sram存储器是谁发明的？

在内存专利诉讼中，独立发明家詹姆斯·古德曼(James Goodman)起诉了包括英特尔在内的6家厂商。

2065 438+01 6月10日，来自德克萨斯州的独立发明家詹姆斯·古德曼(James Goodman)起诉以半导体龙头英特尔和日本厂商尔必达为首的6家厂商侵犯1专利。整个案件目前正由北加州联邦地区法院进行调查。

此次争议的专利号为US6，243，315。该专利的发明人和专利权人均为詹姆斯·古德曼(James Goodman)，主要涉及存储器件的电源控制设计。詹姆斯·古德曼(James Goodman)认为，使用这项专利技术可以提高内存的两个特性，即低能耗和高效率。

根据詹姆斯·古德曼在诉状中的陈述，包括英特尔在内的6家被告厂商生产的PSRAM(伪SRAM)产品均侵犯了315号专利。目前手机和手持设备市场上主要的三种内存类型是DRAM、SRAM(同步RAM)和PSRAM。由于其DRAM架构体系和SRAM的外部接口，PSRAM本身也可以看作是两种存储器的结合。其竞争优势在于内存容量大，生产成本低。16Mb PSRAM的价格甚至比8Mb SRAM还便宜。此外，PSRAM也是iPhone目前配备的内存组之一。