专利号:ZL 201010242065.9 19。覃逸、邹瑞勋、郑谷、董伟、蒋大川。一种电子束梯度熔化提纯方法。专利号:ZL 201010247815.1 20。覃逸，董伟，江大川，李国斌。局部蒸发去除多晶硅中硼的方法及装置，专利号:ZL 200910220058.6 21+。江大川。连续熔炼去除多晶硅中磷和硼的方法及装置，专利号:ZL200910220059.0 22。覃逸、蒋大川、李国斌、徐福民、刘燕娇、胡祖琪。一种化学冶金提纯多晶硅的方法，专利号:ZL 200810065438。李国斌，江大川，张聪。一种去除多晶硅中杂质磷的方法及装置，专利号:ZL 200810011949.624。覃逸、李国斌、蒋大川、徐福民、王强。去除多晶硅中杂质磷和金属杂质的方法及装置，专利号:ZL 2000。