如何看内存颗粒的大小(实物)，最好列举几个不同的典型例子，3KS。

具体含义解释:

例如:SAMSUNGK4H280838B-TCB0

主要含义:

位1-芯片功能K代表内存芯片。

第2位-芯片类型4代表DRAM。

第三位——对芯片的进一步类型描述，S代表SDRAM，H代表DDR，G代表SGRAM。

第4和第5位数字-容量和刷新率。同样容量的内存会使用不同的刷新率和不同的数字。64、62、63、65、66、67和6A代表64Mbit的容量；28、27和2A代表128Mbit的容量；56、55、57和5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6位和第7位——数据线引脚数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64表示64位数据。

位11-连接“-”。

位14和15——芯片的速度，比如60就是6 ns70是7 ns7B为7.5 ns(cl = 3)；7C为7.5 ns(cl = 2)；80是8 ns10就是10ns(66MHz)。

知道了记忆颗粒编码的主要数字的含义，拿到记忆棒后计算它的容量就非常容易了。比如一个三星DDR内存，封装了18个SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒。粒数“28”的第4位和第5位代表该粒为128Mbits，第6位和第7位“08”代表该粒具有8位数据带宽，因此我们可以计算出存储体的容量为128Mbits(兆位)×16 chips /8bits=256MB(兆字节)。

注意:“bit”是“digit”，“b”是byte“byte”，如果一个字节是8位，就除以8。关于内存容量的计算，本文给出的例子中有两种情况:一种是非ECC内存，每8个8位数据宽度的粒子可以组成一个内存；另一种ECC内存在每64位数据后添加一个8位ECC校验码。通过校验码，可以检测到存储器数据中的两个错误，并且可以纠正一个错误。因此，在实际容量计算的过程中，不计算奇偶校验位，具有ECC功能的18个粒子的存储体的实际容量乘以16。购买时也可以确定18或9内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

海力士(现代)

“8”是内存芯片结构，表示内存由8个芯片组成。(4=4个芯片；8=8个芯片；16=16个芯片；32=32个芯片)

“2”指的是记忆的银行。(1=2银行；2=4银行；3=8个银行)

“2”表示接口类型为SSTL_2。(1 = SSTL _ 3；2 = SSTL _ 2；3=SSTL_18)

“B”是第三代的核心代码。(空白= 65438代+0；A=第二代；B=第三代；C=第四代)

能耗，空白代表普通；l代表低功耗型，这个记忆棒的能耗码是空的，所以是普通型。

包装类型用“t”表示，即TSOP包装。(T = TSOP；q = LOFP；f = FBGA；FC=FBGA)

包栈，空白=正常；s =海力士；K = M & ampt；J=其他；M=MCP(海力士)；MU=MCP(UTC)，上面的内存是空白的，代表一个常见的包栈。

包装原料，空白=普通；P=铅；H =卤素；R=铅+卤素。存储器由普通包装材料制成。

“D43”表示内存速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J = DDR333M=DDR333，2-2-2；K = DDR266AH = DDR266BL=DDR200)

工作温度一般省略。I=工业常温(-40 ~ 85度)；E=膨胀温度(-25 ~ 85度)

现代记忆的意义:

HY5DV641622AT-36

HYXXXXXXXXXXXXXXXX

123456789101112

1和HY代表现代产品。

2.内存条芯片类型:(57=SDRAM，5D = DDR SDRAM)；);

3.加工工艺及工作电压:(空白= 5vVDD = 3.3V & amp；VDDQ = 2.5VVDD = 2.5V & amp；VDDQ = 2.5VVDD = 2.5V & amp；VDDQ = 1.8V；VDD = 1.8V & amp；VDDQ=1.8V)

4.芯片容量密度和刷新率:16=16Mbits，4KRef；64: 64m4k刷新；64=64Mbits、8KRef65=64Mbits、4KRef66: 64m2k刷新；28: 128m4k刷新；128= 128Mbits、8KRef129=128Mbits、4KRef56: 256 m8k刷新；57: 256 m4k刷新；256=256Mbits、16 kref；257=256Mbits、8KRef12: 512M8k刷新；1g: 1g 8k刷新

5.代表芯片输出的数据位宽度:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。

6.银行数量:1，2，3分别代表2，4，8家银行，是2的幂。

7.I/O接口:1:SSTL_3，2:SSTL_2。

8.芯片内核版本:可以是空白，也可以是A、B、C、D等字母。越往后，内核越新。

9.代表功耗:L=低功耗芯片，空白=普通芯片。

10，存储芯片封装形式:JC=400milSOJ，TC = 400 mil TSOP-II，TD = 13 mm TSOP-II，TG = 16 mm TSOP-II。

11，工作速度:55:183MHZ，5:200MHZ，45:222MHZ，43:233MHZ，4:250MHZ，33:300 MHz，L:DDR200，H:DDR266B。

现代mBGA封装颗粒

英飞凌(英飞凌)

英飞凌是德国西门子公司的子公司。目前，西门子旗下的英飞凌在国内市场只生产两种存储颗粒:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。数字详细列出了其存储器的容量和数据宽度。英飞凌的内存队列组织和管理模式是每个粒子由4个存储体组成。所以它的记忆粒子模型比较小，也是最容易分辨的。

HYB39S128400表示128MB/4bits，“128”表示颗粒的容量，后三位表示内存的数据宽度。其他的也是如此，比如:HYB39S128800，即128 MB/8 bits；HYB39S128160是128 MB/16 bits；HYB39S256800为256 MB/8位。

英飞凌记忆粒子工作率是通过在其模型末端加一条短线，然后标注工作率来表示的。

-7.5-表示存储器的工作频率为133 MHz；；

-8-表示存储器的工作频率为100MHz。

例如:

1金士顿内存条由16英飞凌HYB39S128400-7.5内存颗粒生产。其容量计算为:128Mbits(兆位)×16 chips /8=256MB(兆位)。

1 Ramaxel内存芯片由8颗英飞凌HYB39S128800-7.5内存颗粒生产。其容量计算为:128兆位×8芯片/8 = 128兆位。

金麦克斯、kti

KINGMAX内存描述

Kingmax内存全部封装在TinyBGA (Tinyballgridarray)中。而且封装方式是专利产品，所以我们看到Kingmax颗粒的内存条都是工厂自己生产的。Kingmax内存颗粒有64Mbits和128Mbits两种容量。您可以在这里列出每个容量系列的内存粒度型号。

容量备注:

Ksva 44t 4a0a-64mbits，16M地址空间×4位数据宽度；

Ksv884t 4a0a-64mbits，8M地址空间× 8位数据宽度；

Ksv244t4xxx-128mbits，32M地址空间×4位数据宽度；

Ksv684t4xxx-128mbits，16M地址空间×8位数据宽度；

Ksv864t4xxx-128Mbits，8m地址空间×16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，在型号后用一个短线符号隔开，以标识内存的工作速率:

-7A——PC 133/CL = 2；

-7——PC 133/CL = 3；

-8A——PC 100/CL = 2；

-8——PC100/CL=3 .

举个例子，一个Kingmax内存条由16块KSV884T4A0A-7A组成，其容量计算为:64Mbits ×16块/8=128MB(兆字节)。

微米(微米)

美光的记忆的编码规则用编号MT48LC16M8A2TG-75举例说明。

含义:

mt-美光的制造商名称。

48型内存。48代表SDRAM；46代表DDR。

LC-电源电压。LC代表3v；c代表5v；v代表2.5V

16M8——粒度内存容量为128Mbits，计算方法为:16M(地址)×8位数据宽度。

a2-内存内核版本号。

TG包装法，TG是TSOP包装。

-75-内存的工作速度，也就是133 MHz；；-65表示150MHz。

例如:MicronDDR记忆棒由18个编号为MT46V32M4-75的颗粒组成。内存支持ECC功能。所以每个存储体是奇数个存储粒子。

其容量计算为:容量32M×4bit×16芯片/8=256MB(兆)。

华邦(华邦)

含义描述:

WXXXXXXXX

12345

1和W表示内存颗粒是华邦生产的。

2.代表性的内存类型:98是SDRAM，94是DDRRAM。

3.代表粒子的版本号:常见的版本号有B和H；

4.代表封装，H是TSOP封装，B是BGA封装，D是LQFP封装。

5.工作频率:0: 10 ns，100 MHz；；8:8ns、125 MHz；Z:7.5ns、133 MHz；Y:6.7ns、150 MHz；6:6ns、166 MHz；5:5纳秒、200兆赫

摩泽尔语(台湾省茅斯语)

台湾湾摩思科技是台湾省内存芯片的大厂，对大陆供货不多，所以我们不太熟悉。这个粒子的编号是V54C365164VDT45。数字6和7是65，也就是说单个粒子是64/8 = 8mb。从数字8和9，单个粒子的位宽是16bit可知粒子速度是4.5ns

南亚，仙丹，PQI，PLUSS，Atl，EUDAR

南亚科技是全球第六大内存芯片制造商，也是台湾省去年唯一盈利的公司，排名全球第五。该存储器编号为NT5S5V8 M16CT -7K，其中第4个字母“S”表示SDRAM存储器，第6、7位8 M表示单粒子容量8M，第8、9位16表示单粒子位宽16bit，-7K表示速度7ns。

哪一位，斯通先生，雷，金

M.tec(勤奋)，TwinMOS(勤奋)

V-DATA(香港维港)，A-DATA(台湾省维港)，VT

内存粒子编号为VDD8608A8A-6B H0327，为6纳秒粒子，容量为***256M，0327表示其生产日期为2003年第27周。

a数据

这是A-Data的DDR500。