实用新型专利发明人余国庆

具有沟槽源极结构的功率MOS场效应晶体管的制造方法

申请号cn 201310314819.0申请日期2013.07.25。

刊登(公告)号CN104241133a刊登(公告)日期2014.12.24。

目前法律地位的有效性正在审查之中。

分类编号h 01l 21/336(2006.05438+0)I；h 01l 21/28(2006.01)I

申请人(专利权)余国庆

地址:江苏省苏州工业园区第五单元15126栋2003室

发明人(设计人)余国庆；巫勇军

优先级2012 . 07 . 27 cn 201210262341.7

专利代理代理人

摘要

本发明涉及一种具有沟槽源极结构的功率MOS场效应管的制造方法，在单个单元阵列中的源极接触区上依次采用光刻、刻蚀和沉积金属层的制造工艺，对单个单元阵列中的源极接触区的刻蚀采用相同的光刻图形作为掩膜，采用干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的方式进行， 使得源金属层同时接触源区顶部的水平接触平台和源区侧面的纵向接触侧面。 根据本发明的功率MOS场效应晶体管的制造方法，增加了源金属层与源区的接触面积，从而降低了源金属的接触电阻，降低了能量损耗，提高了器件性能。