spaceetch是怎么做到的？

Spaceetch，先在700℃热氧化生长一层150？左右衬TEOS作为刻蚀氮化物的停止层，也作为氮化物的缓冲层，以减小氮化物对Si的应力。然后再沉积一层SIN(300？)，这是主要的，但不要太厚，太厚会对TEOS下部衬砌结构造成破坏，也就是说，衬砌TEOS将无法支撑。

但是，垫片要求有一定的厚度，所以一层TEOS(1000？100?)，从而形成O-N-O结构。

在间隔物蚀刻期间，干法蚀刻停止在内衬TEOS上，然后湿法蚀刻用于蚀刻内衬TEOS，但是没有完全去除。氧化物剥离后，内衬氧化物仍有50？作为SN+、SP+的IMP的掩蔽层。