波形设计专利

当失真即将饱和时，Uce的电压低于原来的电压；当失真即将被切断时，Uce的电压高于原来的电压。

三端晶体管主要分为两类:双极晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET，单极)。晶体管有三个电极(端子)；双极晶体管的三个电极(端子)。

发射极、基极和集电极)；分别由N型和P型半导体组成；场效应晶体管的三个极(端子)分别是源极、栅极和漏极。

扩展数据:

点接触晶体管:1945年二战末期，肖克利等人发明的点接触晶体管成为人类微电子革命的先行者。为此，肖克利提交了贝尔第一个晶体管的专利申请。最后被第一个晶体管专利授权。

双极和单极晶体管:肖克利在1952中双极晶体管的基础上进一步提出了单极结型晶体管的概念，今天称为结型晶体管。其结构类似于pnp或npn双极晶体管。

然而，在p_n材料的界面处存在耗尽层，以在栅极和源极-漏极导电沟道之间形成整流接触。同时，两端的半导体作为门。源极和漏极之间的电流大小由栅极调节。

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