什么是DDR和SDRAM？以及它们的含义

存储器也是计算机系统中的重要附件。其数量和质量直接影响整个系统的性能和稳定性。今天我就给大家介绍几个关于内存的主要参数，希望能在你选购和使用内存的时候得到帮助。

存储器也是计算机系统中的重要附件。其数量和质量直接影响整个系统的性能和稳定性。今天我就给大家介绍几个关于内存的主要参数，希望能在你选购和使用内存的时候得到帮助。

同步动态随机存储器(SDRAM):是目前PC 100和PC 133规范中广泛使用的一种存储器类型。目前其带宽为64位，电压为3.3V，产品最高速度可达5ns。它使用与CPU相同的时钟频率进行数据交换，工作频率与CPU的外部频率同步，因此没有延迟和等待时间。

双数据速率SDRAM (DDR SDRAM):简称DDR，因为可以在时钟触发沿的上下沿传输数据，所以即使在133MHz的总线频率下，带宽也可以达到2.128GB/s。DDR不支持3.3V电压的LVTTL，支持2.5V的SSTL2标准，仍然可以使用现有的SDRAM生产系统，制造成本略高于SDRAM，但仍然比Rambus低很多，因为制造普通SDRAM的设备只需稍加改进就可以生产DDR内存，不存在专利问题，所以代表了未来可以和Rambus抗衡的内存发展方向。

Direct Rambus DRAM，DRDRAM)是英特尔倡导的未来存储器的发展方向。它将RISC(精简指令集)引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。工作频率比SDRAM高(不低于300MHz)，但数据通道接口带宽低，只有16位。当工作时钟为300MHz时，Rambus分别利用时钟的上沿和下沿传输数据，因此其数据传输速率可以达到300× 16× 2/8 = 1.2gb/。它与传统DRAM的不同之处在于，管脚定义会随着命令而变化，同一组管脚线既可以定义为地址线，也可以定义为控制线。它的引脚数只有普通DRAM的三分之一。

虚拟通道内存(VCM)是大多数最新主板芯片组支持的内存标准。VCM是NEC公司开发的新型“缓冲DRAM”，大容量SDRAM将采用这种技术。它集成了所谓的“通道缓冲器”，由高速寄存器配置和控制。VCM在实现高速数据传输的同时，也保持了与传统SDRAM的高兼容性，所以VCM存储器通常被称为VCM SDRAM。VCM和SDRAM的区别在于，数据无论是否经过CPU处理，都可以提交给VCM进行处理，而普通SDRAM只能处理经过CPU处理的数据，这也是VCM处理数据速度比SDRAM快20%以上的原因。

CL(CAS Latency):是CAS的延迟时间，是垂直寻址脉冲的反应时间，也是衡量某一频率下支持不同规格的存储器的重要标志之一。比如目前大部分SDRAM(外接频率为100MHz时)可以运行在CAS Latency = 2或3的模式下，即读取数据的延迟时间可以是2个时钟周期，也可以是3个时钟周期。

TCK(TCLK):指系统时钟周期，代表SDRAM可以运行的最大频率。数字越小，SDRAM芯片可以运行的频率越高。对于一个普通的PC 100 SDRAM，其芯片上的logo“-10”代表其运行时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外部频率下正常工作。

TAC(来自CLK的访问时间):它是具有最大CAS延迟的最大输入时钟数。PC 100规范要求当CL=3时，TAC不应大于6ns。一些内存号的数字代表这个值。目前大部分SDRAM芯片的存取时间是5、6、7、8或者10ns。

对于PC 100的内存，当CL=3时，tCK的值应该小于10ns，tAC应该小于6ns。一般用这个公式计算总延迟时间:总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+访问时间(tAC)。比如PC 100内存的访问时间是6ns，我们设置CL模式数为2(即CAS延迟=2)，那么总延迟时间=10ns×2+ 6ns= 26ns，也就是说如果PC 100和PC 133的内存只在66MHz或100MHz总线下使用，CAS延迟的值应该设置为2，即