这个电路符号是什么意思？
其实电路图符号的标准并不是固定的，根据地区会有一些细微的差别。本文基于当前的国际标准IEC 60617。
通常在一个电路中，能量的来源——电源是最大的东西。所以，还是从电源说起吧。
完整电路图符号的电源
常见的电源有两种，一种是单电源，一种是多电源。如下图。
优质电源一般都有很多国家认证标志，比如FCC、美国UL、中国长城等。这些认证是认证机构根据行业内的技术规范制定的电源专业标准，包括生产工艺、电磁干扰、安全防护等。凡符合一定指标的产品，只有通过认证申报后，才能在包装和产品表面使用认证标志，具有一定的权威性。
根据工作方式和用途，电源可细分为:开关电源、逆变电源、交流稳压电源、DC稳压电源、DC/DC电源、通信电源、模块电源、变频电源、UPS电源、EPS应急电源、净化电源、PC电源、整流电源、定制电源、加热电源、焊接电源/电弧电源、电镀电源、网络电源、电气操作电源、适配器电源。此外，还有高压电源灯等专用电源。但在电路图中，电源的符号是一样的，通常标为v。
电路图电容符号大全
电容通常表示为:
在电路科学中，给定电位差，电容器储存电荷的容量称为电容，记为C(电容)。采用国际单位制，电容的单位是法拉，记为f。
具有完整电路图符号的电解电容器
电解电容器是电容器的一种。金属箔是阳极(铝或钽)，靠近阳极的氧化膜(氧化铝或五氧化二钽)是电介质。阴极由导电材料、电解质(电解质可以是液体或固体)和其他材料组成。电解电容器因电解质是阴极的主要部分而得名。同时，正负电解电容一定不能错。
带有完整电路图符号的可变电容器
电容在一定范围内可调的电容器称为可变电容器。通过改变极片之间的相对有效面积或极片之间的距离来改变可变电容器的容量，并且其容量相应地改变。一般由两组相互绝缘的极片组成:固定的一组极片称为定子，活动的一组极片称为转子。
带有完整电路图符号的二极管
二极管是具有不对称电导的双电极电子元件。理想二极管正向导电时，其两个电极(阳极和阴极)之间的电阻极小，反向导电时电阻极小，即只允许电流单向流过二极管。通常用字母D表示((二极管)。
带有完整电路图符号的齐纳二极管
一般二极管正向导通时电压可以维持在0.7V，可以提供稳定的电压。但是如果需要更大的电压，就需要串联很多二极管，使用起来不是很方便。如果二极管反向偏压大，就会崩溃，类似于正向导通时，具有稳压稳流的特性，所以利用这个特性发明了这种特殊的二极管——齐纳二极管。
齐纳二极管的名称也取自美国理论物理学家克拉伦斯·梅尔文·齐纳，他首次阐述了绝缘体的电崩溃特性。后来，贝尔实验室利用这一发现开发了这种二极管，并以齐纳二极管命名，也称为“电压调节器”。
具有完整电路图符号的隧道二极管
隧道二极管是一种可以高速开关的半导体，其开关速度可以达到微波频率的范围。它的原理是利用量子隧道效应。隧道二极管是江崎玲于奈在1958年8月，在东京通信工业株式会社(现在的索尼公司)工作时发明的。1973年，江崎玲于奈和布莱恩·约瑟夫森因发现上述半导体中的量子隧道效应而获得诺贝尔物理学奖。
这种二极管由高掺杂PN结(通常只有10 nm宽)构成。常用的材料包括具有窄能隙的材料，例如锗和砷化镓。由于高掺杂导致的晶格损伤，能隙间的缺陷更多，窄能隙材料减少了量子隧穿的障碍，因此可以增加量子隧穿的电流。隧道二极管常用于变频器和检波器。由于其负微分电阻，隧道二极管也可以应用于振荡器，放大器和开关电路的迟滞。
具有完整电路图符号的发光二极管
发光二极管(LED)是一种可以发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962就出现了。早期只能发出低光度的红光，惠普买下专利后用作指示灯。今天LED能发出的光已经遍布可见光、红外光、紫外光，亮度也有了很大的提升。用途从一开始的指示灯和显示板逐渐发展到广泛用于照明。
发光二极管只能在一个方向上开启，称为正向偏置。当电流流动时，电子和空穴在其中重叠，发出单色光，这种现象称为电致发光效应，而光的波长和颜色与所用半导体材料的种类和有意掺杂的元素杂质有关。白光LED的发光效率近年来有所提高。2014天野因“发明了高亮度蓝色发光二极管，带来了节能明亮的白光光源”，与赤崎勇、中村修二一起获得了诺贝尔物理学奖。
带有完整电路图符号的光电二极管
光电二极管是一种可以根据使用方式将光转换成电流或电压信号的光电探测器。常见的传统太阳能电池通过大面积光电二极管发电。
光电二极管基本上类似于传统的半导体二极管，只是它们可以直接暴露在光源附近，或者由透明的小窗口和光纤封装，以允许光到达该设备的光敏区域，从而检测光信号。许多用于设计光电二极管的二极管使用PIN结而不是普通PN结来提高器件对信号的响应速度。光电二极管通常被设计成在反向偏置状态下工作。
带有完整电路图符号的可控硅整流器
晶闸管整流器:是一种以晶闸管(电力电子电力器件)为基础，以智能数字控制电路为核心的电力控制电器。
带有完整电路图符号的变容二极管
变容二极管是一种特殊的二极管，其结电容随偏置电压的变化而显著变化。压敏电阻通常工作在反向偏置状态，其偏置电压的变化会改变耗尽层的厚度，从而影响结电容。这种二极管广泛应用于各种调谐电路中。
具有完整电路图符号的肖特基二极管
肖特基二极管是一种具有低导通压降并允许高速开关的二极管。它是利用肖特基势垒特性制作的电子元件。它的名字是为了纪念德国物理学家沃尔特？肖特基(沃尔特·h .)。
肖特基二极管的导通电压非常低。一般二极管在电流流动时会产生0.7-1.7伏左右的压降，而肖特基二极管的压降只有0.15-0.45伏，因此可以提高系统的效率。
肖特基二极管与一般二极管最大的区别是反向恢复时间，即二极管从正向电流流经的导通状态切换到非导通状态所需的时间。一般二极管的反向恢复时间在几百nS左右，但对于高速二极管会小于一百nS，肖特基二极管没有反向恢复时间，所以小信号肖特基二极管的开关时间在几十pS左右，特殊的大容量肖特基二极管只有几十pS。因为一般的二极管在反向恢复时间会因为反向电流产生EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换，没有反向恢复时间和反相电流的问题。
完整电路图符号的熔丝
熔断器又称保险丝、熔断器，是连接在电路上保护电路的一次性元件。当电路上的电流过大时，里面的金属线或金属片会被高温吹断，导致断路，中断电流，从而保护电路不受伤害。旧保险丝熔断后，需要手动更换新保险丝，以恢复电路的运行。
为了满足电路特性的需要，熔断器可以根据熔化速度分为几种类型。小型熔断器的类型通常用英文字母代码表示:常见的有:T(Time-lag)代表慢熔型；F(Fast)代表快熔型；m(中速时滞)代表中速；有熔化速度比T慢的TT和熔化速度比F快的FF等等。
完整电路图符号的电感
电感器会因流过它的电流的变化而产生电动势，从而抵抗电流的变化。这种性质称为电感，通常仅用于指主要工作条件为自感或其效应的元件。非自感通常用其他名称称呼，而不用电感器，如变压器、马达里的电磁线圈绕组等。
感应元件有多种形式，根据其外观和功能有不同的名称。漆包线多匝绕制的电感器，常用作电磁铁，用在变压器中，从外观上看也叫线圈。它用于提供对高频的大电阻，它通过DC或低频。根据功能，常被称为扼流圈，又称扼流线圈。常与铁磁材料结合，是用于变压器、电机、发电机的大电感，也叫绕组。电线穿过磁性物质，是无线回路，往往充当高频滤波的小电感。根据它们的外观，它们通常被称为珠。
电阻电路图符号大全
电阻是物体阻止电流通过的能力。电阻是指提供这种能力的器件，通常用r表示。
电阻器是电子电路中常见的元件。实际电阻可以由多种不同的材料制成，包括薄膜、水泥或电阻系数高的镍铬合金(电阻丝)。
带有完整电路图符号的可变电阻器
可变电阻(VR)，简称可变电阻，是一种有三个端子的电子元件，包括两个固定触点和一个滑动触点，滑动端和两个固定端子之间的电阻可以通过滑动来改变。它是一种无源元件，使用时能形成不同的分压比，因而得名。
至于只有两个端子的变阻器(或者滑动端接在其中一个固定端，实际只有两个有效端子的那种)，就不叫电位器，只能叫可变电阻。
带有完整电路图符号的单刀单掷开关
单刀单掷开关(SPST)是指一种可以打开电路、中断电流或使电流流向其他电路的电子元件。最常见的开关是操作开关，它有一个或几个电子触点。“闭合”触点意味着电子触点接通，允许电流流动；开关的“开路”是指电子触点不导电而形成开路，不允许电流流过。
带有完整电路图符号的单刀双掷开关
电路图中符号完整的双刀双掷开关
带有完整电路图符号的变压器
变压器是利用电磁感应原理改变交流电压的装置。主要部件有初级线圈、次级线圈和铁芯(磁芯)。主要功能有:电压变换、电流变换、阻抗变换、隔离、稳压(磁饱和变压器)等。
带有完整电路图符号的NPN晶体管
三极管是一种有三个端子的电子器件。双极晶体管是电子教育史上的一项革命性发明。它的发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿被授予1956诺贝尔物理学奖。
双极晶体管可以放大信号，并具有良好的功率控制、高速运行和耐久性，因此常被用来构成放大电路或驱动扬声器、电机等设备。
带完整电路图符号的PNP三极管
结型场效应晶体管是最简单的单极场效应晶体管。可分为N沟道或P沟道。在下面的讨论中，以N沟道结型场效应晶体管为例。在P沟道结型场效应晶体管中，N区和P区，以及所有的正负电压和电流方向正好相反。
N沟道结场效应晶体管由被P型掺杂包围的N型掺杂(阻挡层)组成。n型掺杂连接一个漏极(来自英文Drain，所以也叫D极)和一个源极(来自英文Source，所以也叫S极)。从源极到漏极的半导体称为n沟道。p区连接一个栅极(来自英文栅极，所以也成为G电极)。这个电极用来控制结型场效应晶体管，它与N沟道形成一个pn二极管，所以结型场效应晶体管与金属氧化物半导体场效应晶体管类似，只是金属氧化物半导体场效应晶体管中用肖特基结(金属和半导体之间的结)代替pn结，结型场效应晶体管与金属氧化物半导体场效应晶体管原理上完全一样。
场效应晶体管(FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场来控制导电沟道的形状，因此可以控制半导体材料中某一类载流子的沟道的电导率。场效应晶体管有时也被称为“单极晶体管”，它与双极型晶体管相比，其单载流子类型的功能。
所有场效应晶体管都有三个端子:栅极、漏极和源极，分别对应双极晶体管的基极、集电极和发射极。除了结型场效应晶体管，所有的场效应晶体管还有第四个端子，称为体、基、体或衬底。该第四端子可以调制晶体管运行；在电路设计中，体端子很少被允许发挥很大的作用，但当一个集成电路被物理设计时，它的存在是重要的。