gan为什么要注入si？

创建一个n型区域。将Si注入InGaN的目的是在MQW上产生N型区。Si衬底GaN功率器件的优势主要在中低压领域。使用Si作为GaN发光二极管的衬底，可以大大降低LED的制造成本，解决专利垄断问题。