内存有哪些参数？
●记忆
内存是存储程序和数据的地方。比如我们用WPS处理文档的时候，当你在键盘上输入字符的时候，它会被存储在内存中。当您选择保存时，内存中的数据将被存储在硬(磁)盘上。在进一步了解它之前，我们还应该知道它的物理概念。
●只读存储器(ROM)
ROM代表只读存储器。制造ROM时，信息(数据或程序)被永久存储和保存。这些信息只能读，一般不能写。即使机器断电，数据也不会丢失。ROM一般用来存储基本的计算机程序和数据，如BIOS ROM。其物理外观通常是双列直插式(DIP)集成块。
●随机存取存储器(RAM)
随机存取存储器意味着可以从其中读取和写入数据。当机器断电时，存储在其中的数据将会丢失。我们平时购买或升级的内存条作为电脑的内存。记忆棒(SIMM)是一个将RAM集成块聚集在一起的小电路板，它被插入到计算机的内存插槽中，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上有128米/件，256米/件，512米/件等等。
低速缓存(高速缓存)
缓存也是我们经常遇到的一个概念。它位于CPU和内存之间，是一种读写速度比内存更快的内存。当CPU向内存中写入或读取数据时，这些数据也存储在缓存中。当CPU再次需要这些数据时，CPU会从缓存中读取数据，而不是访问速度较慢的内存。当然，如果所需数据不在缓存中，CPU会再次读取内存中的数据。
当你理解了以上概念，你可能会问，内存就是内存，为什么会有各种各样的内存术语，这是怎么回事？
在回答这个问题之前，我们先来看看下面这段话。
物理内存和地址空间
物理内存和存储地址空间是两个不同的概念。但由于两者关系密切，而且都是用B、KB、MB、GB来衡量容量，所以在理解上很容易混淆。初学者理解这两个不同的概念，有助于进一步理解内存，利用好内存。
物理内存是指实际存在的特定内存芯片。比如插在主板上的内存条和装载系统BIOS的ROM芯片，显卡上的显示RAM芯片和装载显示BIOS的ROM芯片，各种适配卡上的RAM芯片和ROM芯片，都是物理内存。
内存地址空间是指内存编码(编码地址)的范围。所谓编码，就是给每个物理存储单元(一个字节)分配一个编号，通常称为“寻址”。给存储单元分配一个编号的目的是为了方便查找，完成数据读写，这就是所谓的“寻址”(因此，也有人称之为地址空间)。
地址空间的大小和物理内存的大小不一定相等。我们举个例子来说明这个问题:某层有17个房间，它们的编号是801 ~ 817。这17房间是实物，其地址空间采用三位编码，其范围为800 ~ 899 * * * 100地址，可见地址空间大于实际房间数。
386级以上的微机，地址总线是32位，所以地址空间可以达到232，也就是4GB。但实际上我们配置的物理内存通常只有1MB、2MB、4MB、8MB、16MB、32MB等。，远远小于地址空间允许的范围。
好了，现在我们可以解释为什么会有不同的内存类型了，比如常规内存、保留内存、上层内存、高端内存、扩展内存、扩展内存。
各种记忆概念
这里需要明确的是，我们讨论的不同内存的概念，都是基于寻址空间的。
IBM推出的第一台PC的CPU是8088芯片，只有20条地址线，也就是它的地址空间是1MB。
PC的设计者使用1MB的低端640KB作为DOS和应用的RAM，高端384KB则预留给ROM、视频适配器等系统。此后，这一界限被确定，并沿用至今。低端的640KB称为常规内存，是PC的基本RAM区域。保留内存中低的128KB是显示缓冲区，高的64KB是系统BIOS(基本输入输出系统)空间，剩下的192KB是保留的。根据对应的物理内存，基本内存区只使用512KB芯片，从0000到80000占用512KB地址。虽然显示存储区有128KB的空间，但单色显示(MDA卡)只需要4KB，所以只安装了4KB的物理存储芯片，从B0000到B10000占用了4KB的空间。如果使用彩色显示器(CGA卡)，需要安装16KB的物理内存，从B8000到BC00需要占用16KB的物理内存。
在当时(1980年底到1981年初)，如此“大”容量的内存对于PC用户来说似乎已经足够了，但随着程序的不断增加，图像和声音的不断丰富，以及能够访问更多内存空间的新型CPU的出现，原有PC和MS-DOS设计的局限性越来越明显。
1.什么是扩展内存？
EMS的工作原理
到了1984，也就是286被普遍接受后不久，人们越来越意识到640KB的限制已经成为大型程序的障碍。这时，Intel和Lotus这两个软硬件的杰出代表，共同研究出了一个软硬件结合的方案，使得所有PC访问640KB以上的RAM成为可能。微软刚刚推出Windows，对内存空间的需求很高，所以及时加入了这个行列。
1985开始，Lotus、Intel、微软定义了LIM-EMS，即扩展内存规范，通常称EMS为扩展内存。当时，EMS需要在I/O插槽中安装一个内存扩展卡和一个名为EMS的扩展内存管理器。但是I/O槽的地址线只有24位(ISA总线)，不适合386以上的32位计算机。所以现在很少用内存扩展卡了。目前微机中的扩展内存通常是在DOS下用EMM386等软件模拟或使用的。所以扩展内存和扩展内存的区别不在于它物理内存的位置，而在于用来读写的方法。下面会进一步介绍。
如前所述，扩展内存也可以从扩展内存模拟转换而来。EMS的原理和XMS不同，XMS采用的是页面框架模式。页框是在1MB空间(通常在保留内存区，但其物理内存来自扩展内存)中指定的64KB空间，分为四页，每页16KB。EMS内存也是按照16KB分页，一次可以交换4页，这样就可以访问所有的EMS内存。符合EMS的驱动有很多，比如EMM386.EXE，QEMM，TurboEMS，386MAX。EMM386.EXE在DOS和Windows中都有。
2.什么是扩展内存？
我们知道，286有24位地址线，可以寻址16MB的地址空间，而386有32位地址线，可以寻址高达4GB的地址空间。为了区分，我们把1MB以上的地址空间称为扩展内存XMS(eXtend memory)。
386级以上的微机内存有两种工作模式，一种叫实地址模式或实模式，一种叫保护模式。在实模式下，物理地址仍然使用20位，因此最大寻址空间为1MB，以兼容8086。保护方式采用32位物理地址，寻址范围可达4GB。DOS系统工作在实模式，管理的内存空间还是1MB，不能直接使用扩展内存。为此，Lotus、Intel、AST和微软制定了MS-DOS中扩展内存的使用标准，即扩展内存规范XMS。Himem.sys，也就是我们经常在Config.sys文件中看到的，是管理扩展内存的驱动。
扩展内存管理规范的出现晚于扩展内存管理规范。
3.什么是高内存区？
在实模式下，存储单元的地址可以记录为:
段地址:段内偏移量
通常用十六进制写成XXXX:XXXX。实际的物理地址是通过将段地址左移4位并将其添加到段内偏移量而形成的。如果地址是1，那就是FFFF:FFFF。其实际物理地址为:FFF0+FFFF = 10FFEF，约为1088KB(少16字节)，已经超出1MB的范围，进入扩展内存。这个进入扩展内存的区域大约是64KB，也就是1MB以上的第一个64KB空间。我们称之为高内存区HMA(High Memory Area)。HMA的物理内存是从扩展内存中获得的。因此，为了使用HMA，必须有一个物理扩展内存。另外，HMA的建立和使用需要XMS驱动HIMEM的支持。SYS，所以HMA只有加载himem.sys后才能使用
4.什么是上层记忆？
为了解释上层内存的概念，我们必须回顾一下保留内存区域。保留内存区是指640 KB ~ 1024 KB (* * * 384 KB)的区域。这部分区域在PC诞生的时候明明是给系统预留的，用户程序无法介入。但是这部分空间没有被充分利用，所以大家想把剩下的打个主意，用在一个地址空间里(注意:是地址空间，不是物理内存)。所以你得到了另一个内存区域UMB。
UMB(上部内存块)被称为上部内存或上部内存块。它是由于占用了保留内存中剩余的未使用空间造成的，它的物理内存仍然取自物理扩展内存，它的管理驱动是EMS驱动。
5.什么是影子记忆？
对于细心的读者，你可能还会发现一个问题:1MB以上物理内存的机器，如何使用640 KB ~ 1024 KB物理内存？因为这部分地址空间已经分配给系统使用，所以不能重用。为了利用这部分物理内存，在一些386系统中提供了重定位功能，即将这部分物理内存的地址重定位到1024 KB ~ 1408 KB。这样这部分物理内存就变成了扩展内存，当然可以使用。但是现在的高端机已经不使用这种重定位功能了，这部分物理内存留作影子内存。影子存储器可以占用与相应ROM相同的地址空间。Shadow由RAM组成，比ROM快很多。当rom(各种BIOS程序)的内容加载到相同地址的Shadow RAM中时，可以从RAM中访问BIOS，而无需访问ROM。这将大大提高系统性能。因此，在设置CMOS参数时，相应的阴影区域应设置为使能。
6.什么是奇偶校验？
奇偶校验(ECC)是数据传输中纠正数据错误的一种方式，分为奇偶校验和奇偶校验。
如果使用奇数奇偶校验，则在传输每个字节时会添加一个额外的位作为奇偶校验位。当实际数据中“1”的个数为偶数时，这个奇偶校验位为“1”，否则这个奇偶校验位为“0”，这样传输的数据就可以满足奇校验的要求。接收方接收到数据后，会根据奇校验的要求，检测数据中“1”的个数。如果是奇数，说明传输正确，否则说明传输错误。
奇偶校验的过程与奇校验相同，只是检测数据中“1”的个数是偶数。
总结
经过以上分析，内存的划分可以总结如下:
●基本内存占用0 ~ 640 KB地址空间。
●预留内存占用640 KB ~ 1024 KB地址空间。分配给显示缓冲存储器、每个适配卡上的ROM和系统ROM BIOS，剩余空间可用作上层内存UMB。UMB的物理内存取自物理扩展内存。这个范围的物理RAM可以用作影子RAM。
●高位内存(UMB)是利用保留内存中未分配的地址空间建立的，其物理内存是通过物理扩展内存获得的。UMB由EMS管理，其大小可以由EMS驱动程序设置。
●HMA扩展内存第一个64KB区域(1024 KB ~ 1088 KB)。由HIMEM建立和管理。[计]系统复制命令（system的简写）
●XMS内存符合XMS规范管理的扩展内存区。它的司机是HIMEM。[计]系统复制命令（system的简写）
●内存符合EMS规范管理的扩展存储区。它的司机是EMM386.EXE等。支持的内存类型是指主板支持的特定内存类型。不同的主板支持不同类型的内存。在早期，主板中使用的主要内存类型是FPM、EDO、SDRAM和RDRAM。目前主板常用的有DDR和DDR2内存。
FPM记忆
FPM是快速页面模式的缩写，是早期个人电脑常用的内存。它每三个时钟周期传输一次数据。已经被淘汰了。
扩展数据输出
EDO是扩展数据输出的缩写。它取消了主板和内存两个存储周期的时间间隔，每两个时钟周期传输一次数据，大大缩短了访问时间，访问速度提高了30%至60ns。EDO内存主要用于72线SIMM内存条和带EDO内存条的PCI显卡。这种内存在486和早期的奔腾计算机系统中很流行。分为72线和168线。它的工作电压为5V，带宽为32位。必须成对使用两行或四行。可以用在Intel 430FX/430VX甚至430TX芯片组的主板上。目前也已经被淘汰，只能在一些老机器上看到。
同步动态随机存取存储器
SDRAM是同步动态随机存取存储器(synchronous dynamic random access memory)的缩写，是前几年广泛使用的一种存储器形式。SDRAM使用3.3v的工作电压和64位的带宽。SDRAM通过同一个时钟把CPU和RAM锁在一起，让RAM和CPU享受一个时钟周期，以相同的速度同步工作，可以比EDO内存快50%。SDRAM基于双存储体结构，包含两个交错的存储阵列。当CPU从一个存储体或阵列中访问数据时，另一个准备好读写数据。通过紧密切换这两个存储器阵列，读取效率可以提高一倍。SDRAM不仅作为主存储器，还广泛应用于显卡上的显存。SDRAM曾经是长期使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM正逐渐退出主流市场。
RDRAM存储器
RDRAM是Rambus动态随机存取存储器的缩写，是Rambus公司开发的一种具有系统带宽和片间接口设计的存储器。它可以在很高的频率范围内通过简单的总线传输数据，同时在高速同步时钟脉冲的两个边沿使用低压信号传输数据。一开始是Intel 820芯片组支持RDRAM，后来有了840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了Intel的大力支持，但由于其高昂的价格和Rambus的专利授权限制，一直未能成为市场的主流，其地位很快被相对便宜且同样性能优异的DDR SDRAM所取代，市场份额很小。
DDR SDRAM存储器
DDR SDRAM是双倍数据速率同步动态随机存取存储器的缩写，是威盛等公司为与RDRAM竞争而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新产品，使用2.5v的工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样SDRAM的速度可以提高一倍，而不增加时钟频率，传输速率和内存带宽是SDRAM的两倍。比如与PC 133 SDRAM相比，工作频率也是133MHz，但内存带宽达到2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流芯片组都支持DDR SDRAM，这是最常用的内存类型。
DDR2
DDR2(双倍数据速率2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)开发的新一代存储器技术标准。DDR2与上一代内存技术标准最大的区别在于，虽然在时钟上升/下降延迟的同时采用了数据传输的基本方式，但DDR 2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍(即4-4bit数据读取和预取)。换句话说，DDR2存储器可以以4倍于外部总线的速度读/写数据，并以4倍于内部控制总线的速度运行。
DDR2记忆的频率
此外，由于DDR2标准规定DDR2存储器全部在FBGA封装，与目前广泛使用的TSOP/TSOP-II封装不同，FBGA封装可以提供更好的电气性能和散热，为DDR2存储器的稳定工作和未来的频率发展提供坚实的基础。回顾DDR的发展历程，从第一代DDR200通过DDR266、DDR333应用于个人电脑，到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展已经到了技术极限，常规的方法很难提高内存的工作速度。随着英特尔最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求越来越高，拥有更高、更稳定工作频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2和DDR的区别:
在了解DDR2内存的诸多新技术之前，我们先来看一组对比DDR和DDR2技术的数据。
1，延迟问题:
从上表可以看出，在相同的核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这是因为DDR2内存的4-4位预读能力是标准DDR内存的两倍。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，采用了时钟上升和下降延时同时传输数据的基本方法，但DDR2却拥有两倍的预读系统命令数据的能力。也就是说，同样的工作频率100MHz下，DDR的实际频率是200MHz，而DDR2可以达到400MHz。
于是又出现了一个问题:在工作频率相同的DDR和DDR2存储器中，后者的存储延迟要比前者慢。例如，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有两倍的带宽。其实DDR2-400和DDR400的带宽是一样的，都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR 400。
2、包装和热值:
DDR2内存技术最大的突破不在于用户认为是DDR两倍的传输容量，而是在发热量更低、功耗更低的情况下，DDR2可以实现更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ极限。
DDR内存通常采用TSOP芯片封装，可以在200MHz下很好的工作。频率较高时，其长管脚会产生高阻抗和寄生电容，影响其稳定性和频率提升的难度。这也是DDR核心频率难以突破275MHZ的原因。DDR2记忆被包装在FBGA。与目前广泛使用的TSOP封装不同，FBGA封装提供了更好的电气性能和散热，为DDR2存储器的稳定工作和未来的频率发展提供了良好的保障。
DDR2存储器的电压为1.8V，远低于DDR标准的2.5V，从而提供明显更小的功耗和发热。这一变化意义重大。
DDR2采用的新技术:
除了上述差异，DDR2还引入了三项新技术，即OCD、ODT和Post CAS。
OCD(片外驱动):所谓离线驱动调整，DDR II可以通过OCD提高信号完整性。DDR II通过调整上拉)/下拉电阻值使两个电压相等。OCD用于通过减小DQ-DQS倾角来提高信号完整性；通过控制电压改善信号质量。
ODT:ODT是内置核心的终端电阻。我们知道使用DDR SDRAM的主板需要很多端接电阻来防止数据线端反射信号。大大增加了主板的制造成本。事实上，不同的内存模块对端接电路有不同的要求。终端电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率。如果端接电阻小，则数据线的信号反射低，但信噪比也低。当端接电阻较高时，数据线的信噪比较高，但信号反射也会增加。所以主板上的端接电阻并不能很好的匹配内存条，也会在一定程度上影响信号质量。DDR2可以根据自身特点构建合适的端接电阻，保证最佳的信号波形。使用DDR2不仅可以降低主板成本，还可以获得最好的信号质量，这是DDR无法比拟的。
Post CAS:旨在提高DDR II内存的利用效率。在后CAS操作中，CAS信号(读/写/命令)可以在RAS信号之后插入到时钟周期中，并且CAS命令可以在额外的等待时间之后保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和delay)换成al(加性延迟)，可以设置在0，1，2，3，4。由于CAS信号比RAS信号晚一个时钟周期，ACT和CAS信号永远不会冲突。
总的来说，DDR2采用了许多新技术，改进了DDR的许多缺点。虽然目前存在成本高、性能慢等诸多缺点，但相信随着技术的不断改进和完善，这些问题终将得到解决。
ECC不是一种内存类型。ECC(纠错编码或检错纠错)是一种具有自动纠错功能的存储器。Intel的82430HX芯片组开始支持。使用这种芯片组的主板可以安装和使用ECC内存。但由于ECC内存成本较高，主要应用于对系统运行可靠性要求较高的商用计算机，如服务器/工作站等。其实内存错误并不经常发生，普通主板也不支持ECC内存，所以普通家用和办公电脑都不需要使用ECC内存。
参考资料:
/view/1082.html