到目前为止，CPU和内存的最新技术是什么？
OPGA(有机针栅阵列)。这种封装的基板由玻璃纤维制成，类似于印刷电路板上的材料。这种封装方法可以降低阻抗和封装成本。OPGA封装缩短了外部电容与处理器内核之间的距离，可以更好地提高内核的供电能力，过滤电流杂波。AMD的AthlonXP系列CPU大多采用这种封装。
MPGA封装
MPGA，微型PGA封装，目前只有AMD的Athlon 64、Intel的Xeon系列CPU等少数产品采用，大部分都是高端产品，是一种高级封装形式。
CPGA套餐
CPGA又称陶瓷封装，被称为陶瓷PGA。主要用在搭载雷鸟核心和Palomino核心的Athlon处理器上。
FC-PGA封装
FC-PGA封装是倒装芯片引脚栅格阵列的缩写，其中引脚插入插座。这些芯片被倒置，使得构成计算机芯片的管芯或处理器部分暴露在处理器的上部。通过暴露管芯，热解决方案可以直接应用于管芯，从而可以实现更有效的芯片冷却。为了通过隔离电源信号和接地信号来提高封装的性能，FC- PGA处理器在处理器底部的电容放置区域(处理器中心)配备了分立电容和电阻。芯片底部的引脚以锯齿形排列。此外，针脚的排列允许处理器只能以一种方式插入插座。FC-PGA封装用于奔腾III和英特尔赛扬处理器，这两种处理器都使用370针。
FC-PGA2封装
FC-PGA2封装类似于FC-PGA封装，只是这些处理器还集成了一个散热器(IHS)。集成散热器在生产过程中直接安装在处理器芯片上。因为IHS与芯片有良好的热接触，并提供更大的表面积来更好地散热，所以它显著增加了热传导。FC-PGA2封装用于奔腾III和英特尔赛扬处理器(370针)以及奔腾4处理器(478针)。
OOI套餐
OOI是奥尔加的简称。OLGA代表基底网格阵列。OLGA芯片还采用了倒装芯片设计，处理器向下贴在基板上，实现了更好的信号完整性、更有效的散热和更低的自感。OOI有一个集成的导热器(IHS ),可以帮助散热器将热量传递到正确安装的风扇散热器。OOI用于奔腾4处理器，它有423个针脚。
PPGA套餐
“PPGA”英文叫“塑料针栅阵列”，是塑料针栅阵列的缩写。这些处理器有插入插座的针脚。为了提高导热性，PPGA在处理器顶部使用了镀镍的铜散热器。芯片底部的引脚以锯齿形排列。此外，针脚的排列允许处理器只能以一种方式插入插座。
南成套设备
“S.E.C.C”是“单边接触墨盒”的缩写，是单面接触墨盒的缩写。为了与主板连接，处理器被插入插槽。它使用“金手指”触点而不是引脚，处理器使用这些触点来传输信号。S.E.C.C由金属壳覆盖，金属壳覆盖整个筒组件的顶部。卡盒背面是一层热材料涂层，起到散热器的作用。在S.E.C.C内部，大多数处理器都有一个称为矩阵的印刷电路板，用来连接处理器、二级高速缓存和总线终端电路。S.E.C.C封装用于具有242个触点的英特尔奔腾II处理器以及具有330个触点的奔腾II至强和奔腾III至强处理器。
南ECC C2包
S.E.C.C.2封装与S . e . c . c . c .封装相似，只是S . e . c . c . c . 2使用较少的保护性封装，并且不含导热涂层。S.E.C.C.2封装用于奔腾II处理器和奔腾III处理器的一些较新版本(242触点)。
南环境保护包
“S.E.P”是“单边处理器”的缩写，是单边处理器的缩写。“S.E.P”封装类似于“S.E.C.C”或“S.E.C.C.2”封装，也是一侧插入插槽，用金手指接触插槽，但没有全封装外壳，从处理器底部可以看到背板电路。“S.E.P”封装应用于具有242个金手指的早期英特尔赛扬处理器。
PLGA套餐
PLGA是塑料焊盘栅格阵列的缩写，即塑料焊盘栅格阵列封装。由于采用了微小的点接口代替引脚，PLGA封装相比之前的FC-PGA2封装，体积明显更小，信号传输损耗更少，生产成本更低，可以有效提高处理器的信号强度和频率，同时提高良率，降低处理器的生产成本。目前Intel公司Socket 775接口的CPU采用这种封装。
CuPGA封装
CuPGA是Lidded Ceramic Package Grid Array的缩写，即有盖陶瓷网格阵列封装。它和普通陶瓷封装最大的区别就是增加了一个顶盖，可以提供更好的散热性能，保护CPU核心不受损坏。目前AMD64系列CPU采用这种封装。
内存:内存方面，在装机的时候一定要注意，目前主流的内存标准是DDR，而不是沿用已久的SD。另外，一定要注意各种DDR内存规格和标准，下面会详细介绍。
最新的内存产品和规格是双通道DDR 400。说到DDR内存，它能有今天的成绩实属不易，不仅要拿下SDRAM这个内存中的寿星，还要面对Intel这样强大的厂商对手RDRAM的支持。直到去年年底，英特尔迫于市场压力才支持其一直反对的DDR内存规范。从这一刻开始，DDR内存可以真正扫清一切障碍，获得业界的全力支持，取得全面和最终的胜利。目前，英特尔、AMD、威盛科技、宏碁实验室(Ali)、硅集成系统(SiS)、英伟达、ATI、ServerWorks都宣布支持DDR内存。然而，英特尔一直大力支持的RDRAM因为制造工艺复杂、制造成本高、专利使用费高而失去了竞争活力，最终退出了大众市场(在高端市场依然可见)。
DDR是“双倍数据速率SDRAM”(双倍数据速率的SD内存)的缩写。DDR内存技术是从主流的PC100和PC133 SDRAM技术发展而来的。DDR DIMMs和SDRAM DIMMs的物理元件数量相同，但两端的导线数量不同。DDR使用184引脚，SDRAM使用168引脚。所以DDR内存是不向下兼容SDRAM的，需要专门为DDR设计的主板和系统。DDR内存技术是成熟的PC100和PC133 SDRAM技术的革命性进步。DDR内存芯片由半导体厂商利用现有的晶圆、程序和测试设备进行生产，从而降低了内存芯片的成本。
DDR规范由电子工业联盟的半导体行业标准化组织JEDEC最终确定。约300家成员公司提交行业每个环节的标准，并积极合作开发符合行业需求的标准体系。
目前主流的DDR内存还是属于DDR ⅰ规格，特点是采用184pin引脚，非对称设计，工作电压1.8V，DDRⅰ内存按照频率分为PC 1600(DDR 200)/PC 2100(DDR 266)/PC 2700(DDR 333)/PC 3200(DDR 400)，以及这些规格是根据它们能够提供的带宽或频率来命名的。比如DDR 400就是说等效工作频率是400MHz，可以提供3.2 GB/秒左右的带宽。内存规格的提升是为了获得更大的内存带宽，提高内存频率成为了最简单的扩展带宽的方案，因为带宽在一定程度上可以用内存的工作频率来衡量。
上面提到的都是单通道DDR存储器。因为单通道最高规格DDR400只能提供3.2 GB/秒的带宽，无法满足最新800MHz FSB处理器所需的6.4 GB/秒的带宽要求。所以去年年中，业界对DDR 400规范几乎不抱希望，大家都在为即将到来的DDR II规范做准备。但由于DDR规范没有及时发布，此时一种双通道技术解决了上述带宽问题。因为单通道DDR400提供的内存带宽是3.2 GB/秒，采用双通道DDR技术后刚好达到6.4 GB/秒。
即便如此，DDR I也很快会被淘汰，因为即使采用最高规格的DDR 400，它提供的最高带宽也只是满足800MHz FSB处理器带宽的要求，FSB肯定会继续提高，所以DDR I根本无法满足处理器的后续发展。DDR标准的起飞频率可达400MHz。目前主要有三种标准:400MHz、533MHz、667MHz。显卡用DDR内存方面，DDR II的速度将发展到800和1000MHz(DDR)，封装形式为200/220/240pin FBGA，均采用0.13微米工艺制造。当初DDR内存的工作电压是1.8V，容量达到了512MB。预计到2004年，DDR II的下一代DDR III架构也将实现初步开发。DDR内存的工作电压会继续降低，估计到2006年工作电压会降到1.2V。
在上面的介绍中，需要注意的是，双通道DDR并不是DDR II，仍然属于DDR I标准。