发几个大公司近两年的审查决定全文
一、诉因
本复审请求涉及申请号为02805240.4、名称为“半导体封装及其制造方法”的PCT国际申请(以下简称申请)。申请人是道康宁公司(以下简称申请人)。本申请的申请日为65438+2002年10月17日，优先权日为2006年2月20日，公布日为2004年7月21日，本申请进入中国国家阶段的日期为2003年8月20日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部于2007年4月27日作出驳回决定，驳回了本申请，其中引用对比文件如下:
对比文件1: US 4939065A，公开日期为1990年7月3日。
驳回理由是，本申请权利要求的第1-7项、第9项、第11项与对比文件1和公知技术的组合相比不具有创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。驳回决定所依据的文本为:2003年8月20日提交的说明书第1-20页、说明书附图第1和2页、说明书摘要、2007年3月6日提交的权利要求第1-1项。
驳回决定所针对的索赔如下:
"1.一种制造图案化膜的方法，其特征在于以下步骤:
(I)将硅氧烷组合物施加到基底表面以形成膜，其中硅氧烷组合物包含:
每分子平均含有至少两个与硅键合的烯基的有机聚硅氧烷，
每分子平均含有至少两个与硅键合的氢原子的有机硅化合物，其浓度足以固化该组合物，和
光活化氢化硅烷化催化剂的催化量；
(ii)将该膜的一部分暴露于波长为150-800n m的辐射下，以制备部分曝光的膜，该膜具有覆盖该表面一部分的未曝光区域和覆盖该表面其余部分的曝光区域；
(iii)加热部分曝光的胶片一段时间，使得曝光区域基本上不溶于显影溶剂，而未曝光区域可溶于显影溶剂；
(iv)用显影溶剂除去加热膜的未曝光区域，形成图案化膜；和
(v)加热图案化的膜足够长的时间，以形成固化的硅氧烷层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括半导体晶片，所述表面包括所述半导体晶片的有源表面，所述有源表面包括至少一个集成电路，并且每个集成电路具有多个焊盘。
3.根据权利要求2所述的方法，其中晶片还包括纬纱。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述固化的硅氧烷层的厚度为1至50微米。
5.权利要求1的方法，其中组分(a)是基本上由R 1-3 SiO 1/2硅氧烷单元组成的有机聚硅氧烷树脂，其中每个R 1独立地选自单价烃基和单价卤代烃基，并且R 1在有机聚硅氧烷树脂中
6.权利要求1的方法，其中组分(b)是有机聚硅氧烷。
7.权利要求1的方法，其中组分(b)的浓度足以向组分(a)中的每个烯基提供0.7至1.2个与硅键合的氢原子。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述光活化的氢化硅烷化催化剂是β-二酮合铂(II)。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅酮组合物进一步包含有机溶剂。
10.权利要求1的方法，其中组分(c)选自铂(II)β-二酮配合物、(η-环戊二烯基)三烷基铂配合物、三氮烯氧化物-过渡金属配合物和(η-二烯)(σ-芳基)铂配合物。
11.一种通过权利要求1-10中任一项的方法制造的半导体封装。"。
申请人(以下简称复审请求人)不服上述驳回决定，于2007年8月13日向专利复审委员会提交了复审请求书和参考文献，并附有英文实验证言的内容及其摘要的译文，未提交修改后的文本。复审申请人认为本申请中的催化剂与对比文件1中公开的催化剂明显不同。在参考文件1中，具体使用铂-乙烯基硅氧烷络合物催化剂。这些催化剂对紫外辐射没有响应，在正常状态下具有催化活性，即其反应基团的反应活性不是由温度升高或紫外辐射带来的。在对比文件1中，紫外辐射过程的作用是破坏抑制剂的抑制作用，而不是活化催化剂本身。相反，这种应用需要使用光活化的氢化硅烷化催化剂，其基团在基态没有或仅有不足的反应(催化)活性，并且仅在被UV辐射激发后具有反应(催化)活性。在复审请求人提供的实验证言中，阐述了对比实验以证实上述观点，因此认为本申请的权利要求1相比对比文件1具有明显的创造性，符合专利法第二十二条第三款的规定。
通过形式审查后，专利复审委员会依法受理复审请求，并于2007年9月14日向复审请求人发出复审受理通知书，转送原实质审查部门进行预审。
原实质审查部门在预审意见中坚持原驳回决定。
随后，专利复审委员会成立合议庭审理了本案。
本案合议组于2008年10月26日向请求人发送了复审通知书165438+，指出本申请的权利要求1-7、9、11没有说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。具体原因是，本申请的权利要求1中的“光活化”属于功能性定义，即通过光照具有一定的活性，而本申请说明书中记载的一系列特定催化剂仅属于特定的特定类型催化剂，复审请求人提交的实验证言仅涉及具有光活化功能的特定催化剂。本领域技术人员无法理解该功能也可以通过说明书中未描述的其他组合物来实现，因此权利要求1中定义的光活化催化剂含有过量的范围，这是说明书所不能支持的。从属权利要求2-7和9以及权利要求11的附加技术特征没有进一步限定催化剂的类型和具体成分，因此存在与权利要求1相同的问题，该问题得不到说明书的支持。
对此，复审申请人于2009年6月5438+10月12日提交了意见陈述和权利要求全文的替换页，其中权利要求1(C)中增加了“其中光活化的硅氢化催化剂含有铂族金属，在波长150至800 nm的照射下以及随后的加热下能够催化组分”的特征。复审申请人认为，在本申请之前，现有技术中没有教导或暗示使用光活化的氢化硅烷化催化剂来催化氢化硅烷化反应，本申请应当享有广泛的保护，并且本领域技术人员可以容易地确定在波长为150-800 nm的照射下以及随后的加热下，哪些铂族金属催化剂可以适用于催化组分(a)和组分(b)的氢化硅烷化反应。
修订后的索赔如下:
"1.一种制造图案化膜的方法，其特征在于以下步骤:
(I)将硅氧烷组合物施加到基底表面以形成膜，其中硅氧烷组合物包含:
(a)每分子平均含有至少两个与硅键合的烯基的有机聚硅氧烷，
(b)每分子平均含有至少两个与硅键合的氢原子的有机硅化合物，其浓度足以固化该组合物，和
(c)催化量的光活化的氢化硅烷化催化剂，其中所述光活化的氢化硅烷化催化剂包含铂族金属，并且在暴露于波长为150-800n m的辐射和随后加热下，能够催化组分(a)和组分(b)的氢化硅烷化反应；
(ii)将该膜的一部分暴露于波长为150-800n m的辐射下，以制备部分曝光的膜，该膜具有覆盖该表面一部分的未曝光区域和覆盖该表面其余部分的曝光区域；
(iii)加热部分曝光的胶片一段时间，使得曝光区域基本上不溶于显影溶剂，而未曝光区域可溶于显影溶剂；
(iv)用显影溶剂除去加热膜的未曝光区域，形成图案化膜；和
(v)加热图案化的膜足够长的时间，以形成固化的硅氧烷层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括半导体晶片，所述表面包括所述半导体晶片的有源表面，所述有源表面包括至少一个集成电路，并且每个集成电路具有多个焊盘。
3.根据权利要求2所述的方法，其中晶片还包括纬纱。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述固化的硅氧烷层的厚度为1至50微米。
5.权利要求1的方法，其中组分(a)是基本上由R 1-3 SiO 1/2硅氧烷单元组成的有机聚硅氧烷树脂，其中每个R 1独立地选自单价烃基和单价卤代烃基，并且R 1在有机聚硅氧烷树脂中
6.权利要求1的方法，其中组分(b)是有机聚硅氧烷。
7.权利要求1的方法，其中组分(b)的浓度足以向组分(a)中的每个烯基提供0.7至1.2个与硅键合的氢原子。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述光活化的氢化硅烷化催化剂是β-二酮合铂(II)。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅酮组合物进一步包含有机溶剂。
10.权利要求1的方法，其中组分(c)选自铂(II)β-二酮配合物、(η-环戊二烯基)三烷基铂配合物、三氮烯氧化物-过渡金属配合物和(η-二烯)(σ-芳基)铂配合物。
11.一种通过权利要求1-10中任一项的方法制造的半导体封装。"。
在上述程序的基础上，合议庭认为本案事实清楚，现依法作出复核决定。
二、决定的理由
1，评论文本的标识
在复审程序中，复审申请人于2009年6月65438+10月12日提交了权利要求的全文修改替换页，其中在权利要求1(C)中增加了“其中光活化的氢化硅烷化催化剂含有铂族金属并能催化组分(在波长150至800 nm的照射下并随后加热)”的特征。经审查，上述修改清楚地记载在原说明书第8页倒数第二段中，因此该修改符合专利法第三十三条和专利法实施细则第六十条第1款的规定。
本复审决定的依据是复审请求人于2009年6月5438日+10月02日提交的第1-11号权利要求书、2003年8月20日提交的说明书第1-20页、附图第1页、第2页及说明书摘要。
2.论专利法第26条第4款
专利法第二十六条第四款规定，权利要求书应当以说明书为依据，标明专利保护的范围。
具体到本案，合议庭认为本申请的权利要求1-7、9、11得不到说明书的支持，不符合专利法第二十六条第四款的规定。具体原因如下:
本申请的权利要求1请求保护一种用于制造图案化膜的方法，该方法包括将硅氧烷组合物施加到基底表面以形成膜的步骤，其中该硅氧烷组合物包含(a)平均每分子含有至少两个与硅键合的烯基的有机聚硅氧烷，(b)平均每分子含有至少两个与硅键合的氢原子的有机硅化合物，其浓度足以固化该组合物， (c)催化量的光活化的氢化硅烷化催化剂，其中所述光活化的氢化硅烷化催化剂包含铂族金属，并且在暴露于波长为150-800n m的辐射和随后加热下，能够催化组分(a)和组分(b)的氢化硅烷化反应。 权利要求1对含铂族金属的硅氢化催化剂采用了“光活化”和“能够在波长150 ~ 800n m的照射下催化组分(a)和组分(b)的硅氢化反应并随后加热”的功能定义。其中，“光活化”催化剂的含义是在光子激发下具有催化性能的化学物质，是指该化学物质通过光的照射而具有一定的活性功能；“能够在波长为150-800 nm的照射下催化组分(a)和组分(b)并随后加热”的定义是指在一定的反应条件下催化某种物质的能力，这实际上限制了能够实现反应过程的反应条件。以上限制都是功能上的限制，而不是催化剂本身的成分或结构配体。尽管复审申请人在此次修改中进一步将光活化的氢化硅烷化催化剂定义为“含有铂族金属”，但上述功能定义中定义的含有铂族金属的氢化硅烷化催化剂仍然概括了过于宽泛的范围，包括相当多种催化物质。但是，本申请说明书(第8页第1段-第9页第1段)中描述的一系列特定催化剂仅属于某一特定类型，即铂族金属的某些特定硅氢化催化剂，上述催化剂的工作原理在本申请说明书中并未从化学原理上进行解释，仅给出了一系列特定物质。只有通过将这一系列特定的催化剂物质与(a)和(b)中定义的物质放在一起，并在一定条件下反应，才能实现本发明的图案化膜。同时，复审申请人提交的实验证言中仅涉及一种具有光活化功能的特定催化剂。因此，本申请的权利要求1中定义的含铂族的光活化催化剂仍然包含了过大的范围，本领域普通技术人员仅从说明书中描述的一些特定的催化剂中无法判断哪些类型的在该范围内但在本申请中没有描述的光活化催化剂能够实现上述功能。因此，权利要求1得不到说明书的支持，不符合专利法第26条第4款的规定。
权利要求2-7和9直接或间接引用了权利要求1，其附加技术特征没有对光活化硅氢加成催化剂的组分或结构配体进行进一步限定，因此也存在上述描述不被支持的问题，不符合专利法第26条第4款的规定。
权利要求11请求保护通过权利要求1-10中任一项的方法制造的半导体封装，并且其不进一步限制光活化氢化硅烷化催化剂的组成或结构配体，因此当其保护通过权利要求1-7和9中任一项的方法制造的半导体封装时也存在。
对于复审请求人的意见陈述，合议庭认为:《审查指南》第二部分第二章第3.2.1节规定，权利要求要求保护的技术方案应当是所属技术领域的技术人员能够从说明书充分公开的内容中获得或者概括的技术方案，并且不得超出说明书公开的范围。本申请的权利要求1-7、9、11中的催化剂仅由其功能限定，限定的范围包括所有含有铂族金属，在波长为150-800 nm的照射下及随后的加热下能催化组分(a)和组分(b)的硅氢化反应的光活化硅氢化催化剂。复审申请人强调，现有技术中没有使用光活化硅氢加成催化剂催化硅氢加成反应的教导或暗示，因此除了本申请说明书中具体记载的几种特定催化剂外，本领域技术人员无法得知哪些催化剂能够完成上述功能，它们能够催化的事实并不意味着能够达到本申请中预期达到的效果，催化时间可以很长也可以很短。作为工业应用，并不是这个范围内的所有催化剂都能解决这种应用所要解决的技术问题，达到预期的效果。因此，本领域技术人员不能从说明书公开的内容中概括出权利要求1-7、9、11中要求保护的催化剂，复审请求人的理由不成立。
第三，决定
维持国家知识产权局于2007年4月27日驳回该申请的决定。
如果您对本复审请求决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以在收到本决定之日起三个月内向北京市第一中级人民法院提起诉讼。