时宇的半导体设备怎么样？

一、氧化/扩散炉(高温炉)

在芯片的制造过程中，通过氧化在硅片表面生长一层氧化层，通过在氧化层上刻写和刻蚀使硅衬底扩散掺杂，激活硅片的半导体特性，从而形成有效的PN结。

第二，光刻设备

光刻的本质是将电路结构图复制到硅片上的光刻胶上，方便之后的刻蚀和离子注入。自集成电路诞生以来，光刻技术就被视为集成电路制造技术发展的推动力。

第三，涂布和显影设备

涂胶显影设备是光刻工艺中与光刻机配套的涂胶、烘烤和显影设备，包括涂胶机、喷胶机和显影机。该设备不仅直接影响光刻工艺中精细曝光图形的形成，而且对后续刻蚀和离子注入工艺中图形转移的结果也有深远的影响。

四。蚀刻设备

刻蚀是指选择性去除硅片上未被光刻胶掩蔽的部分，从而将预定图案转移到硅片的材料层上的步骤。

动词（verb的缩写）离子注入设备

一般来说，本征硅(即没有杂质的原始硅单晶)的导电性很差。只有在硅中加入少量杂质，改变其结构和导电性，硅才成为真正有用的半导体。

六、薄膜沉积设备

1，PVD设备

2.化学气相沉积设备

七、CMP设备

CMP(化学机械抛光)工艺是指抛光机的抛光头夹持硅片，相对于抛光垫高速运动，抛光液在硅片和抛光点之间不断流动，抛光液中的氧化剂不断接触硅片的暴露表面，产生氧化膜，然后通过抛光液中颗粒的机械抛光去除氧化膜。