晶体管是谁发明的？

晶体管是肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组发明的。

1947年12月，美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世，是20世纪的一项重大发明，是微电子革命的先声。晶体管出现后，人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件，来代替体积大、功率消耗大的电子管了。

晶体管的发明又为后来集成电路的诞生吹响了号角。20世纪最初的10年，通信系统已开始应用半导体材料。20世纪上半叶，在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机，就采用矿石这种半导体材料进行检波。半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。

三端子晶体管主要分为两大类：

双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极（端子）；双极性晶体管的三个极（端子），分别是由N型、P型半导体组成的发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极（端子），分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

晶体管因为有三个电极，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称***射放大、CE组态）、基极接地（又称***基放大、CB组态）和集电极接地（又称***集放大、CC组态、发射极随耦器）。

以上内容参考：百度百科—晶体管