M和MB哪个大？电脑内存有哪些种类？
记忆的分类
记忆的类型
内存是个人电脑的内部存储器。这里我们将介绍它的类型。根据存储器的可读性，可分为“RAM”和“ROM”。RAM的英文全称是“Random Access Memory”，中文翻译过来就是“随机存取存储器”。ROM的英文全称是“只读存储器”，中文翻译过来就是“只读存储器”。目前RAM有两种，一种是DRAM，一种是SRAM。DRAM的英文全称是“Dynamic RAM”，中文翻译过来就是“动态随机存取存储器”。所谓“动态”是指它在通电的情况下不能长时间保持电量，每隔一段时间就需要充电，否则会因为电量自然放电而丢失数据。然而，它的制造成本低，并且它的容量可以做得更大。目前PC使用的DRAM内存最大可达128M..DRAM的类型分为普通DRAM，EDO RAM，SDRAM，速度都比对方快。目前相对高端的PC都采用32M、64M甚至128M的SDRAM。
SRAM的中文全称是“静态RAM”，翻译成中文就是“静态随机存取存储器”。所谓“静”，就是通电后能长时间保持电量，不需要每隔一段时间就重新通电。所以一般来说，SRAM的数据传输速度比DRAM快，但是因为制造成本高，工艺复杂，所以容量不能做得很大，一般在1M以下。目前在用的ROM有四种，分别是普通ROM、EPROM、EEPROM和Flash存储器。早期主板上的BIOS用的是普通ROM，只能写一次，内容不能更改。想升级主板，必须换。后来BIOS是用EPROM做的，英文全称是“可擦可编程只读存储器”，翻译成中文就是“可擦可编程只读存储器”。这种ROM可以通过紫外线扫描进行擦除和重写。后来使用了EEPROM，英文全称是“电子EPROM”，翻译成中文就是“电可擦可编程只读存储器”。这种只读存储器可以通过电子扫描改变存储器的内容。
升级这两种可擦写存储器还是比较麻烦的。目前主板上的BIOS多由闪存制成，翻译过来就是“闪存”，通常被称为“闪存”。quot，简称为“闪存”。这种内存可以通过调整主板上的电压直接升级BIOS。
高速缓冲存储器-高速缓冲存储器
也叫缓存RAM，是CPU旁边或附加的一小块高速内存(一般小于1MB)，连接CPU和系统内存。高速缓冲存储器为处理器提供最常用的数据和指令。1级缓存也叫一级缓存，是离CPU最近的缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。二级缓存也称为二级缓存，是距离CPU第二近的缓存。一般焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，稍慢。
闪存-闪存
Flash存储器在断电时仍能保留存储的数据信息，但数据删除不是以单字节为单位，而是以固定的块为单位。块大小通常在256K到20MB之间。FLASH这个词最初是东芝提出来的，因为芯片具有瞬间擦除能力。闪存芯片起源于EPROM，价格不贵，存储容量大。闪存正成为EPROM的替代品，因为它们易于升级。闪存用于PCMCIA卡、PCMCIA闪存驱动器、其他形式的硬盘、嵌入式控制器和智能媒体。如果闪存或其他相关衍生技术可以在一定时间内清除一个字节，那么将导致永久(非易失性)RAM的到来。
Edo dram(扩展数据输出dram)-扩展数据输出动态存储器。
有些也被称为超页模式DRAM。EDO的读模式取消了扩展数据输出内存和传输内存两个存储周期的时间间隔，在向CPU发送数据的同时访问下一页，提高了工作效率(比传统DRAM快15~30%左右)。
EDO内存一般是72线(SIMM)，也有168线(DIMM)，多用于苹果的Macintosh电脑。
电可擦除可编程只读存储器
电可擦除可编程只读存储器-断电后不会丢失数据的存储芯片。EEPROM可以擦除现有信息，并在计算机或特殊设备上重新编程。一般用于即插即用(plug & amp；Play)接口卡，用于存储硬件设置数据；防止非法复制软件？quot它也可以在硬件锁上找到。
Rambus(与RDRAM相同)
Rambus公司开发的一种存储器(现已被Intel公司收购)比普通DRAM快10倍左右，是存储器发展史上的里程碑。但为了支持它，内存控制器需要做相当大的改动，所以只在游戏机、专业图形加速卡和少数高端PC中使用。但在未来，Rambus可能会取代SDRAM，成为内存的主流。
Eprom(可擦除可编程只读存储器)-可擦除可编程只读存储器。
可重复使用的可编程芯片。它的内容永远不会丢失，除非你用紫外线擦除它。通常，当对EPROM的内容进行编程或擦除时，需要特殊的设备。
同步动态存储器
一种动态随机存取存储器，它以CPU外部总线的频率工作，并与CPU时钟同步。因为SDRAM可以和CPU列频同步工作，所以没有等待期，数据传输延迟降低。FPM DRAM每3个时钟周期开始传输，而EDO DRAM每2个时钟周期开始传输。
总线动态随机存取存储器
是RAMBUS公司和INTEL公司联合提出的专利技术，其数据传输是首创？00MHZ，但其总线宽度远小于现在的SDRAM。
DIMM(双列直插式内存模块)-双面触点内存模块。
形象地说，内存条正反面的金手指是不导电的，比如100线，168线，200线内存(长Dimm)和72线，144线(SO-Dimm)。DIMM一般带宽64位，正反面相同位置的管脚不一样；SIMM一般只有32位带宽，需要两片同时使用。一般SIMM是通过72线金手指连接到主板上的。
静态存储器
静态内存虽然不需要刷新，但是掉电后会丢失数据。静态存储器的数据传输速率范围从10纳秒到30纳秒。动态内存比它慢30纳秒，同时、双向内存和ECL内存都超过10纳秒。因此，静态内存通常用于缓存。动态存储器由扭结的晶体管电路组成，电流是流入晶体管的一端还是另一端由工作的晶体管决定。
Rom(只读存储器)-只读存储器。
断电后数据不会丢失的一种存储器。主要用于存储“固件”。主板、显卡、网卡上的BIOS是ROM的一种，因为它们的程序和数据发生变化的概率很低。
随机存取存储器
存储单元结构用于存储CPU处理的数据信息。“随机”访问与“串行”访问相反，是指CPU可以直接从RAM中的任意地址读取所需数据，而无需从头到尾进行搜索。
串行存在检测-串行存在检测。
存储存储容量、速度、制造商信息和其他技术规格的小型EEPROM芯片。
ECC(纠错码)-纠错码
ECC是一种检查存储在DRAM中的全部数据的电子方式。ECC在设计上比奇偶校验更精致。它不仅可以检测多位数据错误，还可以指定错误的数字并进行纠正。通常ECC每字节使用3位来纠正错误，而奇偶校验只使用一位。
ECC的另一个解释是错误检查&；纠正，包括错误检查和纠正。
带ECC的内存比普通SDRAM多1和2个芯片，非常贵，一般用在工作站或服务器上。
DDR(双倍数据速率SDRAM)-双数据输出同步动态存储器。
理论上，DDR SDRAM可以将RAM的速度提高一倍，它可以在时钟的上升沿和下降沿读取数据。