任的个人成就

在七五、八五、九五期间参与并承担了多项国家863重点项目、国家重点基础研究发展规划项目(973)、国家自然科学基金项目。在国内外学术期刊和会议上发表论文100余篇，获得国家发明专利4项，科技成果鉴定1项。1.硅基铁电集成器件

针对硅微电子器件的应用，系统研究了PZT、PT、BST、BLT等重要硅基铁电薄膜材料的物理性质、制备和刻蚀方法，很好地解决了与常规微电子工艺兼容的高质量硅基铁电器件的核心集成技术问题。在此基础上，多种新型硅基铁电集成器件被研制成功。

(1)铁电微声器件

将PZT铁电薄膜与MEMS技术相结合，成功实现了一种新型硅基铁电集成麦克风。这种新型MEMS微声学器件具有优异的灵敏度和频响特性，可以集成微麦克风和扬声器的功能，可广泛应用于音频和超声频段的各种微声学系统，可以极大地拓展传统微麦克风的应用空间。

(2)铁电存储器

针对非挥发性和嵌入式应用，提出了一种新的高质量大面积铁电薄膜制备方法，解决了刻蚀损伤、氢隔离层、应力匹配等与常规CMOS工艺的兼容问题。提出了一种铁电电容精确电模拟的新方法(已获专利)，设计并优化了铁电存储单元和阵列的结构。在此基础上，成功研制了具有非易失性存储功能的铁电存储芯片样机。

2.其他新型硅微电子器件

(1)磁电子器件

研究并优化了纳米磁性多层膜的微磁结构，解决了高质量硅基多层纳米磁性膜的制备和刻蚀等关键器件集成方法，实现了磁电阻变化率超过9%的标准巨磁电阻(GMR)自旋阀结构。设计了优化的器件单元结构，研制了性能优异的磁场传感器芯片，可用于验钞机磁头。

(2)新型射频微电感

提出了一种新型叠层通孔磁芯结构的RF-SOC微电感，将新型绝缘磁性材料与CMOS工艺相结合，实现了高质量的RF微电感。1.2004，教育部新世纪优秀人才支持计划。

2.2003年，霍英东教育基金会授予高等院校青年教师(研究类)。