鲜为人知的莉莉菲尔德以及以他命名的莉莉菲尔德奖。

MOSFET的工作原理是在垂直于半导体表面的方向上施加电场,以控制源极和漏极之间的电导。事实上,这一效应早在1925年就被尤利乌斯·利林费尔德发现了。1930年获得场效应元件专利。由于当时缺乏晶体表面和薄膜的物理知识,场效应元件是做不出来的。长期以来,Lillifeld的专利一直被忽视。

虽然没人关心Lillifeld的专利,但它不是一张废纸。大名鼎鼎的萧克来在贝尔实验室工作时,也有过场效应晶体管的想法,但由于利利菲尔德的专利保护,萧克来最初的场效应晶体管专利申请被彻底驳回。Jambers实验室的所有人都被这个结果震惊了,以至于在1948,巴丁在和布拉顿申请点接触晶体管专利的时候也有很多顾虑,担心礼来菲尔德的专利保护会阻碍他的专利申请。事实上,巴丁周围的大多数人都认为这项专利申请注定要失败。当然,事情进行得很顺利。1950年,这项专利申请获得批准,并正式授予贝尔实验室。

这里需要注意的是,贝尔实验室的点接触晶体管的专利签名中并没有肖克莱这个人。要知道,晶体管的基本原理都是小克莱搞出来的。萧克来一直认为自己是晶体管之父,他自己也是贝尔实验室半导体组的组长。这是怎么回事?原来,贝尔实验室的专利律师在申请专利时,发现这个点接触晶体管专利的部分内容与肖克来之前申请的专利有冲突,所以没有加上他的名字。这件事让小克莱很生气,也很自卑。没办法。毕竟巴丁和布拉顿对点接触晶体管的贡献更大,已经走到了他的前面。知耻而后勇。萧克来此时露出了天才的本来面目。他把自己关在实验室整整一个月,苦思冥想,发明了结型晶体管的制造方案。这是一个更实际可行的晶体管方案。特别是,它更容易在集成电路中使用。1950 165438+10月,小克莱结型晶体管制造成功。为了让这个晶体管迅速广为人知,他还专门写了一本专著介绍结型晶体管的理论和原理。萧克来用自己的勤奋和天才证明了自己无愧于晶体管之父的称号。

李力飞在1916-1926期间是莱比锡大学物理学院的教授。他的主要学术贡献包括:

X射线管得到了改进,后来被称为利林费尔德管。

发明或改进超高真空技术;

发现了一种新的场发射现象,后来被称为奥纳效应。

他持有多项场效应晶体管的美国专利,对固态放大器提出了新的设想,并且“比肖克莱、布拉顿和巴丁的工作早了近20年”。

莉莉菲尔德于1963年在美国去世。1988,美国物理学会根据李立斐德遗孀比阿特丽斯·利林费尔德的遗产设立了朱利叶斯·埃德加·利林费尔德奖,以表彰在物理学领域做出突出贡献的科学家。其中,我们熟悉的斯蒂芬·威廉·霍金获得了1999的利利费尔德奖。基普·索恩获得了1996的利利菲尔德奖。这个基普斯通是2017年诺贝尔奖获得者(验证引力波),也是2014年美国科幻电影《星际穿越》的科学总监。