QLC闪存有多快？-强大

东芝近日发布了全球首款基于QLC(四位单元)BiCS架构的3DNAND闪存芯片，64层堆叠封装，单颗容量768Gb(3*G*)，可以带来容量更大、成本更低的SSD产品。然而，随着NAND闪存技术的发展，寿命和耐用性一直是令人担忧的问题。目前NAND闪存已经发展成四种形式:SLC单比特单元，性能最好，寿命最长，但成本最高；MLC双位单元，性能、寿命、成本平衡，目前主要用于高端和企业级产品。TLC三位单元成本低，容量大，但寿命越来越短；QLC的四位单元自然延续了这一趋势。事实上，经过厂商的不断改进，TLC技术已经非常成熟，可以满足日常消费甚至企业级应用，目前几乎所有消费级固态硬盘都在使用。QLC闪存采用四位设计，每个单元有多达16种不同的电压状态，是TLC的两倍，而且单元面积不能做得太大，控制难度大大增加。此外，为了避免读写错误，主控制器在与QLC闪存匹配时还必须支持更高级的ECC。东芝开发了自己的Q**C纠错技术，据说比TLC设备中常用的LDPC更先进。最关键的来了:东芝宣称他们的QLCNAND拥有多达65，438+0，000个P/E编程擦除周期，远高于往年业界预测的65，438+0，000-65，438+0，50个周期，几乎相当于TLC闪存！这意味着QLC闪存的寿命完全不是问题，可以像TLC一样耐用！东芝是怎么做到的，目前还没有透露。它应该有一些全新的秘密技术，而且很可能已经申请了专利。