绕过芯片专利

我国芯片技术落后是一个现实问题,因为我们的芯片发展比西方国家落后很多年。当我们有能力发展芯片技术的时候,西方国家的芯片技术把我们甩了好几条街,西方国家为了限制我们的发展,对我们进行技术封锁。随着芯片在各行各业发展中占据重要地位,芯片技术的突破迫在眉睫。

我们很难长时间突破前两代的芯片技术,只能另辟蹊径在第三代芯片上开始研发,因为第三代芯片技术各国都还没有进步,西方国家更不可能有能力封锁我国的技术,所以我们进行研发的难度稍微小一些,这是我们在芯片领域实现弯道超车的最好机会。

目前第三代芯片的研究主要以碳化硅为主,合肥的相关企业和学术机构走在了全国的前面,因为它计划成为我们国家第二大芯片基地。据了解,位于合肥的中国科学技术大学与匈牙利学者达成初步合作,实现了在室温下对单个碳化硅双空位色心电子自旋的操控和读出,这对我们将碳化硅发展成为半导体材料有很大帮助。

除了合肥相关企业和学术机构的研究,新能源汽车领域也在尝试。比亚迪在高性能四驱版韩EV上搭载碳化硅组件,这是比亚迪在碳化硅材料上的首次尝试。特斯拉在最新车型上还配备了碳化硅逆变器。随着新能源汽车和碳化硅材料的不断尝试,未来我们将更有信心将碳化硅应用于芯片材料供应商。

因为第三代芯片材料大部分用在光伏、新能源汽车、5G网络上,而这些领域的市场恰好在中国,所以说未来中国将是碳化硅材料最集中的地方,这也是最有利于推动我们国家碳化硅研究的进展。

有网友疑惑为什么第三代芯片材料是碳化硅?对第三代芯片材料的要求是具有硅的特性,同时必须满足新设备的应用。与其他材料相比,碳化硅是最合适的。

碳化硅作为硅的替代材料,不仅具有硅的所有优点,而且填补了硅的缺点,还具有耐高压、耐高温甚至耐高频的特点。特别值得一提的是,在同等性能下,碳化硅的尺寸更小,能量损耗也比硅胶晶片小得多,这使得碳化硅的工作效率要高得多。

正是因为碳化硅的优势远大于第二代芯片材料,所以各国都非常重视碳化硅的研究。如果碳化硅应用成功,将使芯片制造水平更上一层楼。

当我们终于意识到芯片技术很重要的时候,西方国家开始封锁我国的技术,甚至不给我国提供芯片。比如19年,华为因为5G网络赶超美国,被切断了与美国的联系。而且我们国家想买ARM的光刻机,但是没有得到回应。

现在的芯片领域可以说是被西方国家垄断了。因为西方国家掌握了很多第二代芯片材料的专利,我们很难绕开这些专利,所以只能尽可能在第三代芯片材料上有所突破,才有可能结束西方国家没有专利之前技术封锁的局面。

碳化硅的研究不仅关系到芯片领域,还关系到我国许多行业的发展。如果我们在第三代芯片材料上赶不上其他国家,那么我们将继续面临技术封锁的局面,未来在其他领域赶上,我们仍然会受到其他国家的限制。