转炉简介

作为一种新型的交-交变频电源，矩阵变换器的电路拓扑被提出，但直到1979年意大利学者M.Venturini和A.Alesina提出矩阵变换器的存在理论和控制策略后，人们才开始关注和研究其特性。晶闸管是一种半控功率器件，应用广泛。由这种器件构成的矩阵变换器很难控制。矩阵变换器的硬件特性是要求

大容量、高开关频率、双向阻断能力和自关断能力的功率器件，同时由于控制方案的复杂性，需要一个具有快速处理能力的微处理器作为控制单元，这在早期的半导体工艺和技术水平上是很难实现的。因此，这一时期对矩阵变换器的研究主要是针对主电路的拓扑结构和双向开关的实现，大多处于理论研究阶段，面向工业实践的很少。BJT、IGBT等工作频率高、控制功率低的全控型功率器件不断涌现，推动了矩阵变换器控制策略的研究。高功率因数半桥变换器(美国申请专利20030076699，日期:2002/10/18)提出了一种高功率因数半桥变换器。半桥转换器具有桥式二极管单元以提供电流路径，并且功率因数改善单元将能量转移到电压平滑电容器。电压平滑电容器存储由桥式二极管单元提供的能量。开关单元具有与电压平滑电容器的两端串联连接的两个开关。其中所述功率因数改善单元提供所述开关的公共连接点电压以形成由所述转换单元反馈到所述输入电容器的公共连接点，以便根据所述输入电压值改变所述输入电流。降低开关单元中半桥变换器的导通损耗，提高输入端的功率因数。