LED低压灯用什么样的芯片最好？有几种芯片。好的筹码和坏的筹码各有什么特点？它们很受欢迎。

定义:MB芯片:金属键合芯片；这个芯片属于UEC的专利产品。

特点:1，采用高散热系数材料- Si为基板，散热容易。

导热性

GaAs: 46瓦/米-克

差距:77 W/m-K

硅:125 ~ 150 W/m-K

铜:300~400瓦/米-克

碳化硅:490瓦/米-克

2.晶圆通过金属层键合外延层和衬底，同时反射光子避免衬底吸收。

3.导电硅衬底代替GaAs衬底，具有良好的导热性(导热性相差3~4倍)，更适用于高驱动电流领域。4.底部的金属反射层有利于提高光度和散热。

5、尺寸可增加，可用于大功率领域，如:42mil MB。

GB芯片

定义:国标芯片:胶黏芯片；这个芯片属于UEC的专利产品。

特点:1:透明蓝宝石衬底替代吸光GaAs衬底，光输出功率是传统As(可吸收结构)芯片的两倍以上。蓝宝石衬底类似于TS芯片的GaP衬底。

2:芯片四面发光，图案极佳。

发光二极管芯片

3:亮度方面，其整体亮度已经超过了ts芯片的水平(8.6mil)。

4:双电极结构，其抗大电流能力比ts单电极TS芯片的清晰度和特性稍差。

定义:TS芯片:透明结构芯片，属于惠普的专利产品。

特点:1。芯片工艺复杂，比做LED高很多。

2.出色的可靠性

3.透明GaP基板，不吸光，亮度高。

4.广泛应用

定义:AS芯片:可吸收结构芯片；经过近40年的发展努力，台湾省LED光电产业的R&D、该类型芯片的生产和销售均处于成熟阶段，与R&D各大公司在这方面的水平基本处于同一水平，差距不大。大陆芯片制造业起步较晚，亮度和可靠性与台湾省工业仍有一定差距。我们在这里讨论的是。作为UEC的芯片，特别是作为UEC的芯片，例如:712Sol-VR，709sol-VR，712Sym-VR，709sym-VR等。

特点:1。四芯片，采用MOVPE技术制造，亮度比传统芯片更亮。

2.出色的可靠性

3.广泛应用

二极管芯片的类型

1，LPE:液相外延(GaP/GaP)

2.VPE:气相外延(气体相磊晶体法)GaAsP/GaAs。

3.MOVPE:金属有机气相外延(有机金属气体相磊结晶法)AlGaInP，GaN。

4.SH: GaAlAs/GaAs单异质结构(单异质结构)GaAlAs/GaAs。

5.DH: GaAlAs/GaAs双异质结构，(双异质结构)GaAlAs/GaAs。

6.DDH: gaalas/gaalas双异质结构，(双异质结构)

4个重要参数

1，正工作电流If

指发光二极管正常发光时的正向电流值。实际上，如果需要，IF应低于0.6 IFm。

2.正向工作电压VF

参数表中给出的工作电压是在给定正向电流下得到的。一般在IF=20mA时测量。LED正向工作电压VF为1.4 ~ 3V。当外部温度升高时，VF会降低。

3.伏安特性

发光二极管的电压和电流的关系，当直流电压刚好低于某个值(称为阈值)时，电流很小，不发光。当电压超过一定值时，正向电流随电压迅速增加并发光。

4.发光强度IV

发光二极管的发光强度通常是指法线(圆柱形发光管的轴线)方向的发光强度。如果该方向的辐射强度为(1/683)W/sr，则发射1坎德拉(符号cd)。因为一般LED的发光二极管强度较小，所以通常用烛光(Candeira，mcd)来测量发光强度。

5、LED发光角度

-90 - +90

6、光谱半宽度δ λ

它代表了LED的光谱纯度。

7.半值角θ1/2和视角

θ1/2指发光强度值为轴向强度值一半的方向与光轴(法线方向)的夹角。

8.完整形状

LED灯的立体角换算成的角度也叫平面角。

9.视角

指LED发光的最大角度。视视角不同，应用也不同，也叫光强角。

10，半球

法线0和最大发光强度值/2之间的角度。严格来说是最大发光强度值与最大发光强度值/2的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度不是法线0°的光强值，引入了偏离角，偏离角是指最大发光强度对应的角度与法线0°的夹角。

11，最大正向DC电流IFm

最大允许正向DC电流。超过该值会损坏二极管。

12最大反向电压VRm

最大允许反向电压是击穿电压。如果超过该值，LED可能会因击穿而损坏。

13，工作环境topm

LED正常工作的环境温度范围。低于或高于这个温度范围，LED都不会正常工作，效率会大大降低。

14，允许功耗Pm

LED两端的正向DC电压和流经它的电流的乘积的最大值。如果超过该值，LED将会发热并损坏。[3]

5芯片尺寸

大功率LED芯片有三种尺寸:38*38mil，40*40mil，45*45mil。当然，芯片尺寸是可以定制的，这只是一个通用的规格。密耳是尺寸单位，一密耳是一英寸的千分之一。40mil差不多就是1 mm，38mil，40mil，45mil都是1W大功率芯片常用的尺寸。理论上，芯片越大，能承受的电流和功率就越大。但是芯片的材质和工艺也是影响芯片功率的主要因素。比如CREE 40mil的芯片能承受1W到3W，其他同尺寸的芯片最多能承受2W。

6发光亮度

一般亮度:R(红色GaAsP 655nm)、H(高红色GaP 697nm)、G(绿色GaP 565nm)、Y(黄色GaAsP/GaP 585nm)、E(橙色GaAsP/ GaP 635nm)等。

高亮度:VG(亮绿色GaP 565nm)，VY(亮黄色GaAsP/ GaP 585nm)，SR(亮红色GaA/AS 660nm)；；

超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等。

二元芯片(磷、镓):H、G等。

三元芯片(磷、镓、砷):SR(亮红色GaA/AS 660nm)、HR(超亮红色GaAlAs 660nm)、UR(亮红色GaAlAs 660nm)等。

四元芯片(磷、铝、镓、铟):SRF(亮红色alga InP)、HRF(超亮红色alga InP)、URF(亮红色AlGalnP 630nm)、VY(亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黄色alga InP 595nm)、UY(最亮黄色alga InP 595nm)。UYS(最亮黄色AlGalnP 587nm)、UE(最亮橙色alga InP 620nm)、HE(超亮橙色alga InP 620nm)、UG(最亮绿色alga InP 574nm)LED等。

7衬底

对于LED芯片的制造，基板材料的选择是首要考虑的因素。应该采用哪种合适的基板，需要根据设备和LED器件的要求来选择。三种衬底材料:蓝宝石(Al2O3)、硅(Si)和碳化硅(SiC)。

蓝宝石的优点:1。生产技术成熟，器件质量好；2.它具有良好的稳定性，可用于高温生长过程；3.机械强度高，易于处理和清洁。

蓝宝石的缺点:1。晶格失配和热应力失配会在外延层产生大量缺陷；2.蓝宝石是绝缘体，上表面做了两个电极，减少了有效发光面积；3.增加了光刻和刻蚀工艺，制造成本高。

硅是热的良导体，可以明显提高器件的热导率，从而延长器件的使用寿命。

碳化硅衬底的LED芯片中(CREE公司专门用SiC材料做衬底)，电极呈L形，电流纵向流动。用这种衬底制作的器件具有非常好的导电性和导热性，有利于制作大面积大功率器件。优点:碳化硅的热导率为490 W/m·k，比蓝宝石衬底高10倍以上。缺点:碳化硅制造成本高，需要降低相应的成本才能实现其商业化。

8led功能

(1) quad芯片采用MOVPE工艺制造，亮度比常规芯片更亮。

(2)可靠性优秀。

(3)应用广泛。

(4)安全性高。

(5)使用寿命长。

9如何判断

led芯片价格:一般下芯片的价格高于晶圆，大功率led芯片肯定高于小功率led芯片，进口的高于国产的。从日本、美国和台湾省进口的来源价格依次下降。

led芯片的质量:led芯片的质量主要以裸晶亮度和衰减两个主要标准来衡量，主要以封装过程中led芯片封装的良率来计算。

10日常使用

红光:9mil平方，(纯红)波长:620-625nm，上下60，左右120，亮度高达1000-1200 MCD；

绿光:12mil正方形，(纯绿色)波长:520-525nm，上下60，左右120，亮度可达2000-3000 MCD；；

性能:具有亮度高、抗静电能力强、抗衰减能力强、一致性好等特点，是制作led招牌、led发光字的最佳选择。

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16制造商介绍

台湾省LED芯片制造商

Epistar(简称:ES，(联全，袁坤，永琏，国联)，Huga，创世纪光子，和Arima光电(简称:AOC，Tekcore，奇力，聚信，洪光，晶发)。光磊(ED)和Tyntek简称TK，耀福洲科技TC，台塑外延，郭彤，厉安定，全信光电(VPEC)等

华星(Ledtech电子)、东贝(Unity Opto Technology)、帕拉光电子、亿光(Everlight电子)、百弘(Bright LED电子)、金布赖特(Kingbright)、凌森精密工业(Lingsen Precision Industries)、利吉特电子、Lite-On Technology、HARVATEK等。

国内LED芯片制造商

三安光电简称(S)、上海Epilight简称(E)、石兰明信(SL)、大连鲁美简称(LM)、元帝光电、华灿光电、南昌辛雷、上海金桥达晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司。

国际LED芯片制造商

CREE、惠普(HP)、Nichia、丰田合成、Ocean Ristic Acid、东芝、昭和电气(SDK)、Lumileds、Smileds、Genelite、Osram、GeLcore、Seoul Semiconductor、Puri和韩国Epivalley。

17防盗装置

模型

参考数据

1.LED芯片注意事项。。cob[引用日期2013-05-21]。

2.LED芯片分类。LED灯[引用日期2013-04-28]。

3.LED芯片的重要参数和两种结构分析。半导体器件应用网[引用日期:2013-07-10]。

4.LED芯片和器件的分类测试。大比特商务网[引用日期2013-05-3]。

5.LED芯片使用中的常见问题分析。大比特商务网[引用日期2013-05-24]。

led芯片价格:一般下芯片的价格高于晶圆，大功率led芯片肯定高于小功率led芯片，进口的高于国产的。从日本、美国和台湾省进口的来源价格依次下降。

led芯片的质量:led芯片的质量主要以裸晶亮度和衰减两个主要标准来衡量，主要以封装过程中led芯片封装的良率来计算。