LED照明研发需要什么技术？

1，金属膜反射技术

透明基板工艺最早源于美国惠普、Lumileds等公司，金属膜反射法主要由日本和台湾省厂商研发。这种工艺不仅避免了透明基板的专利，而且更有利于量产。

其效果可以说是类似于透明基板法。这个过程通常称为MB过程。首先去除GaAs衬底，然后在其表面和Si衬底表面同时蒸镀Al金属膜，然后在一定的温度和压力下焊接在一起。

这样，从发光层照射到衬底的光被Al金属膜反射到芯片的表面，使得器件的发光效率提高了2.5倍以上。

2.表面微结构技术

表面微结构工艺是提高器件发光效率的另一种有效技术。该技术的基本点是在芯片表面刻蚀出大量光波长大小的小结构，每个结构呈截顶四面体形状，不仅扩大了发光面积，还改变了光在芯片表面的折射方向，从而明显提高了透光效率。

扩展数据:

其他技术要求

1，倒装芯片技术

利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长GaN基LED结构层，从P/N结发光区发出的光通过上P型区发射。由于P型GaN导电性差，为了获得良好的电流扩展，需要通过蒸发技术在P区表面形成由Ni-Au组成的金属电极层。

p区引线通过该金属膜引出。为了获得良好的电流扩散，Ni-Au金属电极层不应该太薄。因此器件的发光效率会受到很大影响，通常需要兼顾电流扩展和光提取效率。

2.芯片键合技术

光电器件对所需材料的性能有一定的要求，通常要求带宽差大，材料的折射率变化大。不幸的是，一般没有天然的这种材料。

通常，所需的带宽差和折射率差不能通过同质外延生长技术形成。而普通的异质外延技术，如硅片上外延GaAs和InP，不仅成本高，而且结的位错密度非常高，很难形成高质量的光电集成器件。