刘依纯的科研成就

主要从事宽带隙半导体光电材料和器件的研究。针对该领域的热点、难点和基础问题，开展了一些具有鲜明特色的创新研究工作。

发明了热氧化Zn3N2单晶薄膜制备p-ZnO的方法，成功制备了P-ZnO薄膜，被国际公认为制备P-ZnO的方法之一。利用微腔的光增益效应和纳米结构的量子限域效应，获得了高温(560 oC)下高效紫外发射的纳米片状材料，并对材料的结构和高压相变行为进行了深入研究，为进一步开发高温光电器件奠定了基础。通过在p-GaN/n-ZnO异质结中引入i-ZnO层，构建了p-GaN/i-ZnO/n-ZnO的新结构，成功研制了室温下近紫外发射的ZnO异质结紫外光发光二极管。

发明了电子回旋共振(ECR)微波等离子体氮化法制备高质量SiN薄膜；根据纵向光学声子强烈吸收P偏振红外的原理，建立并发展了一种用P偏振红外反射吸收光谱表征超薄二氧化硅的方法。

国际上提出不可见的SP2π-星团是发光中心。指出N进入sp3网络导致配位数减少和应力释放。指出N，sp2π团簇的桥联效应和其它各种形变决定了能隙的大小。国际上提出并证明了N进入a-C:H网络引起C-H键的弱化和网络的不稳定性。

近年来，在Adv. Mater上发表了150多篇SCI论文。物理评论b，物理化学杂志。化学学士。物理列特，光学列特等。，发表的论文被SCI引用800余次，获得国家发明专利8项。他应邀为美国纳米科学与技术百科全书撰写了“低维ZnO纳米结构和纳米异质结生长”的主题。国内学术会议邀请报告9次，国际学术会议邀请报告8次。

负责国家自然科学基金、中科院“百人计划”、国家杰出青年科学基金、国家“十一五”和“863”项目、国家“十五”和“863”子项目、教育部重大创新培育项目。