DDR内存相比最早有哪些优势？

DDR(双倍数据速率)SDRAM，又称SDRAMⅱ，是目前SDRAM的更新换代产品。是1998 65438+2月由VIA、IBM、AMD等一大批原PC133 SDRAM标准倡导者正式确定的完全开放的新一代内存规范，是英特尔全面推广RDRAM技术的时候了。几个月后(1999年5月)，第一批184针的DDR SDRAM DIMM模块正式获批，DDR SGRAM的开发接近尾声。在此期间，也出现了一些其他的提升内存性能的技术，比如在SDRAM中加入SRAM缓冲的ESDRAM，优化工作模式的VCM SDRAM，但遗憾的是，这些技术的效果并不明显。DDR唯一真正的对手是RDRAM，这是一种由Rambus垄断并得到Intel大力支持的“全新”内存技术。

不可否认，RDRAM在高工作频率、高带宽、高连续传输速率方面的优势是DDR SDRAM所不具备的。但从制造工艺、生产成本、专利费、与传统产品的兼容性等方面来看，这种新技术也有很多先天不足。而且在一般的桌面系统中，大多数应用内存的低响应时间比高带宽方案更有效，响应时间将决定系统的效率和整体性能，这恰恰是DDR的优势。英特尔终于悄然转向DDR，基本宣告了这一轮内存竞争的结束。

DDR的核心是基于SDRAM的，但是速度和容量都得到了提升。首先，它采用了越来越先进的同步电路。其次，DDR使用延迟锁定环(DLL)来提供DataStrobe信号。当数据有效时，内存控制器可以使用此数据过滤信号准确定位数据，每16位输出一次，并同步来自不同双内存模块的数据。

DDR可以在不增加时钟频率的情况下将SDRAM的速度提高一倍。它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读取数据，因此其速度是标准SDRAM的两倍。至于地址和控制信号，和传统的SDRAM一样，还是在时钟的上升沿传输。此外，传统SDR AM的DQS引脚在写入数据时用作数据掩码(单向:存储控制器DR AM)。因为数据和数据控制信号(DQS)是和DM同步传输的，所以不会出现一个数据传输快，另一个数据传输慢的问题，比如时滞(时差)和飞行时间e(从控制信号到数据传输回内存控制器的时间)。此外，DDR设计允许内存控制器的每组DQ/DQS/DM在与DIMM上的粒子连接时保持相同的负载，从而减少对主板的影响。在内存架构上，传统的SDRAM属于×8组，即内存核中的I/O寄存器有8位数据I/O，但对于×8组的DDR SDRAM，内存核中的I/O寄存器是16位，即在时钟信号的上升沿输出8位数据，在下降沿输出8位数据，一个时钟周期可以一直传输6544 * *。

为了保持高数据传输速率，电信号必须快速变化。所以DDR改为支持2.5V电压的SSTL2信号标准，虽然DDR的内存条仍然保留了原来的尺寸(5.25英寸)，但是管脚数从168PIN增加到了184PIN，内存条的凹槽移到了新的位置，所以你根本无法将这些DIMM的DDR SDRAM插到当前的插槽中。DDR分为DDR-200和DDR-266两个主要型号，其中DDR-200是100MHZ的物理频率，标准工作频率是100MHz CAS=2。当CAS降低到2.5时，工作频率可以达到125MHz，相当于DDR-250。而DDR-266根据CAS延迟时间的不同分为A类:标准CAS=2个时钟周期，标准工作频率为133MHz。当CAS降至2.5时，工作频率可达143MHz。B类:标准CAS =2.5个时钟周期，标准工作频率为133MHz，但当CAS升级到2时，工作频率只能达到100MHz。虽然这是为了给内存厂商提供更灵活的生产工艺，但也给一些JS日后造假留下了可乘之机。根据JEDEC规定，DDR存储器的命名按芯片颗粒可分为DDR-200、DDR-266A、DDR-266B，仍以66针的TSOP-II封装为主。但是模块(也就是内存条)的命名要根据其传输速率分为1.6GB/s PC- 1600和2.1 GB/s PC-2100。另外，还有一个专门为小型系统(比如我们常见的显卡)定义的规范，主要采用100 Pin的TQFP封装格式，根据其工作频率也命名为SS-333和SS-400。