什么是半导体离子注入技术？

半导体离子注入技术是一种高科技材料表面改性技术，已广泛应用于半导体材料的掺杂和金属、陶瓷、聚合物等的表面改性。可以说是当代大规模集成电路制造中不可或缺的手段。

基本原则:

当能量为100keV的离子束入射到材料上时，离子束与材料中的原子或分子之间会发生一系列的物理和化学相互作用，入射离子会逐渐失去能量并最终留在材料中，引起材料表面组成、结构和性能的变化，从而优化材料的表面性能或获得一些新的优异性能。

离子注入的优点是可以精确控制杂质的总剂量、深度分布和表面均匀性，并且是低温过程(防止原有杂质的再扩散等。)，同时可以实现自对准技术(减少电容效应)。

离子注入技术作为一种材料表面工程技术，具有以下其他常规表面处理技术无法实现的独特优势:

纯净无污染的表面处理技术

它不需要在高温环境或热活化中进行，并且不会改变工件的整体尺寸和表面光洁度。

基板不存在剥离问题。

离子注入后，不需要机械加工和热处理。

荣鑫源为客户提供高束、中束、高能离子源的钨钼精密组件。