铌酸锂调制器

在外加电场的作用下，晶体的折射率光吸收和光散射特性发生了变化，由此产生的效应称为电光效应。当晶体折射率的变化与施加的电场成正比时，即电场的第一项，这种电光效应称为线性电光效应，是Pokels在1893中发现的，也称为Pokels效应，一般发生在不对称中心晶体中。这种效应是电光调制的基础。当晶体折射率的变化与外加电场强度的平方成正比时，即电场的二次项，这种电光效应是Kerr在1875中发现的，称为二次电光效应或Kerr电光效应，二次电光效应存在于所有晶体中。对于LiNbO3 _ 3晶体，线性电光效应比二次电光效应显著得多，因此调制器主要利用其线性电光效应进行调制。

铌酸锂电光调制器的工作原理简单描述为:当在晶体的特定方向施加电场时，由于电光效应，晶体的折射率发生变化，进而引起晶体中透射光波的额外相位变化，从而达到调制光波的目的。

常见的电光强度调制器是马赫-曾德尔(MZ)调制器。光波被传输到光波导中的第一个3dB耦合器，光波被分成两个相等的路径。光波通过每个分支路径中的光波导传输到第二3dB耦合器，并且两个波最终相干叠加。