内存芯片有几代？

DDR SDRAM是双倍数据速率同步动态随机存取存储器的缩写，是威盛等公司为与RDRAM竞争而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新产品，使用2.5v的工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样SDRAM的速度可以提高一倍，而不增加时钟频率，传输速率和内存带宽是SDRAM的两倍。比如与PC 133 SDRAM相比，工作频率也是133MHz，但内存带宽达到2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流芯片组都支持DDR SDRAM，这是最常用的内存类型。

DDR2(双倍数据速率2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)开发的新一代存储器技术标准。DDR2与上一代内存技术标准最大的区别在于，虽然在时钟上升/下降延迟的同时采用了数据传输的基本方式，但DDR 2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍(即4-4bit数据读取和预取)。换句话说，DDR2存储器可以以4倍于外部总线的速度读/写数据，并以4倍于内部控制总线的速度运行。

此外，由于DDR2标准规定DDR2存储器全部在FBGA封装，与目前广泛使用的TSOP/TSOP-II封装不同，FBGA封装可以提供更好的电气性能和散热，为DDR2存储器的稳定工作和未来的频率发展提供坚实的基础。回顾DDR的发展历程，从第一代DDR200通过DDR266、DDR333应用于个人电脑，到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展已经到了技术极限，常规的方法很难提高内存的工作速度。随着英特尔最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求越来越高，拥有更高、更稳定工作频率的DDR2内存将是大势所趋。

RDRAM是Rambus动态随机存取存储器的缩写，是Rambus公司开发的一种具有系统带宽和片间接口设计的存储器。它可以在很高的频率范围内通过简单的总线传输数据，同时在高速同步时钟脉冲的两个边沿使用低压信号传输数据。一开始是Intel 820芯片组支持RDRAM，后来有了840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了Intel的大力支持，但由于其高昂的价格和Rambus的专利授权限制，一直未能成为市场的主流，其地位很快被相对便宜且同样性能优异的DDR SDRAM所取代，市场份额很小。