单晶的少子寿命和一次多晶硅检测到的少子寿命有什么关系？
少子扩散长度和少子寿命基本相同，一个指你能跑多远，一个指你能活多久，表达方式不同。
少数载流子寿命越长越好。就目前的太阳能级硅来说，有5us就不错了。如果太低(如小于1us)，电池效率会受到严重影响。目前太阳能企业的要求越来越高，多晶要求大于2，单晶要求大于10。
处于热平衡状态的半导体在一定温度下有一定的载流子浓度，称为平衡载流子浓度。如果有一个外力作用在半导体上，热平衡的条件就被破坏了，这就是所谓的不平衡状态。超过平衡态的这部分载流子称为不平衡载流子。不平衡载波可分为不平衡多数载波和不平衡少数载波。对于N型半导体材料，额外的电子是不平衡的多数载流子，空穴是不平衡的少数载流子。而对于P型半导体材料，则相反，产生不平衡载流子的外界作用去除后，会逐渐衰减消失，最终载流子浓度会回到平衡值。不平衡少数载流子的平均存活时间称为不平衡少数载流子寿命，简称少数载流子寿命。
1.单晶硅少子寿命测试仪产品介绍；
1.它可以测量太阳能级多晶硅块和单晶硅棒中少数载流子的寿命。表面不需要抛光，可以直接测量切削面或磨削面。同时可以测量多晶硅检验棒、集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。
2.可以测量太阳能级单晶和多晶硅晶片中少数载流子的相对寿命，并且表面不需要抛光或钝化。
3.装有专用软件的数字示波器可以直接在液晶屏上显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰减波形，并可以与打印机和计算机结合使用。
4.用两种波长配置红外光源:
a、红外光源，光穿透硅晶体的深度大于等于500μ m，有利于精确测量晶体少子寿命。
b、短波长红外脉冲激光，硅晶体的光穿透深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于低电阻太阳能级硅晶体的测量。
二、单晶硅少子寿命测试仪的测量范围可以直接测量:
A.研磨或切割表面:电阻率≥0.3ω？单晶硅棒和定向结晶多晶硅块的少子寿命，以及切片的少子相对寿命。
b、抛光面:电阻率0.3 ~ 0.01ω？﹡范围内的硅单晶和锗单晶抛光片。
寿命可测范围为0.25μ s-10 ms。