TLP细节大全
中文名:传输线脉冲mbth: Tran * * * Issue Line Pulse简称:TLP主讲人:马洛尼等TLP设备原理、TLP脉冲与各种静电放电模型的异同、HBM模型ESD IV曲线测试技术存在的问题、技术研发过程、技术服务、TLP设备原理二次击穿电流(It2)是设备所能承受的最大ESD电流。当ESD电流超过该值时,器件无法恢复其原始特性。由于MIL-STD 883 Method3015.7定义HBM模型的放电电阻为1500欧姆,因此,可以看出HBM模型下器件的最大ESD耐受电压V ESD为TLP试验的IV曲线V ESD ≈(1500+R器件)×I t2。同样,对于其他静电模型(CDM,MM等。),TLP在相同的损伤能量下与各种静电模型有近似的等效关系,并且考虑到上升沿的触发效应,因此,一般采用相似的脉冲宽度和上升沿进行等效。通过进一步的影响评估,可以确定不同模型的合适的静电等效方波。上述曲线可用方波测量,可用于该静电模型下的ESD防护设计仿真。利用测试波形结果中的通断特性,可以知道设备在相应模型下的混响情况。对于IEC、火花放电等二/三阶段模型,需要分阶段(如超快阶段、正常阶段)进行测试分析。TLP脉冲与各种静电放电模型的异同TLP脉冲是各种静电放电模型的近视模拟手段,也是ESD防护技术研究的核心手段,但它与传统的ESD脉冲形式有着不可替代的成分。在不可替代方面,TLP的脉冲方波不同于真实情况。虽然可以在近视中模拟,但总会有一些差异。完全采用TLP结果可能会导致评估值与其他制造商的设备之间存在一些差异。更何况由于晶圆的电荷存储效应,不同厂商的ESD测试设备的测试结果也是不一样的。此外,TLP系统是超快脉冲,轻微的寄生效应会导致波形失真。多通道TLP系统难以实现,因此替代常规ESD测试设备的可行性较弱。同理,TLP设备部模拟各种形式的ESD脉冲,在静电损伤和上升沿触发两方面都可以提供近似模拟,所以也可以认为两者是一致的。在这种近似认知下,TLP可以提供其他模型无法提供的ESD过程中IV、IT、VT三种不同的关键曲线。HBM模型ESD IV曲线测试技术存在的问题最近报道了一种用HBM设备解决ESD IV曲线的测试方法。该方法通过拟合提供了在一个ESD脉冲下获得的完整IV曲线。因为ESD脉冲是瞬时的,所以ESD脉冲的幅度在时间和空间上是变化的,这种变化接近光速。由于HBM ESD脉冲发生器的结构特点,电流-电压时间同步存在一些问题。另外,由于这种设备的结构特点,很难抑制寄生电感引起的过冲,甚至寄生电阻的影响也需要通过数据处理才能得到。在上述问题中,虽然电流-电压的时间同步可以通过示波器的时间校准来克服,但仍然难以直接消除寄生电感和寄生电阻引起的过冲。如果不消除这两个影响,一方面I-V信息主要集中在最大值,超调会将其掩盖。另一方面,电阻通常小于1欧姆,针刺和寄生测试系统的影响是一样的。技术研发的过程国际上,Maloney等人早在1985就提出了这种ESD仿真方法,并得到了广泛的应用。与样机相比,产品模型的出现相对较晚,其中Barth公司的Jon E. Barth和Oryx公司的Evan Grund在这一领域做了出色的工作,为社会提供了达到工业水平的TLP设备。台湾交通大学的柯教授是亚太地区TLP研究的先驱之一,并全面发表了他的研究成果。西安电子科技大学的罗宏伟(目前在信息产业部电子第五研究所)最早引入了TLP测试技术的概念,中科院微电子所的曾传斌研制了国内第一台TLP设备,可以提供TLP模拟技术,满足社会对各种ESD模型的需求。技术服务情况由于对TLP设备了解不够,设备价格较高,国内对ESD防护技术的研究一直比较滞后。根据2009年的统计结果,在中国大陆申请的ESD防护技术专利中,只有不到65,438+05%是由内地公司申请的,而这些专利中很大一部分是由高校科研院所申请的。加快TLP在静电放电研究中的应用,对我国静电放电防护技术的发展具有重要意义。目前在中国大陆能提供TLP的单位主要有:浙江大学、SMIC、信息产业部电子第五研究所、中科院微电子所等。其中,浙江大学的TLP是我国最早引进的TLP设备,为我国ESD防护技术的研究做出了重要贡献。中科院微电子所的TLP设备在2012之前是手动设备。2012后,HOXI-I自动TLP系统研制成功,可提供脉宽1ns~200ns、上升沿0.1ns~10ns、0-20A(最高40A)的TLP脉冲,基本能模拟现有所有静电脉冲形式。在设备销售方面,Barth、Oryx、Thermo Scientific和Binnovation公司等。