SDRAM、DDR和RDRAM的技术特点及未来应用趋势。

同步动态随机存取存储器，同步动态随机存取存储器。同步是指存储器需要一个同步时钟，内部的命令发送和数据传输都是基于它。动态意味着存储阵列需要不断刷新，以确保数据不丢失；随机性是指数据不是按线性顺序存储，而是可以在自由指定的地址读写。

SDRAM发展至今经历了四代，即第一代SDR SDRAM、第二代DDR SDRAM、第三代DDR2 SDRAM和第四代DDR3 SDRAM。

DDR3内存。它属于SDRAM系列内存产品，比DDR2 SDRAM提供更高的运行效率和更低的电压。它是DDR2 SDRAM(四倍数据速率同步动态随机存取存储器)(提高到八倍)的继任者，也是目前比较流行的存储器产品。为了更省电，提高传输效率，DDR3 SDRAM采用SSTL 15的I/O接口，工作I/O电压为1.5V，采用CSP和FBGA封装。除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、贴PASR和AL控制方式外，它还增加了更先进的CWD、复位和ZQ。CWD用于写延时，Reset提供超级省电功能的命令，可以停止DDR3 SDRAM内存粒度电路的运行，进入超级省电待机模式，ZQ是新增的终端电阻校准功能。添加此线路引脚提供ODCE(片上校准Engline)来校准ODT(片上终端)的内部中断电阻，并添加SRT(自刷新温度)可编程温度控制存储时钟功能。随着SRT的加入，存储粒子在温度、时钟和电源管理方面得到了优化。可以说在内存中，做了电源管理功能，大大提高了内存粒子的稳定性，保证了内存粒子不会因为工作时钟高而被烧毁。同时，DDR3 SDRAM还加入了PASR(Partial Array Self-Refresh)局部存储体刷新功能，可以说是对整个存储体进行更有效的数据读写，达到省电的效果。

2.

双倍数据速率双倍速率同步动态随机存取存储器。严格来说，DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯叫DDR。其中，SDRAM是同步动态随机存取存储器的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是双倍数据速率SDRAM的缩写，意思是双倍速率同步动态随机存取存储器。DDR内存是在SDRAM内存的基础上发展起来的，仍然使用SDRAM生产体系。所以对于内存厂商来说，只需要稍微改进一下制造普通SDRAM的设备就可以生产DDR内存，可以有效降低成本。

与SDRAM相比，DDR采用了更先进的同步电路，使指定地址和数据传输输出的主要步骤独立执行，并与CPU保持完全同步；DDR使用DLL(延迟锁定环)技术。当数据有效时，存储器控制器可以使用该数据过滤器信号来准确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR可以在不增加时钟频率的情况下将SDRAM的速度提高一倍。它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读取数据，因此其速度是标准SDRAM的两倍。DDR和SDRAM在外观和体积上没有太大区别。它们具有相同的尺寸和相同的引脚距离。但DDR有184个管脚，比SDRAM多16个，主要包含控制、时钟、电源、接地等新信号。DDR内存采用支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的支持3.3V电压的LVTTL标准。

这个也缩写为DDR，不过好像和你问的没什么关系。

按需拨号路由(ddr)通过使用公共电话网络提供网络连接。一般来说，大多数广域网都是通过专线连接的。路由器连接到DCE设备，如调制解调器或ISDNTAS。它们支持同步V.25BITS协议。您可以用脚本和拨号器命令设置拨号字符串。

3.

RDRAM(RAMBUS DRAM)是美国RAMBUS公司开发的一种存储器。与DDR和SDRAM不同，它采用串行数据传输方式。在推出的时候，因为完全改变了内存的传输方式，无法保证与原有的制造工艺兼容，而且内存厂商要在加纳支付一定的专利费才能生产RDRAM，再加上自身的制造成本，导致RDRAM从问世的那一刻起，普通用户就无法接受其高昂的价格。同时，DDR以低廉的价格和良好的性能逐渐成为主流。虽然RDRAM得到了英特尔的大力支持，但它从未成为主流。RDRAM的数据存储位宽为16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但从频率上来说，要比两者高很多，可以达到400MHz甚至更高。同样，一个时钟周期传输两次数据，在时钟的上升期和下降期可以传输一次数据，内存带宽可以达到1.6Gbyte/s..普通DRAM行缓冲区的信息写回内存后不会被保留，而RDRAM具有继续保留这些信息的特性，所以在访问内存时，如果行缓冲区中有目标数据，就可以使用，从而实现高速访问。此外，它还可以收集数据并以数据包的形式传输，所以只要一开始使用24个时钟，以后每1个时钟就可以读取1个字节。一次访问可以读取的数据长度可以达到256字节。