陈星碧的主要成就
1?陈星碧，论半导体漂移晶体管工作在饱和区的存储时间，物理学报，1959，15 (7): 353 ~ 367。
2?陈星碧，一维非均匀介质中的镜像法，成都电信学院学报，1963，4 (3): 76 ~ 84。
3?陈星碧，表面复合对半导体中不平衡载流子漂移扩散的影响，成都电信工程学院学报，1963，4，100。
4?陈星碧，易明光，基于晶体管中的电荷控制，四川电子学院第二届年会论文集，1964，168 ~ 185。
5?陈星碧，小注入下晶体管IC-VBE特性的指数因子研究，物理学报，1978，2 (1): 10 ~ 21。
6?陈兴碧，，功率MOSFET的最佳掺杂分布？s外延层，IEEE Trans？论电子器件，1982，ED-29(6):985~987。
7?x？b？陈，偏置栅功率MOSFET漂移区最佳均匀表面掺杂？有深结的，Proc？国际半导体与集成电路技术，1986，383~385。
8?陈星碧，场板作用下P-N+结表面电场分布的简单表达式，电子学报，1986，14 (1): 36 ~ 43。
9?陈星碧，蒋旭，突变平面结表面电场的近似公式，成都电信学院学报，1986，15 (3): 34 ~ 40。
10?x？b？陈，Z？q？宋，Z？j？李，功率MOSFET漂移区的优化？具有横向结构和深结的？在电子器件上，1987，ED-34(11)，2344~2350。
11?陈星碧，场限环的简单理论，电子学报，1988，16 (3): 6 ~ 9。
12?x？b？陈，Z？j？李，X？姜，两个？高分辨率场剖面的三维数值分析。电压结器件，中国半导体杂志，1988，9( 2)，181~187。
13?陈星碧，，蒋旭，高压半导体器件电场的二维数值分析，半导体学报，1988，9 (3): 255 ~ 260。
14?陈星碧，杨，，横向结深功率MOSFET漂移区的优化设计，微电子，1988。
15?陈星碧，表面电荷对带场限环的P+-N结电场和电势分布的影响，电子学报，1988，16 (5): 14 ~ 19。
16?陈星碧，李肇基，宋志清，高压半导体器件电场的二维数值分析，成都电信学院学报，1988，17 (1): 46 ~ 53。
17?陈星碧，李兆基，李忠民，圆柱形边缘突变结的击穿电压，半导体学报，1989，10(2):233~ 237。
18?陈星碧，李肇基，李忠民，论圆柱边界突变结的击穿电压，半导体学报，1989，10 (6): 463 ~ 466。
19?陈星碧，关于表面电荷效应的浮动场限环理论，电子学报，增刊，1989，105 ~ 111。
20?JTT分析与设计指南？用于平面技术的特邀报告。ICSI CT' 89会议，1989，456~458。
21?陈星碧，功率MOS进展与HVIC，第六届全国半导体集成技术与硅材料研讨会特邀报告，1989。
22?陈星碧，通过掩模窗口对瞬时源扩散杂质分布的简单描述，ICSICT，1989，241~ 243。
23?陈星碧，李兆基，李忠民，椭圆柱突变结的场分布和击穿电压，中国工程学报？的ICSCT'98，1989，459~461。
24?陈星碧，MOS功率器件，电子学报，1990，18 (5): 97 ~ 105。
25?陈星璧，权力最大和合并设备，Proc？柏林德国中国电子会议？奥芬巴赫，1991，339~345。
26?陈星碧，结终端技术，第七届全国半导体集成技术与硅材料研讨会特邀报告，1991，5 ~ 6。
27?x？b？陈，乙？张，Z？j？李，逆向优化设计理论？偏p？使用电阻场板和变化横向掺杂的n结，固体？国家电子，1992，35(9):1365~1370。
28?陈星碧，曾军，反向偏压下扩散平面结的电场分布和击穿电压，电子科技大学学报，1992，21 (5): 491 ~ 499。
29?陈星碧，半导体器件与微电子发展趋势，当代电子学，四川电子研究所编，1992，84 ~ 94。
30?x？b？陈，P？答？莫比角。答？t？萨拉马，M？s？塔沃斯J？曾，K？滑板，侧向高度？使用优化的横向掺杂的电压器件。j？电子学，1996，80(3)，449~459。
31?星碧陈，K？o？辛，，王斌，正倾斜突变PN结电场分布的解析模型，IEEE Trans？电子器件，1997，ED-44，5:869~873。
32?陈星碧，智能功率集成电路的创新横向器件，第二届中国西部(川、渝、桂、甘、滇)微电子技术年会论文集，1998，1 ~ 7。
33?陈兴碧，功率器件新型电压维持层理论，电子学报，1998，7( 3)，211~216。
34?x？b？陈，P？答？莫比，K？路，C？答？t？萨拉马，一种新型功率器件电压维持层理论，微电子学报，1998，29(12):1055 ~ 1011。
35?陈星碧，叶，对高校人才培养的思考与看法，电子高等教育研究，1998，2，3，13 ~ 15。
36?陈星碧，突破功率器件的硅极限(邀请论文)，第五届国际固态与集成电路技术会议论文集，IEEE出版社，1998，141~144。
37?陈星碧，叶兴宁，唐，，苏秀娣，单，新型CMOS全兼容二极管，电子科技大学学报，1999。
38?陈幸碧，，K？o？罪，小说高？具有相反掺杂区的电压维持结构。论电子器件，2000，ED- 47(6):1280~1285。
39?陈星碧，CB不同图案的最佳设计参数？结构，中国电子学报，2000，9，(1):6~11。
40?陈星碧，半导体微电子引发的第一次和第二次电子革命，电子科技大学学报，2000，2 (2): 20 ~ 25。
41?陈星碧，第一次电子革命与第二次电子革命，微型计算机应用，2000，16 (8)。
42?陈星碧，科技为基础创新为灵魂——半导体技术引发的重大革命，世界电子元器件，2000。
43?陈星碧，蒲慕明，张瑞敏，车俊，尚，余庆成，，我的创新与财富观，中国青年科技，2001。
44?星碧陈，K？o？罪，优化的具体就？COOLMOS的电阻，IEEE Trans？论电子器件，2001，ED-48(2):344~348。
45?陈星碧，CBMOST开关响应理论，电子学报，2001，10( 1):1~6。
46?陈星碧，范雪峰，适VLD让SPIC更好更便宜，Proc？的2001，104~108。
47?陈星碧，，杨，闵成，新型硅功率器件的极限，固体电子学，2002，46:1185 ~ 1192。
48?陈星碧，半导体微电子技术引发的第一次电子革命和第二次电子革命，第十六届全国电源技术年会，2005，32 ~ 36。
49?陈兴碧，超结器件，电力电子技术，2008，42 (12)。
50?陈兴碧，黄明民，一种采用高k绝缘体的叉指漂移区垂直功率MOSFET，IEEE电子器件汇刊，2012，59 (9)，2430~2437。1优化drift region of power MOSFET ` with laterals structures and deep junctions
一维非均匀介质中的2场景方法
三次小注入下晶体管Ic-V_be特性指数因子的研究
4基于晶体管的电荷控制方法
5圆柱边界突变结的击穿电压
半导体漂移三极管工作在饱和区的存储时间
7 theory of switchingresponseofcbmost
8 optimum designofreverse-biasedp-njunctionssupingresistive field plates和variationlateraldoping理论
9 OptimumVLDmakesSPICBetterandCheaper
10 optimumdopingprofilofpowermosfetapiallayer
11 OptimumDesignParametersforDifferentPatternsofCB-结构
12优化特定电阻
13电源设备的新“硅极限”
14侧向高压使用优化可变侧向高压
15突破功率器件的“硅极限”
16分析和设计指南
17分析模型电场分布
18理论浮动字段-限制环检查表面费用的影响
19 asimpledescriptionofdiffusedimpuritystributionofaninstantaneoussource throughawindowofamask
陈星碧在新型电力(电力电子)器件及其集成电路这一极其重要的领域做出了一系列重要的贡献和成就。在国内率先提出项目，并作为第一研究所完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC、RESURF、SIPOS等器件及相关技术。他对垂直功率器件的耐压层和水平功率器件的表面耐压区提出了独特的优化设计理论，并在实践中得到应用。对功率器件的另一项关键技术——结终端技术进行了系统的分析和优化，并应用于各种电力电子器件的设计中，取得了良好的效果。他还提出了坡田板块的新结构理论。他的三项重要发明可以使电力电子器件发展到一个新的水平。这些发明打破了传统极限理论的束缚，从根本上改善了器件的电学性能。第一项发明和第二项发明突破了高速功率MOS在高电压下的导通电阻极限理论，得到了新的极限关系。第一项发明由西门子公司实现，并于1998年在国际电子设备会议(旧金山)上展示。第二项发明和第三项发明已经在中国试验成功。根据第三项发明，高压(功率)集成电路中的横向器件在技术上可以与常规CMOS、BiCMOS工艺兼容，使得这种电路不仅性能优越，而且成本节约，可以立足国内，正在向产品化发展。作为唯一(或第一)作者(或主要研究人员)，在IEEE等学术期刊发表论文40余篇，出版著作5种(6册)，获得美国和中国发明专利7项，获国家发明奖2项，国家科技进步奖2项，获省部级奖励13项。