内存速度有多少种？
RAM的特点是当计算机开机时，操作系统和应用程序的所有运行数据和程序都会放在里面，并且可以随时修改和访问存储在里面的数据。它的工作需要持续的电力提供。一旦系统断电，存储在其中的所有数据和程序将自动清空，并且永远无法恢复。
根据组件的不同，RAM内存分为以下十八种类型:
01.动态随机存储器
这是最常见的RAM。电子管和电容器形成一个位存储单元。DRAM将每个存储位作为电荷存储在位存储单元中，利用电容的充放电来做存储动作。但由于电容本身的漏电问题，必须每隔几微秒刷新一次，否则数据会丢失。存取时间与放电时间一致，约为2 ~ 4 ms，由于成本较低，通常在计算机中作为主存储器使用。
02.静态随机存储器。
静态意味着内存中的数据可以长时间停留在其中，而不需要随时访问。每六个管组成一个位存储单元，因为没有电容，所以不需要不断充电就可以正常工作，所以可以比一般的动态随机处理存储器更快更稳定，常用作缓存。
03.视频内存
它的主要作用是将显卡的视频数据输出到数模转换器，有效的减少了绘图显示芯片的工作量。它设计有双数据端口，其中一个是并行数据输出端口，另一个是串行数据输出端口。多用于高级显卡中的高端内存。
04.FPM DRAM(快速页面模式DRAM)。
DRAM的改进版本多为72针或30针模块。当访问一位的数据时，传统的DRAM必须发送一次行地址和列地址来读写数据。但行地址被FRM DRAM触发后，如果CPU要求的地址在同一行，则可以连续输出列地址，而不输出行地址。因为一般程序和数据的地址在内存中是连续排列的，在这种情况下，可以通过连续输出行地址和列地址来获得需要的数据。FPM将内存分成许多页，从512B到几KB不等。在连续区域读取数据时，可以通过快速换页模式直接读取每一页中的数据，大大提高了读取速度。96年之前，在486时代和奔腾时代早期，FPM DRAM被广泛使用。
05.EDO DRAM(扩展数据输出DRAM)。
这是FPM之后的一种内存，一般是72Pin和168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一位数据时输出一段时间的行地址和列地址，然后就可以读写有效数据，直到这个读写操作完成后才能输出下一位的地址。因此可以大大缩短输出地址的等待时间，其访问速度一般比FPM模式快15%左右。一般适用于中档以下奔腾主板的标准内存。后期486系统开始支持江户DRAM，1996年后期开始实现江户DRAM。。
06.突发扩展数据输出DRAM。
这是一款改进的EDO DRAM，是美光提出的。它在芯片上增加一个地址计数器来跟踪下一个地址。它是一种突发读取模式，即在发送一个数据地址时，只需要一个周期就可以读取剩下的三个数据中的每一个，因此一次可以访问多组数据，比EDO DRAM快。但是支持BEDO DRAM内存的主板很少，只有少数主板提供支持(比如通过APOLLO VP2)，所以很快就被DRAM取代了。
07.多存储体DRAM。
MoSys公司提出的一种内存规范，分为几个不同类型的小库，即由几个独立的小单位矩阵组成，每个库之间以比外部更高的数据速度相互连接，一般用于高速显示卡或加速卡，少数主板用于L2缓存。
08.WRAM(车窗RAM)。
韩国三星公司开发的内存模式是VRAM内存的改进版本。不同的是它的控制电路有一二十组输入/输出控制器，采用EDO的数据存取方式，所以速度比较快。此外，它还提供了块移位功能(BitBlt)，可应用于专业绘图工作。
09.RDRAM(Rambus DRAM)。
Rambus公司自主设计了一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。而内存控制器在使用这种内存后需要做相当大的改动，所以一般都用在专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的显存上。
10.同步动态随机存取存储器
这是一种可以与CPU外部时钟同步的内存模式。一般采用168Pin内存模块，工作电压为3.3V，所谓时钟同步是指内存可以与CPU同步访问数据，可以取消等待期，减少数据传输的延迟，从而提高计算机的性能和效率。
11.s gram(同步图形ram)。
SDRAM的一个改进版本使用块，即每32位作为基本访问单位，单独检索或修改被访问的数据，以减少整个存储器的读写次数。另外增加了绘图控制器来满足绘图需求，提供了块移动功能(BitBlt)，明显高于SDRAM。
12.同步突发SRAM
一般的SRAM是异步的。为了适应CPU越来越快的速度，需要将其工作时钟与系统同步，这就是SB SRAM出现的原因。
13.流水线突发SRAM
CPU外频速度的快速提升对其匹配内存提出了更高的要求。用流水线爆炸式SRAM代替同步爆炸式SRAM是必然的选择，因为它可以有效地延长访问时钟，从而有效地提高访问速度。
14.双倍数据速率同步动态随机存取存储器
作为SDRAM的换代产品，它有两个特点:一是速度是SDRAM的两倍；其次，使用DLL(延迟锁定环)来提供数据滤波信号。这是目前内存市场的主流模式。
15.同步链接。
这是一个扩展的SDRAM存储器，它改进了逻辑控制电路，同时增加了更先进的同步电路。但由于技术上的展示，付诸实践并不难。
16.CDRAM(缓存DRAM)。
这是三菱电机公司最先开发的专利技术。它在DRAM芯片的外部引脚和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级缓存。目前几乎所有的CPU都配备了一级缓存来提高效率。随着CPU时钟频率的翻倍，缓存未被选中的影响会越来越严重，而CACHE DRAM提供的二级缓存正好补充了CPU一级缓存的不足，所以可以大大提高CPU效率。
17.DDR II(双倍数据速率同步DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
DDRII是在1999年DDR原SLDRAM联盟解散，现有研发成果与DDR整合后的未来新标准。DDRII的详细规格尚未确定。
18.直接Rambus DRAM
它是下一代的主流存储器标准之一，由RamBus公司设计开发，将所有管脚连接到一条具有相同* * * *的总线上，不仅可以减小控制器的尺寸，还可以增加数据传输的效率。
二、ROM(只读存储器)
ROM是电路最简单的半导体电路。它是通过掩模技术一次性制造的。在部件正常工作的情况下，ROM中的代码和数据将被永久保存，不能修改。一般应用于PC系统的程序代码，主板上的BIOS(基本输入输出系统)等。它的读取速度比RAM慢很多。
根据元件的不同，ROM存储器分为以下五种类型:
1.掩模只读存储器(掩模型只读存储器)
为了大量生产ROM存储器，厂商需要先用原始数据做一个ROM或者EPROM作为样品，然后再大量复制。这个样本是一个掩膜版ROM，掩膜版ROM中刻录的数据是永远无法修改的。它的成本相对较低。
2.可编程只读存储器。
这是一种ROM存储器，其中的数据可以通过刻录机写入，但只能写入一次，因此也称为“一次可编程只读存储器”(OTP-ROM)。PROM出厂时，存储的内容都是1，用户可以根据需要将一些单元写入数据0(有的PROM出厂时都是数据0，所以用户可以将一些单元写入1)，达到“编程”的目的。
3.EPROM(可擦除可编程)。
这是一种可擦除只读存储器，擦除后可以重新编程。在书写之前，必须通过用紫外线照射其IC卡上的透明窗口来清除里面的内容。这种芯片很容易识别，它的包装上有“应时玻璃窗”。已编程的EPROM芯片的“应时玻璃窗”通常覆盖有黑色不干胶纸，以防止阳光直射。
4.EEPROM(电可擦除可编程)。
功能和使用方式与EPROM相同，不同的是数据的清零方式，用20V左右的电压清零。此外，它还可以使用电信号来写入数据。这种ROM存储器主要用于即插即用(PnP)接口。
5.闪存(闪存)
这是一种不用拔IC就能直接修改主板内容的内存。当电源关闭时，存储在其中的数据不会丢失。写入数据时，必须先清除原始数据，然后再写入新数据。缺点是写数据的速度太慢。就是这样。下面简单介绍一下电脑的速度。跟电脑的配置和平时的使用有关系。不是记忆的单一原因。有许多方法可以提高速度。1。要清楚垃圾文件。2.升级电脑。3.重新划分电脑的配置。仅此而已。我们都是用电脑的人。这几个字比较简单，朴实。我希望你能理解