内存中封装的粒子有什么区别？
告诉LZ内存的封装形式:
双列直插式组件
70年代芯片封装基本是DIP(Dual ln-line Package)，适合PCB(印刷电路板)穿孔安装，布线和操作方便。DIP封装有多种结构形式，包括多层陶瓷DIP、单层陶瓷DIP、引线框架DIP等。但是DIP封装的封装效率很低，芯片面积与封装面积之比为1: 1.86，所以封装出来的产品面积更大，记忆棒的PCB板面积是固定的。封装面积越大，内存中安装的芯片越少，内存条容量越小。同时，较大的封装面积对存储频率、传输速率和电性能的提高都有影响。在理想状态下，芯片面积与封装面积之比1: 1会是最好的，但除非不进行封装，否则无法达到。但是随着封装技术的发展，这个比例越来越接近，现在出现了1: 1.14的内存封装技术。
薄型小外形封装
20世纪80年代，第二代存储器封装技术TSOP出现并得到业界的广泛认可，至今仍是存储器封装的主流技术。TSOP是“薄小轮廓包”的缩写，意思是又薄又小的包。TSOP存储器由芯片周围的引脚组成，并通过SMT技术直接附着在PCB表面。TSOP封装在整体尺寸时，寄生参数(电流变化较大时会引起输出电压扰动)减小，适合高频应用，操作方便，可靠性高。同时，TSOP包装具有产量高、价格低的优点，因此得到了广泛的应用。
在TSOP封装模式下，存储器芯片通过芯片引脚焊接到PCB上，焊点与PCB的接触面积较小，芯片向PCB传热相对困难。而且TSOP封装中的内存超过150MHz时，会造成很大的信号干扰和电磁干扰。
球栅阵列封装
90年代，随着技术的发展，芯片的集成度不断提高，I/O引脚数量急剧增加，功耗也随之增加，因此对集成电路封装的要求也更加严格。为了适应发展的需要，BGA封装已经应用到生产中。BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
BGA技术封装的存储器，在体积不变的情况下，可以增加2到3倍的存储容量。与TSOP相比，BGA具有更小的体积、更好的散热性能和电气性能。BGA封装技术大大提高了每平方英寸的存储容量，采用BGA封装技术的存储器产品在同等容量下只有TSOP封装的三分之一。此外，与传统的TSOP封装方法相比，BGA封装方法具有更快、更有效的散热方式。
BGA封装的I/O端子以阵列中圆形或柱状焊点的形式分布在封装下方。BGA技术的优势在于，虽然I/O引脚的数量增加了，但引脚间距没有减小，从而提高了组装成品率。虽然功耗增加，但BGA可以采用可控崩片法焊接，提高其电热性能。厚度和重量比以前的封装技术降低；寄生参数降低，信号传输延迟小，使用频率大大提高；* * *可采用表面焊接组装，可靠性高。
说到BGA封装，就不能不提到Kingmax公司的TinyBGA专利技术。TinyBGA英文叫Tiny Ball Grid Array，属于BGA封装技术的一个分支，由Kingmax公司于1998年8月研制成功。芯片面积与封装面积之比不小于1:1.14，在体积不变的情况下，可以增加2-3倍的存储容量。与TSOP封装产品相比，体积更小，散热性能和电气性能更好。
采用TinyBGA封装技术的内存产品在相同容量下仅为TSOP封装的1/3。TSOP封装存储器的引脚从芯片外围引出，TinyBGA从芯片中心引出。这种方法有效地缩短了信号的传输距离，信号传输线的长度仅为传统TSOP技术的1/4，因此信号衰减也减小了。这不仅大大提高了芯片的抗干扰和抗噪声性能，还提高了电气性能。TinyBGA封装芯片可以抵抗高达300MHz的外部频率，而传统的TSOP封装技术只能抵抗高达150MHz的外部频率。
TinyBGA封装的内存更薄(封装高度小于0.8mm)，金属基板到散热器的有效散热路径只有0.36 mm..因此TinyBGA存储器具有更高的导热效率，非常适合长期运行的系统，稳定性极佳。
芯片级封装
CSP(芯片级封装)是指芯片级封装。CSP封装是最新一代的存储芯片封装技术，技术性能得到了提升。CSP封装可以使芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，相当接近1:1的理想情况，绝对尺寸仅为32平方毫米，约为普通BGA的1/3，仅为TSOP存储芯片面积的65438+。与BGA封装相比，在相同的空间内，CSP封装可以增加3倍的存储容量。
CSP封装的内存不仅体积小，而且更薄。从金属基板到散热器的最有效散热路径仅为0.2 mm，大大提高了存储芯片长期运行后的可靠性，显著降低了线路阻抗，大大提高了芯片速度。
CSP封装存储芯片的中心引脚形式有效缩短了信号传输距离，降低了其衰减，大大提高了芯片的抗干扰和抗噪声性能，这也使CSP的访问时间比BGA提高了15%-20%。在CSP封装模式下，内存颗粒通过焊球焊接在PCB上。由于焊点与PCB的接触面积大，内存芯片在工作时产生的热量很容易传导到PCB并散发出去。CSP封装可以从背面散热，热效率好。CSP的热阻为35℃/W，而TSOP的热阻为40℃/w
在大众的记忆中，DDR1是在TSOP和DDR2用BGA封装的。对于DDR3，有一些新的功能，所以管脚会增加。8位芯片采用78球FBGA封装，16位芯片采用96球FBGA封装，DDR2采用60/68/84球FBGA封装。而且DDR3必须是绿色包装，不能含有任何有害物质！