阙端临的主要成就
阙端林试图制造中国第一台热电发电机；在国内，首先用硅烷法研制成功了电阻极高的探测器级硅单晶。首先，提出了以氮气为保护气体的直拉硅单晶技术，以生产高质量、低成本的硅单晶。发展了单色红外光电导衰减寿命试验的理论和技术，作者研制的测试仪技术指标远优于同类进口仪器，使硅单晶工业产品寿命测试仪国产化。
研究成果:全分子筛吸附提纯硅烷、硅单晶高频1.09μm红外电导衰减少子寿命测试仪、减压充氮直拉硅单晶技术。阙端林发表了50多篇重要论文。中国获得8项发明专利。
主要论文
1:阙端林，在氮气保护气氛下制造直拉法硅单晶的方法，中国发明专利，CN85100295B(已授权)。
2.阙端林，重掺锑硅单晶的制造方法，中国发明专利，CN86100854B(已授权)。
3.阙端林，直拉硅单晶的气相掺氮方法，中国发明专利，CN1003607B(已授权)。
4.阙端林，一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法，中国发明专利，CN1003797B(已授权)。
5.阙端林，直拉硅单晶中氮含量的控制方法，中国发明专利，CN1040400A(已授权)。
6.阙端林，红外光源硅单晶少子寿命测试仪，浙江大学学报，1982，3。
7.阙端林，用高频红外电导衰减法测量硅单晶非平衡拦截器寿命，浙江大学学报，1985，2。
8:阙端林，高阻探测器级硅单晶，稀有金属1987，60。
9.阙端林，高阻硅的低温欧姆接触，半导体学报，1988，9 (2)。
10:阙端林，氮气氛下生长的直拉硅单晶中的氮浓度，第二届国际固体与集成电路技术会议论文集，北京，1989。
11:阙端林，氮保护气氛下生长功率晶体管用硅单晶的研究，浙江大学学报，1990，24 (3)。
12:阙端林，还原氮气保护下直拉硅单晶的生长，中国科学A辑，1991，2C氮气气氛下减压生长直拉硅单晶，中国科学(A辑)，1991。
13:阙端林，含氮CZSi中NN对的退火行为，半导体学报，1991，12(4)。
14:阙端林，微氮硅单晶中的热受体，半导体学报，1991，12(8)。
15:阙端林，中国电子与计算机大百科全书卷“硅材料”。
16:欧段林，减压氮气气氛下直拉硅单晶生长，中国科学(A辑)，1991，34(8):1017 ~ 1024。
17:阙端林，单色光光电导衰变测量硅晶体中少数载流子寿命的表面再结合修正公式，电子学报，1994，3(4):76~78。
18:阙端林，掺氮硅中新形貌的氧沉淀，自然科学进展，1994，3(2):176~180。
19:阙端林，氮对硅中热施主和浅热施主的影响，物理学报，1995，77(2):933。
20:阙端林，氮氧络合物对Czoch ralski硅电学性质的影响，ApplPhysLett。,1996, 68 (4): 487.阙端林首创了《半导体材料》等10多门新课程。作为浙江大学半导体材料学科的创始人，带领学科成为国务院学位委员会批准的半导体材料工程首批硕士学位授予点和首批博士学位授予点之一，并于1988被授予国家重点学科；1987获批建设高纯硅和硅烷国家重点实验室。在阙端林榜样的培养下，他的学生都有很强的科研和实验能力。很多同学已经成长为各个单位的业务骨干和领导。比如杨德仁教授。
为本科生和研究生开设电工材料、半导体材料、半导体专著、真空技术、半导体物理、近代物理基础等课程10余门。这些课程很多都是先收集资料开始的，没有课本，甚至没有系统的参考书。