LED芯片的分类

特点:1，采用高散热系数材料- Si为基板，散热容易。

导热性

GaAs: 46瓦/米-克

差距:77 W/m-K

硅:125 ~ 150 W/m-K

铜:300~400瓦/米-克

碳化硅:490瓦/米-克

2.晶圆通过金属层键合外延层和衬底，同时反射光子避免衬底吸收。

3.导电硅衬底代替GaAs衬底，具有良好的导热性(导热性相差3~4倍)，更适用于高驱动电流领域。4.底部的金属反射层有利于提高光度和散热。

5.尺寸可以增大，可以用在大功率领域。﹚例如:42mil MB定义:GB芯片:胶黏芯片；这种芯片是UEC的专利产品。

特点:1:透明蓝宝石衬底替代吸光GaAs衬底，光输出功率是传统As(可吸收结构)芯片的两倍以上。蓝宝石衬底类似于TS芯片的GaP衬底。

2:芯片四面发光，图案极佳。

3:亮度方面，其整体亮度已经超过了ts芯片的水平(8.6mil)。

4:双电极结构，其抗大电流能力比ts单电极TS芯片的清晰度和特性稍差。

定义:TS芯片:透明结构芯片，属于惠普的专利产品。

特点:1。芯片工艺复杂，比做LED高很多。

2.出色的可靠性

3.透明GaP基板，不吸光，亮度高。

4.广泛应用

定义:AS芯片:可吸收结构芯片；经过近40年的发展努力，台湾省LED光电产业的R&D、该类型芯片的生产和销售均处于成熟阶段，与R&D各大公司在这方面的水平基本处于同一水平，差距不大。大陆芯片制造业起步较晚，亮度和可靠性与台湾省工业仍有一定差距。我们在这里讨论的是。作为UEC的芯片，特别是作为UEC的芯片，例如:712Sol-VR，709sol-VR，712Sym-VR，709sym-VR等。

特点:1。四芯片，采用MOVPE技术制造，亮度比传统芯片更亮。

2.出色的可靠性

3.广泛使用1，LPE:液相外延(GaP/GaP)

2.VPE:气相外延(气体相磊晶体法)GaAsP/GaAs。

3.MOVPE:金属有机气相外延(有机金属气体相磊结晶法)AlGaInP，GaN。

4.SH: GaAlAs/GaAs单异质结构(单异质结构)GaAlAs/GaAs。

5.DH: GaAlAs/GaAs双异质结构，(双异质结构)GaAlAs/GaAs。

6.DDH: GaAlAs/GaAlAs双异质结构。