海力士的优势和劣势

MRAM优势分析:MRAM的核心面积只有sram的1/2-1/4，也就是说相同面积下缓存容量是SRAM的2-4倍，可以大大降低成本；如果要进一步提升CPU的性能，还必须增加缓存容量，以容纳更多的数据和指令，而缓存占用的核心面积往往大于核心面积(只要看看英特尔酷睿处理器的架构图就知道了，英伟达还抨击英特尔说他们的芯片其实就是在卖没有技术含量的缓存)；在这方面，IBM和希捷在2009年HPCA(高性能计算机架构国际研讨会)上发表了关于MRAM在L2缓存中的应用的研究成果。首先，他们建立了一个模型，并用65纳米COMS工艺制造了SRAM和MRAM。在同样的面积下，后者的容量可以是前者的4倍。如果换算成存储单元，MRAM的单元数约为40，而SRAM的单元数为146。

MRAM的缺点是:书写性能下降；MRAM技术并不是没有死穴，书写性能的下降就是一个例子。仿真结果表明，MRAM的写入速度下降12-19%，整体IPC指令性能下降约3-7.5%。sram的延迟约为2.264ns，而MRAM的延迟为11.024ns，是前者的5倍多。写数据时功耗的增加也是MRAM的缺点之一。SRAM在写入过程中仅消耗0.797nJ(纳焦)，而MRAM需要4.997nJ，是前者的6倍多。但是，待机时就不一样了。2MB SRAM需要2.089W功耗，8MB MRAM只需要0.255W，这是压倒性的胜利。MRAM可以抵抗高辐射，在极端温度条件下工作，并且可以防篡改。这使得MRAM适合汽车和工业，军事和空间应用，这是MRAM开发商的重要组成部分。