ESD电路和器件图书目录

1.1电流和静电放电

1.1.1电流和静电

1.1.2静电放电

1.1.3主要ESD专利、发明和创新

1.1.4 ESD失效机制

1.2 ESD设计的基本概念

ESD设计理念

1.2.2设备对外部事件的响应

1.2.3可选电路回路

1.2.4开关

1.2.5电流路径去耦

1.2.6反馈回路的去耦

1.2.7电源轨去耦

1.2.8本地和全球分销

1.2.9寄生元件的使用

1.2.10缓冲器

1.2.11镇流器

1.2.12半导体器件、电路或芯片功能的未使用部分

1.2.13浮动和非浮动网络之间的阻抗匹配

1.2.14未连接的结构

1.2.15虚拟结构和虚拟电路的使用

1.2.16非收缩源事件

1.2.17面积有效性

1.3时间常数

1.3.1静电和静磁时间常数

1.3.2热时间常数

1.3.3热物理时间常数

1.3.4半导体器件时间常数

1.3.5电路时间常数

1.3.6芯片级时间常数

1.3.7 ESD时间常数

1.4电容、电阻、电感和ESD

1.4.1电容器

1.4.2电阻器

1.4.3电感

1.5 ESD和经验法则

1.6集总分布分析和ESD

1.6.1电流和电压分布

1.6.2集中式系统和分布式系统

1.6.3分布式系统:梯形网络分析

1.6.4电阻-电感-电容(RLC)分布式系统

1.6.5 RC分布式系统

1.6.6电阻-电导(RG)分布式系统

1.7 ESD测量和品质因数

1.7.1芯片级ESD测量

1.7.2电路级ESD测量

1.7.3 ESD器件测量

1 . 7 . 4 ESD质量和可靠性的商业测量

1.8 ESD方案的十二步形成法

1.9本章摘要

运用

参考

第2章设计综合

2.1半导体芯片ESD保护的结构与综合

2.2电气连接和空间连接

2.2.1电气连接

热连接

2.2.3空间联系

2.3 ESD保护、闩锁效应和噪声

2.3.1噪音

闩锁效应

2.4接口电路和ESD组件

2.5 ESD电源箝位网络

2.6 ESD轨到轨器件

2.6.1 ESD轨到轨网络布局

2.6.2外围设备和阵列I/O

2.7保护环

2.8焊盘、浮动焊盘和无连接焊盘

2.9连接焊盘下的结构

2.10本章摘要

运用

参考

第3章ESD设计:MOSFET电路设计

3.1基本ESD设计概念

3.1.1通道长度和线宽控制

3.1.2 ACLV控制

3.1.3 MOSFET的Esd设计示例

3.2 ESD MOSFET设计:沟道宽度

3.3 ESD MOSFET设计:接触孔

3.3.1栅极到接触孔的距离

接触孔间距

末端接触

3.3.4单指边缘的接触孔

3.4 ESD MOSFET设计:金属分布

3.4.1 MOSFET金属线设计和电流分布

3.4.2 MOSFET梯形网络模型

3.4.3 MOSFET连接:非平行电流分布

3.4.4 MOSFET连接:并联电流分配

3.5 ESD MOSFET设计:硅化物掩模板

硅化物掩模设计

3.5.2跨源极和漏极的硅化物掩模的设计

3.5.3覆盖栅极的硅化物掩模的设计

硅化物和分割

3.6 ESD MOSFET设计:系列* * *源* *栅结构。

3.6.1系列MOSFET，带* * *源* *栅结构

3.6.2完整的* * *源* *栅MOSFET

3.7 ESD MOSFET设计:耦合和镇流技术的交叉指型设计。

3.7.1 MOSFET，其栅极通过镇流电阻接地。

3.7.2栅极和软衬底地之间具有镇流电阻的MOSFET。

3.7.3源栅耦合多米诺镇流电阻的MOSFET结构

3 . 7 . 4 MOSFET源极启动栅极自举镇流电阻的叉指结构

3.7.5 MOSFET源启动栅极自举交叉指型MOSFET，带二极管电阻镇流器。

3.8 ESD MOSFET设计:闭合漏极设计参数

3.9 ESD MOSFET互连镇流器设计

3.10 MOSFET设计:源极和漏极划分

3.11本章摘要

运用

参考

第4章ESD设计:二极管设计

4.1 ESD二极管设计:ESD的基础

4.1.1 ESD设计的基本概念

4.1.2 ESD二极管设计:ESD二极管的工作原理

4.2 ESD二极管设计:阳极

阳极扩散的p+0宽度效应

p+阳极触点

4 . 2 . 3 P+阳极金属硅化物区的边缘设计

4 . 2 . 4 P+阳极和n+阴极之间的隔离距离

4 . 2 . 5 P+阳极的边缘效应

4.2.6圆形和八角形ESD二极管的设计

4.3 ESD二极管设计:互连线

4.3.1并行布线设计

4.3.2反平行布线设计

4.3.3量化锥形平行和反平行布线

4.3.4连续锥形反平行和平行布线

4.3.5带中央馈电的垂直(侧面)布线设计

4.3.6统一金属宽度垂直(侧面)设计

4.3.7 T形延伸垂直(侧面)布线

4.3.8焊盘下的金属设计

4.4 ESD二极管设计:由多晶硅定义的二极管设计

4.5 ESD二极管结构设计:N阱二极管设计

4.5.1 n阱二极管连接设计

4.5.2 n阱接触密度

4.5.3 n阱ESD设计、保护环和相邻结构

4.6 ESD二极管设计:n+/p衬底二极管设计。

4.7 ESD二极管设计:二极管串

4.7.1 ESD设计:二极管串电流-电压关系

4.7.2多输入/输出环境中的二极管串元件

焊盘集成

4.7.4 ESD设计:二极管串设计-达林顿放大器。

4.7.5 ESD设计:二极管串设计-面积比

4.8 ESD二极管设计:三阱二极管

4.9 ESD设计:BICMOS ESD设计

4.9.1 p+/n阱二极管ESD结构，带高阻注入集电极

4.9.2具有深沟槽(DT)隔离结构的STI定义的p+/n阱二极管。

4.9.3具有沟槽(TI)隔离结构的STI定义的p+/n阱二极管。

4.10本章概述

运用

参考

第五章绝缘体上硅ESD设计

5.1 SOI ESD的基本概念

5.2 SOI ESD设计:MOSFET(带体接触的T型(T型布局)

5.3 SOI ESD设计:SOI横向二极管结构

5.3.1 SOI横向二极管设计

5 . 3 . 2 SOI横向二极管的周长设计

5 . 3 . 3 SOI横向二极管的沟道长度设计

5.3.4 SOI横向二极管p+/n-/n+二极管结构

5.3.5 SOI横向二极管p+/p-/n+二极管结构

5.3.6 SOI横向二极管p+/p-/n-/n+二极管结构

5.3.7无栅极SOI横向p+/p-/n-/n+二极管结构

5.3.8 SOI横向二极管结构和SOI MOSFET晕圈

5.4 SOI ESD设计:掩埋电阻(BR)元件

5.5 SOI ESD设计:SOI动态阈值电压MOSFET(DTMOS)

5.6 SOI ESD设计:双栅极(DG)MOSFET

5.7 SOI ESD设计:FINFET(非平面双栅)结构。

5.8 SOI ESD设计:衬底结构

5.9 SOI ESD设计:SOI到体接触结构

5.10本章摘要

运用

参考

第6章片外驱动(OCD)和ESD

6.1片外驱动器(OCD)

6.1.1 OCD I/O标准和ESD

6.1.2 OCD: ESD设计基础

6.1.3 OCD: CMOS非对称上拉/下拉。

6.1.4 OCD: CMOS对称上拉/下拉。

6.1.5 OCD:发射接收电路逻辑(GTL)

6.1.6 OCD:高速收发器逻辑(HSTL)

6.1.7 OCD:短截线串联端接逻辑(SSTL)

6.2片外驱动:混合电压接口

6.3片外驱动自偏置阱OCD网络

6.3.1 OCD:自偏阱OCD网络

6.3.2自偏置阱OCD网络的ESD保护网络

6.4片外驱动器:可编程阻抗(pipper)OCD网络

6.4.1 OCD:可编程阻抗(皮条客)OCD网络。

6.4.2用于拉皮条强迫症的ESD输入保护网络

6.5片外驱动器:通用OCD

6.6片外驱动器:门阵列的OCD设计

6.6.1门阵列OCD ESD设计和实现

6.6.2门阵列的OCD设计:利用未使用的元件

6.6.3门阵列的OCD设计:未使用元件的阻抗匹配

6.6.4 OCD ESD设计:指MOSFET上的电源轨。

6.7片外驱动:栅极调制网络

6.7.1 OCD栅极调制MOSFET ESD网络

6.7.2 OCD简化电网调制网络

6.8片外驱动ESD设计:耦合和镇流技术的综合

6.8.1 MOSFET，带二极管源启动栅极自举电阻镇流器多指MOSFET

6.8.2 MOSFET源启动栅极自举电阻镇流器多指MOSFET

6.8.3栅极耦合多米诺效应电阻镇流器MOSFET

6.9片外驱动ESD的设计:衬底调制电阻镇流器MOSFET。

6.10本章摘要

运用

参考

第7章接收电路和ESD

7.1接收电路和ESD

7.1.1接收电路及其延时

7.1.2接收电路性能和ESD负载效应

7.2接收电路和ESD

7.2.1接收电路和HBM

7.2.2接收电路和CDM

7.3接收电路及其发展

7.3.1带半通传输门的接收电路

7.3.2带全通传输门的接收电路

7.3.3接收电路、半通传输门和保持网络

7.3.4接收电路、半通传输门和改进的保持器网络

7.4伪零VT半通传输门的接收电路

7.5零传输门接收电路

7.6放电晶体管接收电路

7.7具有测试功能的接收电路

7.8施密特触发反馈网络的接收电路

7.9双极晶体管接收电路

7.9.1双极单端接收电路

7.9.2双极差分接收电路

7.10本章摘要

运用

参考

第8章SOI ESD电路和设计集成

8.1 SOI ESD设计集成

8.1.1 SOI ESD设计相对于体CMOS ESD设计的优势。

8.1.2 SOI与体CMOS相比在ESD设计版图上的缺点。

8.1.3 SOI设计布局:T型布局风格

8.1.4 SOI设计布局:混合电压接口(MVI)T布局风格。

8.2 SOI ESD设计:二极管设计

8.3 SOI ESD二极管设计:混合电压接口(MVI)环境

8.4具有铝互连的SOI CPU中的SOI ESD网络

8.5铜(Cu)互连的SOI ESD设计

8.6栅极电路中的SOI ESD设计

8.7 SOI和动态阈值ESD网络

8.8 SOI技术和各种ESD问题

8.9本章概述

运用

参考

第9章ESD电源箝位

9.1 ESD电源箝位设计标准

9.2 ESD电源箝位:基于二极管

9.2.1 ESD电源箝位:串联二极管作为核心箝位。

9.2.2 ESD电源箝位:串联二极管作为核心箝位-金属包层设计概念

9.2.3 ESD电源箝位:串联二极管作为核心箝位-升压设计概念。

9.2.4 ESD电源箝位:串联二极管串作为核心箝位-悬臂设计概念

9.2.5 ESD电源箝位:三阱串联二极管作为核心箝位。

9.2.6 ESD电源箝位:SOI系列二极管ESD电源箝位。

9.3 ESD电源箝位:基于MOSFET

9.3.1 CMOS RC触发MOSFET ESD电源箝位

9.3.2混合电压接口RC触发ESD电源箝位。

9.3.3电压触发MOSFET ESD电源箝位

9.3.4改进的RC触发MOSFET ESD电源箝位

9 . 3 . 5 RC网络触发的MOSFET电源箝位布局

9.4 ESD电源箝位:基于双极晶体管

9.4.1双极ESD电源箝位:电压触发ESD电源箝位。

9.4.2双极ESD电源箝位:由齐纳击穿电压触发。

9.4.3双极ESD电源箝位:BVCEO电压触发ESD电源箝位。

9.4.4双极ESD电源箝位:混合电压接口正向偏置电压和BVCEO击穿集成。

双极ESD电源箝位

9.4.5双极ESD电源箝位:超低电压正向偏置电压触发

9.4.6双极ESD电源箝位:电容触发

9.5 ESD电源箝位:基于整流器的可控硅整流器。

9.6本章概述

运用

参考