我的s1精英rom变成了128 ram和128M。
MRAM
MRAM(磁性随机存取存储器)是非易失性磁性随机存取存储器。它具有静态随机存取存储器(SRAM)的高速读写能力和动态随机存取存储器(DRAM)的高集成度，可以无限次重复写入。
MRAM使用TMR磁单元存储数据
趋势点:随着材料科学的不断进步，一种新型的磁阻存储器(MRAM)正在引起人们的关注。虽然它仍然存在于实验室中，但这种高速存储技术已经被视为DRAM存储器的继承者，“等待”一词将从计算机用户的字典中彻底删除。
DRAM的局限性
开机后看着Windows进度条一遍一遍的滚动，然后登录打开桌面，你是不是觉得很理所当然？
操作系统之所以每次开机都需要重新做内存初始化操作，是因为现在常用的内存都是使用动态随机存取技术(DRAM)的内存，比如SDRAM、DDR、DDR II。使用DRAM技术的存储器的一个重要特点是属于易失性存储器，即一旦断电，其中的数据就会消失。换句话说，DRAM内存中数据的存在实际上是靠持续供电刷新来维持的。
所以操作系统每次开机，总是需要将一系列系统本身要使用的数据再次写入内存，这就是操作系统在等待启动的时间里完成的事情。对于DRAM存储器，如果要免除这个过程，则不能中断存储器刷新的电源。所谓睡眠，其实就是电脑持续耗电，只不过比正常运行的时候少而已。
然而，东芝集团最近在美国佛罗里达州坦帕市向公众展示了一种新型存储器——磁阻随机存取存储器(MRAM)。它的出现将使这种情况成为过去。
磁阻存储器和DRAM存储器采用完全不同的原理。DRAM内存通过判断电容中的电量来表示“0”和“1”。它不仅需要保持电源接通，还需要定期给电容充电，以保证内容不丢失。但是磁阻存储器的存储原理根本不用电容。它采用两个纳米级铁磁体和界面上的非磁性金属层或绝缘层的结构来夹持金属导体。通过改变两个铁磁体的方向，下面导体的磁阻会发生变化。一旦电阻变大，通过它的电流就会变小，反之亦然。
所以只需要用一个三极管来判断上电时的电流值，就可以判断出铁磁磁场方向的两种不同状态来区分“0”和“1”。因为铁磁体的磁性永远不会消失，磁阻记忆几乎可以被无限改写。铁磁体的磁性不会因为断电而消失，所以不像普通存储器那样易失，断电后还能保持其内容。
磁阻存储器的前世
磁阻存储器的概念几乎与磁盘记录技术同时提出。但是众所周知，内存读写的速度需要达到磁盘读写的654.38+0万倍，所以不可能直接使用磁盘记录技术来生产内存。磁阻存储器的设计看起来并不复杂，但对材料的要求很高。
磁阻现象虽然150年前由英国科学家威廉？是威廉姆斯·汤姆森发现的，但对于一般材料来说是比较弱的效应。也就是说，由于磁场变化引起的电阻变化并不显著，当电阻变化小于40%时，用三极管很难判断微小的电流变化。
然而，最近材料和技术的进步使这项技术有了突破。1995年，摩托罗拉展示了第一个MRAM芯片，并生产了1MB芯片原型。
2007年，磁记录行业的巨头IBM和TDK联合开发了新一代MRAM，采用了一种叫做自旋-扭矩-转移(STT)的新技术，利用放大的隧道效应，磁阻的变化达到了约1次。东芝展出的芯片正好采用了STT技术，只是进一步缩小了芯片面积，把1GB的内存做在一个方形图章的芯片上，这也让世人看到了磁阻内存的威力——它的记录密度是DRAM的几百倍，但速度却比现有的所有内存技术都要快。磁阻存储器的五大优势是密度高、存取快、极其省电、可重复使用、不丢失，这使得它在各方面都大大优于现有的甚至正在发展的存储技术——闪存太慢、SRAM和DRAM易失、铁电存储器可重写次数有限、晶相存储难以控制温度...……MRAM可以说是集各种技术优势于一身的高品质产品。
目前，MRAM已被用于通讯、军事和数码产品中。2008年，日本的SpriteSat卫星宣布将所有闪存组件更换为菲斯克半导体公司生产的MRAM。预计在未来一两年内，就能实现量产，而当我们打开电脑，就不再需要等待。