晶体管的hEF是什么意思？

半导体分立器件一般指半导体二极管、二极管和特种半导体器件。

特征参数:(二极管)

If正向DC电流:定义为在低阻方向流过二极管的电流，对于整流管，定义为在规定的使用条件下，带阻性负载的正向半波整流电路中允许连续通过的最大工作电流的平均值，对于硅开关管，定义为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

Ifm正向峰值电流:定义为额定功率下允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

Vf直接压降:定义为二极管通过额定电流时的平均压降。

最大反向工作电压:对于硅整流器，为击穿电压的2/3，对于硅堆，规定为正向旋转半波阻性负载电路正常工作时增加的最大反向峰值电压。对于锗探测管，硅开关管定义为反向电流在电极间产生的电压值。

击穿电压:对于软击穿，如锗探测器、开关管，是指给定反向电流的极间电压值，对于硬击穿整流开关管，是指反向特性曲线急剧转折的电压峰值。

特性参数:(三极管)

HFE***发射极DC放大系数:当集电极电压和电流为规定值时，Ic与Ib的比值。

Fhfe***发射极截止频率:定义为hfe降至1khz时的频率0.707(即3db)。

F0特征频率:当频率足够高时，hfe会以每频段6db的速度下降，ft定义为hfe=1的频率。

Icbo的发射极开路时的集电极电流，集电极和基极之间的电压为规定值。当Iceo的基极开路并且集电极和发射极之间的电压为规定值时的集电极电流。ICM集电极的最大允许电流。

PCM集电器的最大允许耗散功率。VCBO发射极开路，集电极和基极击穿电压。VCEO基极开路，集电极和发射极击穿电压。VEBO集电极开路，发射机，基极击穿电压。

晶体管的温度特性:

对于二极管，当正向电流一定时，正向压降随着温度的升高而降低。室温下温度升高1C，正向压降降低2-2.5mv，反向漏电流随温度呈指数变化，温度升高1C，锗管增加10%，硅管增加7%。

对于三极管，受温度影响最大的参数有:VBE，ICBO，HFE。

其中VBE以-(2-2.5)mv/℃温度升高65438±0C，HEF增加约2%。简而言之，当温度升高时，集电极电流会增加。

半导体分立器件的命名方法:

GB 1的命名方法:(引自GB249-74，1975)半导体器件由五部分组成。

第一部分:装置的电极数量用数字表示。2、二极管。3、三极管。

第二部分:用汉语拼音表示器件的材料极性。二极管:A，N锗材料，B，P锗材料，C，N硅材料，D，P硅材料，三极管:A，PNP锗材料，B，NPN锗材料，C，PNP硅材料，D，NPN硅材料，e，化合物材料。

第三部分:用汉语拼音表示设备的种类。p普通管、V微波管、W稳压管、C参数管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、N阻尼管、U光电管、X低频小功率、G高频小功率、D低频大功率、A高频大功率、T体效应管、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、BT半导体专用器件、FH复合管、PIN。

第四部分:设备的序列号用数字表示。第五部分:用汉语拼音表示规格号。

日本半导体器件的命名方法:

第一部分:器件的电极数用数字表示，0，光电池，1二极管，2三极管。。。

第二部分:S:在JEIA注册的标志。

第三部分:用字母表示材料种类:A、PNP高频、B、PNP低频、C、NPN高频、D、NPN低频、F、P栅晶闸管、G、N栅晶闸管、H、N基区单结晶体管、J、P沟道场效应晶体管、K、N沟道场效应晶体管、M、双向晶闸管。

第四部分:该装置在JEIA的注册号具有相同的性能，但不同厂家的产品可以使用相同的号码。

第五部分:A、B、C，说明这个模型是原模型的改进模型。除上述基本符号外，有时还会附加一些后缀，如:m:表示该装置符合日本海上自卫队总参谋部的相关标准。n，(加圈)符合日本放送协会标准。h，(加圈)表示日立通信，K，(加圈)表示日立通信，Z，(加圈)表示松下通信，(加圈)表示东芝通信，(加圈)表示三洋通信。后缀的第二个字母通常表示HEF分级标志。

美国半导体器件的命名方法:

美国半导体器件的命名比较混乱。介绍了美国电子工业协会(EIA)规定的晶体管分立器件命名方法。

第一部分:用符号表示用途和类别，JAN，或J军事。无，民用。

第二部分:PN结的个数用数字表示，1，二极管，2，三极管。。。。

第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志

第四部分:美国电子工业协会(EIA)注册号。

第五部分:同一型号不同等级的A、B、C…

美国半导体器件的命名特点:

1除了前缀，所有以1N、2N、3N开头的器件，大多是美国制造或美国专利。

第四部分只是注册序列号，没有其他含义，所以相邻号的参数可能差别较大。

3.不同厂家生产性能相同的设备使用同一个注册号，所以可以通用。

欧洲半导体分立器件的命名方法:

目前欧洲国家还没有明确统一的型号命名方法，但大部分欧洲国家普遍使用国际电子联合会命名的导体分立器件标准版。

第一部分:用字母表示的材料:A锗材料，B硅材料，C砷化钾，D锑化铟，R复合材料。

第二部分:用字母表示类型。a检测器开关及混频二极管、B变容二极管、C低频小功率晶体管、D低频大功率晶体管、E隧道二极管、F高频小功率晶体管、H磁敏二极管、K开路磁路霍尔元件、M密封磁路霍尔元件、P光敏器件、Q发光器件、R小功率晶闸管、T大功率晶闸管、U大功率开关管、X倍增二极管、Y整流二极管、Z齐纳二极管、L高频大功率管。

第三部分:通用半导体器件注册编号。

第四部分:同型号装置的分类标志。

晶体管替代的基本原则:

同类型:包含以下三点。

1的材料是一样的，就是硅管代替硅管，锗管代替锗管。

2极性相同，即NPN代替NPN管。

3同类，就是把通用三极管换成了通用三极管。场效应管取代场效应管。

特性相似:替代管主要参数与原管相似，通用三极管只要以下主要参数相似即可替代，PCM，ICM，VCEO，F0。在上述参数中，替代管的参数应被认为大于或等于原管的参数。对于特殊用途的三极管，应考虑其他参数，如低噪声三极管。

外观相似:小功率管外观相似，只要各电极极性明确，就可以更换，而大功率管外观差异较大，最好选择与原封装相同的管，以满足和接近原散热条件。