中国企业可以攻克芯片“新材料”，也可以替代硅基芯片。
芯片的基本材料是硅，硅的来源是从一堆沙子中连续提取99.99999%的硅。然后把硅打磨成硅片，再把硅片做成晶片，最后经过上千道工序形成芯片。这些都是基于硅的，所以市面上的芯片也统称为硅基芯片。
但是硅基芯片也面临一个问题，就是物理极限的限制。
随着芯片制造工艺的不断突破，一直探索到4nm、3nm甚至更先进的1nm，但物理极限终究会成为制约。到时候硅基芯片到了最后，人类的科技可能也慢了。
因此，探索新技术、新材料成为备受关注的热门话题。但是真的有可能在硅基芯片之外的新材料上取得突破吗？答案是可能的。
一个好消息传来，中企英诺赛科(苏州)半导体有限公司在硅基氮化镓材料上实现了重大突破，完成量产。Innoseco建立了8英寸硅基氮化镓量产线，意味着不仅攻克了新材料，也进入了量产阶段。
资料显示，硅基氮化镓芯片生产线建成后，年产值可达6543.8+0000亿，年产能也可达78万片硅基氮化镓芯片。
这是全球首个氮化镓芯片量产项目，将为中国企业夹击下的国产芯片发展带来重大意义。
如今，业界正在不断探索传统硅基芯片之外的新材料和新工艺。此前，中科院研究的8英寸石墨烯晶片已经在半导体领域取得显著进展。因为还没有实现量产，所以石墨烯制作的碳基芯片还处于研究阶段。
然而氮化镓芯片就不一样了。Innoseco建立了一条生产线，以促进氮化镓的大规模生产。那么氮化镓能获得硅基芯片吗？表演呢？
氮化镓属于第三代半导体材料。与硅不同，氮化镓不能自然形成，必须人工合成。与硅材料相比，它的优势是显而易见的。氮化镓制成的器件功率是硅的900倍。带隙大约是硅的3倍。击穿场强也比硅165438+高0倍。
此外，氮化镓还具有散热高、体积小、损耗低的优点。如果氮化镓能研发出来，替代硅基芯片是没有问题的。充电器、元器件等部分可以使用氮化镓。
硅基芯片主导芯片行业几十年，研发硅材料和掌握专利技术的都是美国人。所以只要使用硅基芯片，无论多少技术都是自研的，很难从根源上绕过美国技术。
而摩尔定律即将达到极限，这是业内公认的事实，只是时间问题。当集成电路所能容纳的晶体管无法进一步提高时，它将在后摩尔时代迎来新的挑战。也就是新材料新工艺。
一些芯片公司专注于封装，而另一些公司正在探索新的芯片材料。中国将面临的后摩尔挑战是产业链太宽太长。大而不强是一个需要解决的问题。只有升级产业链，才能顺利迎接挑战。
同时，在光刻机、光刻胶、芯片制造工艺等方面还有很长的路要走。所以总的来说，中国企业可以征服新材料，但他们已经做好了迎接挑战的准备，真正的挑战还在后面。
美国掌握了大量的芯片技术，所以在2020年对中国企业实施芯片规则时，几乎没有企业能够超越美国技术征服中国企业。这也让我们意识到，必须从根本上解决技术问题。
Innoseco的氮化镓芯片可能只是第一步，想要改变整个芯片市场格局并不容易。所以我期待更多的技术突破，到时候我会直面挑战，昂首挺胸。
如何看待Innoseco在新材料方面的突破？