目前，用于直拉单晶硅的应时坩埚有助于采用钡涂层，但是涂层的氧含量由于与熔融硅反应而增加。怎么解决？

首先，氧的主要来源是熔融硅和应时坩埚之间的反应。99%的氧气挥发，65，438+0%随着单晶的生长进入硅棒，所以与镀膜与否无关，除非不使用坩埚，但这是不可能的。

其次，涂层具有提高结晶速率的作用，这不仅增加成本，而且不现实。

第三，氧还原过程可以通过其他过程解决。目前对于有实力的单晶硅企业来说，氧控制在0.8E17以内的工艺是非常容易的。

此外，还可以透露一个信息。目前某大型企业正在研发一种新的涂料，因为钡涂层工艺是国外专利，而中国人是侵权的。