什么是介电瓷?
微波介质陶瓷微波介质陶瓷(MWDC)是指在微波频段(主要是UHF和SHF频段,300 MHz ~ 300 GHz)用作介质材料并执行一种或多种功能的陶瓷。是近年来国内外微波介质材料领域的研究热点。这主要是为了适应微波移动通信的发展需要。微波介质陶瓷主要用作谐振器、滤波器、介质天线和介质导波电路等微波元件。可用于移动通信、卫星通信和军用雷达。随着科学技术的飞速发展,通信信息量的急剧增加以及人们对无线通信的要求,使用卫星通信、卫星直播电视等微波通信系统已成为必然趋势。这使得民用领域对微波材料的需求逐渐增加,如移动电话、车载电话、蜂窝无绳电话以及卫星直播电视等其他新型应用设备。以手机为例。2004年,中国手机年销量为6400万部,中国手机市场每年将以20%的速度增长。两三年内,销量将达到6543.8+亿。可见微波介质陶瓷在商业应用上有很大的发展空间和市场。与金属腔体谐振器相比,微波介质谐振器具有以下优点:(l)小型化(高介电常数r)。众所周知,微波设备实现小型化、高稳定、低成本的途径就是微波电路的集成。在微波电路集成过程中,金属波导实现平面微带集成,微波管实现小型化。然而,微波电路中的各种金属谐振腔体积大、重量大,很难与微带电路集成。解决这一困难的途径在于用微波介质陶瓷材料制作谐振器。众所周知,谐振器的尺寸与电介质材料的介电常数的平方根成反比。因此,介电材料的介电常数越大,所需的介电陶瓷块就越小,谐振器的尺寸就越小。因此,微波介质陶瓷材料的高介电常数有利于微波介质滤波器的小型化,可以使滤波器、微波管和微带线实现微波电路的混合集成,使器件尺寸达到毫米级,其价格远低于金属谐振腔。一般要求> 1O .(2)高稳定性(频率温度系数f接近于零)。通信设备的工作环境温度不可能是恒定的。如果微波介质材料的谐振频率随温度变化较大,滤波器的载波信号在不同温度下会发生漂移,从而影响设备的性能。这就要求材料的共振频率不能随温度变化太大。实际温度要求范围大致为-40℃-+100℃,在此范围内,材料的频率温度系数f不大于l0ppm/℃。目前实用的微波介质陶瓷材料的频率温度系数可以达到0 ppm/℃,从而实现器件的高稳定性和可靠性。(3)低损耗(高品质因数Q)。滤波器的一个重要要求是低插入损耗,而微波介质材料的介电损耗是影响介质滤波器插入损耗的主要因素。微波介质材料的q值与介质损耗成反比。q值越大,滤波器的插入损耗越低。目前,微波介质陶瓷已广泛用于制造便携式移动电话、车载电话、无绳电话、电视卫星接收机和军用雷达中的微波介质滤波器和谐振器,并在现代通信工具的小型化和集成化中发挥着越来越重要的作用。介电陶瓷专利技术集1。贱金属电极多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法2。聚四氟乙烯陶瓷复合介质材料表面改性方法3。高介电常数低损耗微波介质陶瓷4。高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法。高介电常数微波介电陶瓷6。低损耗微波介质陶瓷7。高介电常数微波介质陶瓷8。低损耗微波介质陶瓷9、微波多层陶瓷电容器的介质及其制造方法10、用于中温烧结多层陶瓷电容器的低介电微波介质材料11、用于高频的混合多相介质陶瓷材料12、铅基微波介质陶瓷及其制造方法13、陶瓷介质过滤器14、微波介质陶瓷15、涂覆在陶瓷过滤介质上以抵抗铝熔体腐蚀的瓷釉16, 微波炉磁控管用高压陶瓷电容器介质17、微波介质陶瓷及其制备方法218、高频介质陶瓷成分及制备工艺19、高压陶瓷电容器介质20、高品质微波陶瓷介质及其制备方法21、高介电常数、高稳定性、低损耗的陶瓷介质材料及其制备方法22、轻质泡沫陶瓷介质球及其制备方法23、近零频率温度系数类钙钛矿微波介质陶瓷及其制备方法24、 高性能低温烧结高频点介质陶瓷25、高压陶瓷电容器介质制造方法26、一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法27、微波陶瓷介质及其制备方法28、以陶瓷颗粒为介质生产小分子团自来水的生产工艺29、陶瓷研磨介质微珠坯料30、介质陶瓷组合物231、低温烧结高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法32、介质陶瓷及其制备方法33、 微波陶瓷介质柱谐振试验夹具34、钛酸锶钡与堇青石玻璃陶瓷复合介质材料的制备方法35、低温烧结中等介电常数微波介质陶瓷及其制备方法36、微波介质陶瓷及其制备方法37、多层电感用堇青石基微晶玻璃陶瓷介质材料38、高频热稳定性陶瓷介质材料及其制备方法39、高频高介电常数微波介质陶瓷及其加工方法40、 介电陶瓷粉末、陶瓷生片和叠层陶瓷电容器及其制备方法41、低温烧结固溶体微波介电陶瓷材料42、微波介电陶瓷及其制备方法43、微波介电陶瓷组合物44、低温烧结多元多相复合微波介电陶瓷及其制备方法45、介电陶瓷46、多层电感器用硅酸锌基玻璃陶瓷介电材料的制备方法47、介电陶瓷组合物48、 在滤波器通带的高端具有改善的电特性的介电陶瓷滤波器49,陶瓷介电材料及其制备方法和制造陶瓷电容器50的方法,介电陶瓷组合物和使用其的层压陶瓷部件51,近净形透明陶瓷激光介质252的制备,近净形透明陶瓷激光介质53的制备,抗还原介电陶瓷粉末及其制备方法和多层陶瓷电容器54的制备方法, 高频热稳定Ti-Ba-Nd陶瓷介电材料和多层片状陶瓷电容器55、耐还原性热补偿陶瓷介电材料及其陶瓷电容器56、使用它的介电陶瓷组合物和电容器57、钛酸钡粉末及其制造方法和评价方法、介电陶瓷和叠层陶瓷电容器58、钛酸锌镁陶瓷介电材料及其获得的陶瓷电容器59、超低温烧结陶瓷介电材料及其制备方法和获得的电容器60、 一种薄介电高层片状陶瓷电容器的制备方法61,一种可低温烧结的介电陶瓷组合物和使用该组合物的多层陶瓷片状电容器62,一种钛钡陶瓷介电材料和由此制备的电容器63,一种低频细晶粒陶瓷电容器介电材料的制备方法64,一种介电陶瓷组合物65,介电陶瓷组合物和陶瓷电容器66,细晶粒高介电陶瓷电容器介电材料及其制备方法67, 可低温烧结的低损耗介电陶瓷组合物及其制备方法68、介电陶瓷组合物和介电振动器69、高频陶瓷介电材料及其制备方法和所得电容器70、通过激光在用作磁记录介质的玻璃陶瓷基底上形成纹理71、具有CZT电介质的陶瓷电容器72、非还原性介电陶瓷和单片陶瓷电容器73、用于片状电容器的介电陶瓷材料及其制备方法74、 具有高介电常数和平坦温度系数的介电陶瓷75、介电陶瓷组合物、使用该组合物的电容器及其制备方法76、多层陶瓷介电滤波器77、介电陶瓷组合物、使用该组合物的电容器及其制造方法278、介电陶瓷粉末及其制造方法和复合介电材料79、可低温烧结的介电陶瓷组合物、多层陶瓷片状电容器和陶瓷电子器件80、介电陶瓷组合物和单片陶瓷电容器81、 含钡锂硼硅酸盐助熔剂和镁锌钛酸盐粉末的介电陶瓷粉末混合物82、过渡金属玻璃陶瓷增益介质83、纳米陶瓷材料掺杂剂、高介电抗降低多层陶瓷电容器介电材料及其制备方法84、信息存储介质用玻璃陶瓷基板及其制备方法和信息存储介质盘85、介电陶瓷组合物和电子部件86、介电陶瓷组合物及其制备方法87、信息存储介质用玻璃陶瓷基板88、 用于磁性信息存储介质的玻璃-陶瓷基片89,使用介电陶瓷的介电陶瓷和谐振器90,介电陶瓷组合物和陶瓷电容器391,用于磁性信息记录介质的玻璃-陶瓷基片92,介电陶瓷组合物和陶瓷电容器293,生产陶瓷金属储热介质及其产品的方法94,介电陶瓷组合物及其电子元件95,陶瓷电容器及其制造方法,介电叠层器件96,介电陶瓷和电子元件97,介电陶瓷组合物, 叠层陶瓷电容器及其制造方法98、陶瓷膜及其制造方法99、铁电电容器及其制造方法99、陶瓷及其制造方法、介电电容器、半导体器件和元件。